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本發(fā)明公開了一種頻率可調(diào)的太赫茲波超材料調(diào)制器，包括周 期排列的單元器件，每一個單元器件包括襯底、位于襯底上的功能材 料層以及位于功能材料層上的金屬諧振單元；當功能材料層從絕緣相 變成金屬相，功能材料層的電導率呈指數(shù)倍增加使得金屬諧振單元的 中間開口電容的面積增加，金屬諧振單元的諧振頻率隨著電容的增大 而變小實現(xiàn)了對單元器件的頻率調(diào)諧。本發(fā)明采用在太赫茲波段低傳 輸損耗襯底上制作周期排列的金屬開口諧振單元、利用金屬絕

該團隊首次提出一種全新的基于齒輪構(gòu)型的智能可編程力學超材料，其結(jié)構(gòu)單元為剛度可連續(xù)變化的齒輪或齒輪組。研究還突破宏觀與微觀、金屬基和復合材料基超材料的集成一體化制造和集成驅(qū)動技術，實現(xiàn)了材料性能的大范圍、連續(xù)、快速調(diào)節(jié)，對減隔振、沖擊防護、無人系統(tǒng)/機器人等智能結(jié)構(gòu)設計具有重要應用價值。

衛(wèi)星在軌運行和返回過程中需經(jīng)歷極端高低溫環(huán)境，構(gòu)件尺寸的穩(wěn)定是保證衛(wèi)星在軌高精度、返回高安全、任務高可靠的關鍵。針對衛(wèi)星搭載的某寬帶微波載荷與衛(wèi)星本體材料之間熱膨脹系數(shù)不匹配極易導致的載荷在軌及返回過程中載荷接收精度不穩(wěn)定、信息傳輸不連續(xù)等問題。我校陳駿教授團隊以原創(chuàng)的負熱膨脹技術研發(fā)了具有輕質(zhì)、熱膨脹系數(shù)低、力學性能優(yōu)異、尺寸穩(wěn)定性好的高性能低膨脹鋁基復合材料，并研制了系列關鍵連接內(nèi)置件、環(huán)件等高性能低膨脹構(gòu)件，首次將負熱膨脹技術應用到我國的衛(wèi)星上，填補了高性能低膨脹金屬構(gòu)件在工程應用領域的空白。該技術使得某寬帶微波載荷與衛(wèi)星本體之間熱膨脹匹配性增強、界面應力大幅度減小，保證了衛(wèi)星在軌與返回過程中信號高精度傳輸與接收，助力衛(wèi)星成功返回。 圖1 實踐十九號衛(wèi)星成功返回（圖片來源國家航天局） 圖2 高性能低膨脹鋁基復合材料及構(gòu)件應用于全球首顆可重復使用返回式技術試驗衛(wèi)星（圖片來源央視新聞頻道）

成果描述：本發(fā)明公開了一種丙烯酸鎂-超細水泥雙液復合灌漿材料。灌漿材料主料分為A、B組分，其中A組分的成分及重量配比為：超細水泥：水：活性氧化鎂：粉劑萘系高效減水劑：硅粉=100：50-100：0-5：0.5-1.5：2-5，B組分的成分及重量配比為濃度為36%-40%的丙烯酸鎂溶液：氯化鈣：三乙醇胺：過硫酸鈉=10-30：0.5-3：0.1-0.5:0.01-0.05。本發(fā)明是采用聚合物與超細水泥復合而成的灌漿材料，具有可灌性好、凝結(jié)時間可調(diào)、漿液結(jié)石強度高等優(yōu)點。本發(fā)明在破碎松散地層固結(jié)、地基改良、建筑物基礎加固等領域具有廣泛的應用前景。市場前景分析：軌道交通基礎設施建設領域。與同類成果相比的優(yōu)勢分析：技術先進，性價比較高。

一種超雙親多孔膜材料及其制備方法和應用，步驟如下：（1）室溫下，先將碳納米管粉體和表面活性劑分散于水中，形成均一混合溶液；（2）向上述混合溶液中加入水性三聚氰胺甲醛樹脂溶液，混勻制得所需反應液；（3）將上述反應液刷涂或噴涂在干凈的多孔基材上，80~120℃干燥固化10~30min，即可制得超雙親油水分離用多孔膜材料。本發(fā)明所述的多孔膜材料既保持了原有泡沫銅基底良好的機械性能，同時又具有很好的超雙親性，即可截留水讓油通過，也可截留油讓水通過，從而具有雙重分離效果。

青島科技大學先進電工材料研究院是學校從事高壓絕緣與電工材料科研機構(gòu)，由我國著名電氣絕緣專家、中國工程院院士雷清泉教授擔任院長。研究院是山東省高壓絕緣與電工材料專業(yè)委員會掛靠單位，現(xiàn)有教職員工20余人，中國工程院院士1人、山東省專業(yè)技術拔尖人才1人、泰山學者青年專家1人;教授3人，副教授5人。目前圍繞電力和能源形成了以下幾個特色研究方向:高壓直流電纜材料研發(fā)及應用、高壓直流電纜附件硅橡膠材料研發(fā)及應用、特高壓設備環(huán)氧樹脂材料開發(fā)及應用、動車組車頂高壓設備絕緣關鍵技術及應用、極端環(huán)境下絕緣材料與絕緣技術。先進電工材料研究院具備開展電工絕緣材料性能測試和研究的先進實驗平臺，擁有介電阻抗--熱激電流綜合分析儀、C3型固體介質(zhì)空間電荷測試系統(tǒng)、真空沿面閃絡測試系統(tǒng)、交/直流擊穿測試系統(tǒng)、表面電位衰減測試系統(tǒng)、電流變儀、掃描電鏡、真空型紅外光譜儀等大型儀器，科研儀器設備總值1200萬元。建有材料制備與化學合成、材料加工、電氣性能測試、微觀結(jié)構(gòu)表征等專業(yè)實驗室，處于國內(nèi)電工材料領域研究先進水平。近幾年團隊圍繞制約超/特高壓設備發(fā)展的絕緣材料卡脖子問題，不斷加強與全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院、南方電網(wǎng)科研院、山東電科院、浙江電科院，以及特變電工、中天科技等一線科研院所和制造企業(yè)的交流和合作，在高壓直流電纜絕緣材料、半導電屏蔽材料、高壓電纜附件硅橡膠材料和新型電工絕緣材料等方面取得了突破性進展。基于團隊前期電工絕緣材料的研究基礎和研究特色，本次擬在特高壓設備用增強型環(huán)氧樹脂體系開發(fā)及應用關鍵技術（96)、特高壓絕緣子用特種硅橡膠材料開發(fā)及應用技術（98）兩個方面開展產(chǎn)學研合作。技術分析(1）高壓直流電纜絕緣料及半導電屏蔽材料開發(fā)及評價方法:團隊針對高壓直流電纜電荷積聚問題，突破對其傳統(tǒng)認識，于2017年首次提出半導電屏蔽層電荷發(fā)射評價方法。近兩年申請國際/國家專利10余項，其中國際發(fā)明專利3項（獲“青島市PCT專利創(chuàng)造資助資金”資助)。該成果對于不斷發(fā)展和深入研究半導電屏蔽料具有重要的科學意義和工程價值，可為我國絕緣料、半導電屏蔽料的性能提升和國產(chǎn)化提供理論指導。(2）高壓電纜附件硅橡膠材料配方研究及評價方法:與全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院合作開展土500 kV柔性高壓直流電纜附件制備關鍵技術研究，研究了500 kV高壓直流電纜附件硅橡膠材料的配方，以及硅橡膠與電纜主絕緣的界面匹配特性;建立了基于矩形圖法的雙層絕緣介質(zhì)界面電荷評估方法。該成果用于指導500 kV柔性高壓直流電纜附件材料選型及界面電荷評估。(3）新型電工絕緣材料研究:雷清泉教授于2017年在國際上首次提出了一種新型超電絕緣體結(jié)構(gòu)原型——維氧化鋁納元胞，研究成果發(fā)表在納米能源材料領域的頂尖學術刊物NanoEnergy 上。該成果對傳統(tǒng)電介質(zhì)擊穿理論、材料結(jié)構(gòu)形態(tài)研究及制造工藝將會產(chǎn)生根本性變革，對現(xiàn)代高端電纜制造及特/超高壓輸變電領域具有重要的意義和潛在的應用價值。(4）高導熱絕緣環(huán)氧樹脂材料研究。研究院郝春成教授開展了高導熱絕緣環(huán)氧樹脂研究，通過改性提高環(huán)氧樹脂的耐擊穿電壓、導熱性能，改善了力學性能，可用于特高壓設備絕緣體系。

本發(fā)明公開了一種丙烯酸鎂-超細水泥雙液復合灌漿材料。灌漿材料主料分為A、B組分，其中A組分的成分及重量配比為：超細水泥：水：活性氧化鎂：粉劑萘系高效減水劑：硅粉=100：50-100：0-5：0.5-1.5：2-5，B組分的成分及重量配比為濃度為36%-40%的丙烯酸鎂溶液：氯化鈣：三乙醇胺：過硫酸鈉=10-30：0.5-3：0.1-0.5:0.01-0.05。本發(fā)明是采用聚合物與超細水泥復合而成的灌漿材料，具有可灌性好、凝結(jié)時間可調(diào)、漿液結(jié)石強度高等優(yōu)點。本發(fā)明在破碎松散地層固結(jié)、地基改良、建筑物基礎加固等領域具有廣泛的應用前景。

本成果將超分子化學與納米化學進行有機地結(jié)合，采用冠醚、環(huán)糊精、杯芳烴等超分子主體化合物與與多種納米材料相結(jié)合，制備了一種新型的吸附劑，并應用于剛果紅染料的吸附、 解吸； 制得新型的具有捕獲分子功能的 β-環(huán)糊精/聚乙烯醇納米纖維膜（β-CD/PVAnfm）。

本發(fā)明公開了一種基于超材料的遠紅外單譜信號探測器，包括·798·自下而上依次設置的襯底層、N 型砷化鎵層、二氧化硅層與超材料層、歐姆電極和肖特基電極。超材料層為具有周期性微納米結(jié)構(gòu)的金屬開環(huán)共振單元陣列，所述金屬開環(huán)共振單元陣列包含了一種圖形及其特征尺寸參數(shù)，該圖形對于遠紅外電磁波具有完全吸收特性，通過改變金屬開環(huán)共振單元的結(jié)構(gòu)和尺寸參數(shù)可以調(diào)控對應的電磁波吸收頻段，通過改變 N 型砷化鎵的耗盡層寬度可

本發(fā)明公開了一種基于超材料的太赫茲單譜信號探測器，包括自下而上依次設置的襯底層、N 型砷化鎵層、二氧化硅層與超材料層、歐姆電極和肖特基電極；其中超材料層為具有周期性微納米結(jié)構(gòu)的金屬開環(huán)共振單元陣列，金屬開環(huán)共振單元陣列包含了一種圖形及其特征尺寸參數(shù)，該圖形對于太赫茲電磁波具有完全吸收特性，通過改變金屬開環(huán)共振單元的結(jié)構(gòu)和尺寸參數(shù)可以調(diào)控對應的電磁波吸收頻段，通過改變 N 型砷化鎵的耗盡層寬度可以調(diào)控超材料層中金屬開環(huán)