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該綜述系統(tǒng)地總結(jié)了負(fù)泊松比材料的最新研究進(jìn)展，分析了應(yīng)變，微觀結(jié)構(gòu)等調(diào)控材料泊松比的方法。最后闡述了各種功能材料中多種負(fù)系數(shù)特性（負(fù)泊松比，負(fù)熱膨脹以及負(fù)壓縮性）以及它們之間可能的共存現(xiàn)象，并提出了負(fù)泊松比材料的潛在研究方向和調(diào)控泊松比的新方法。    作為基本的彈性變量，泊松比（Poisson’s ratio）定義為在垂直與加載方向與加載方向之間的形變量比值。它表征了材料在載荷作用下發(fā)生形狀畸變或者體積變形之間的競爭，為衡量材料受力下的彈性形變提供了最基本的度量標(biāo)準(zhǔn)，并在材料和力學(xué)等領(lǐng)域得到廣泛的應(yīng)用。? 綜述了負(fù)泊松比材料的研究進(jìn)展,包括負(fù)泊松比材料理論研究、天然和人工制備，特別是當(dāng)前各類熱門材料（包括生物材料，有機(jī)大分子材料，3-D打印材料，金屬有機(jī)骨架材料和碳納米管、黑磷以及諸多電子氧化物外延薄膜等低維材料）的負(fù)泊松比現(xiàn)象。分析了負(fù)泊松比材料所具備的幾何/內(nèi)在晶體結(jié)構(gòu)，確定材料結(jié)構(gòu)-負(fù)泊松比特性之間的關(guān)系。探索泊松比隨材料結(jié)構(gòu)和外界環(huán)境（溫度和壓強(qiáng)）的可變性，通過比較各類調(diào)控方式，尋找負(fù)泊松比材料，并對未來負(fù)泊松比材料的力學(xué)性能研究及應(yīng)用進(jìn)行了展望。

通過對燒結(jié)鈷鐵氧體進(jìn)行熱等靜壓燒結(jié)，得到鈷鐵氧體陶瓷材料的樣品內(nèi)部孔隙大大減少，致密度大于 99％；平行方向磁致伸縮系數(shù)絕對值大于 150ppm；磁致伸縮激勵(lì)場低于 2000Oe。對鈷鐵氧體磁致伸縮材料進(jìn)行熱等靜壓處理促進(jìn)了其在低場高頻磁致伸縮領(lǐng)域的應(yīng)用。通過凝膠注模、磁場取向及常壓燒結(jié)及熱處里工藝，得到的鈷鐵氧體磁致伸縮材料<100>方向取向度大于 40％，致密度大于 99％，垂直取向方向磁致伸縮系數(shù)絕對值大于 300ppm，對應(yīng)的激勵(lì)場低于 2000Oe。

研究發(fā)現(xiàn)具有層狀結(jié)構(gòu)的SnSe的二維界面對聲子具有強(qiáng)烈的散射作用 (圖1左)，使得SnSe沿著層間方向具有很低的熱導(dǎo)率，在773K溫度下可達(dá)最小理論值 ~ 0.18 W/mK。尋找低熱導(dǎo)率材料和降低熱導(dǎo)率是熱電領(lǐng)域長期以來提高熱電優(yōu)值ZT的有效途徑。在聚焦SnSe層間低熱導(dǎo)率的基礎(chǔ)上，如能在此方向上實(shí)現(xiàn)高的電傳輸性能，則可實(shí)現(xiàn)高的熱電性能。通過簡化由 Wiedemann-Franz和Pisarenko關(guān)系決定的載流子濃度對ZT值的束縛后，ZT值關(guān)系可簡化為: ，可見提高層間電傳輸性能需同時(shí)優(yōu)化載流子遷移率 (m) 和有效質(zhì)量 (m)。 由于SnSe材料在800K溫度點(diǎn)存在一個(gè)從Pnma到Cmcm的相變，經(jīng)過同步輻射和變溫TEM實(shí)驗(yàn)測試發(fā)現(xiàn)該相變從600K便開始持續(xù)發(fā)生。利用該持續(xù)相變特性，通過調(diào)整電子摻雜濃度可將輕導(dǎo)帶和重導(dǎo)帶之間經(jīng)歷一個(gè)簡并收斂 (增加有效質(zhì)量和減小遷移率) 和退簡并收斂 (減小有效質(zhì)量和增加遷移率) 的過程。利用這一過程，恰好優(yōu)化了遷移率和有效質(zhì)量的乘積 (mm) (圖1中)，使得SnSe在整個(gè)溫度范圍內(nèi)都保持較高的電傳輸性能。通過對比電子和空穴摻雜的n型和p型SnSe材料發(fā)現(xiàn)，通過電子摻雜后Sn和Se的p軌道在導(dǎo)帶底會產(chǎn)生電子離域交疊雜化（而在價(jià)帶頂則不存在這一現(xiàn)象），使得n型SnSe的電荷密度增大到足以填滿層間空隙，實(shí)現(xiàn)了層間電子的隧穿? 本征的SnSe的層狀結(jié)構(gòu)就像一堵墻，可以同時(shí)阻礙聲子和載流子 (電子和空穴) 的傳輸。但通過重電子摻雜后，導(dǎo)帶底的電子離域雜化現(xiàn)象增大了電荷密度，在墻內(nèi)和墻之間只為電子量身定制了一條傳輸?shù)乃淼?，如圖2所示。在大電荷密度的基礎(chǔ)上，加之連續(xù)相變引起的能帶結(jié)構(gòu)變化和晶體對稱性的提高三個(gè)主要因素使得SnSe在層間方向表現(xiàn)出優(yōu)異的電傳輸性能，當(dāng)溫度高于700K時(shí)，在SnSe的層間方向產(chǎn)生了比層內(nèi)更優(yōu)異的“三維電荷”傳輸效應(yīng)。這種 “二維聲子/三維電荷” 傳輸特點(diǎn)大幅提高了n型SnSe的熱電性能。

化石能源(煤、石油、天然氣等)有限的儲量及不可再生性，已無法滿足人類的能源需求。同時(shí)，化石能源大規(guī)模使用產(chǎn)生大量的CO2、SO2、NOx等溫室或有害氣體，對生態(tài)環(huán)境造成了嚴(yán)重的負(fù)面影響。氫是地球上儲量最豐富的元素，具有最高的單位質(zhì)量能量密度(143.0 kJ/g)，且燃燒產(chǎn)物只有水，右圖是一種十分理想的清潔能源載體。下圖是理想的氫循環(huán)系統(tǒng)，其利用太陽能電解水制取氫氣，并將氫氣可逆儲存于固態(tài)儲氫材料，按需要應(yīng)用于燃料電池中。氫氣如何高效存儲被認(rèn)為是氫能大規(guī)模應(yīng)用最需解決的首要問題。&n

通過“二維限制效應(yīng)(two-dimensional confinement, 2DC)”能夠使無催化活性的非晶態(tài)材料轉(zhuǎn)變成為高性能的光催化分解水制氫材料即二維非晶光催化劑。他們采用自己發(fā)展的“金屬氧化物納米晶LAL（laser ablation in liquids, LAL）非晶化”技術(shù)，在純水中將Ni納米晶轉(zhuǎn)化為二維非晶NiO納米片，并且證實(shí)了其在不添加任何貴金屬助催化劑的情況下可以實(shí)現(xiàn)高效光

通過制備合適比例的Bi2Te3與GeTe的合金，人為地向體系中引入了大量的Ge空位缺陷，且如圖所示，運(yùn)用球差矯正電子顯微鏡的觀測技術(shù)可以清楚地觀測到這些Ge空位的前驅(qū)體空位“簇”。通過合適的熱處理優(yōu)化過程，研究人員還追蹤到此類前驅(qū)體逐步演化成van der Waals gap空位面缺陷的過程。這些面缺陷會在材料內(nèi)部誘導(dǎo)產(chǎn)生大量呈負(fù)電性的新的180度鐵電疇結(jié)構(gòu)，平衡材料內(nèi)由載流子濃度過高導(dǎo)致的過剩的正電性，最終達(dá)到優(yōu)化材料性能的目的。最終，該項(xiàng)工作使得GeTe基熱電材料的總體性能大幅提升，在溫度達(dá)到773K時(shí)，該體系熱電材料優(yōu)值ZT達(dá)到了2.4，相比于優(yōu)化前，提升了60%；在323~773K較寬的工作溫度區(qū)間內(nèi)，材料的平均ZT高達(dá)1.28，相比于優(yōu)化前整整提升了一倍，達(dá)到了中溫區(qū)熱電材料在商業(yè)應(yīng)用中對性能的需求，使其成為中溫區(qū)優(yōu)良的候選材料。

目前p和n型PbTe材料都擁有了非常高的熱電優(yōu)值。然而，PbTe材料的機(jī)械性能差，遠(yuǎn)低于其他主流的熱電材料。比如，PbTe材料的洛氏硬度和抗沖擊韌性分別只有39 kgmm-2和0.35 MPam1/2，遠(yuǎn)低于Bi2Te3的。這一矛盾非常不利于PbTe材料的實(shí)際應(yīng)用。何佳清團(tuán)隊(duì)之前在n型PbTe材料中加入單質(zhì)Sb，得到PbTe-3%Sb復(fù)合材料，顯著提高了熱電性能 (Energy and Environmental Science, 2017,10,2030)。本文在之前工作的基礎(chǔ)上，進(jìn)一步采用了固溶PbS的方法，將n型PbTe-3%Sb材料的硬度提高了60%，而其熱電優(yōu)值僅僅降低了6%。這一結(jié)果使PbTe材料擺脫了當(dāng)前的窘境。研究發(fā)現(xiàn)固溶PbS（<12.5%）雖然對彈性性質(zhì)如彈性模量等參數(shù)影響很小，卻可以引入大量的點(diǎn)缺陷和位錯(cuò)網(wǎng)。因此硬度的增強(qiáng)主要是由于缺陷對位錯(cuò)運(yùn)動的阻礙，而非化學(xué)鍵的強(qiáng)化作用。之前的觀點(diǎn)認(rèn)為是固溶PbS之后，PbTe材料內(nèi)部的成分波動（團(tuán)簇）造成了硬度顯著增強(qiáng)。該團(tuán)隊(duì)的發(fā)現(xiàn)從一個(gè)新的視角解釋了PbTe-PbS合金體系硬度的強(qiáng)化。

產(chǎn)品詳細(xì)介紹可根據(jù)用戶要求生產(chǎn)窄帶微波復(fù)合吸收體，其中三公分，五公分，十公分頻段最佳厚度分別為：1.8mm，2.0mm，3.0mm。廣泛用于微波技術(shù)、雷達(dá)、導(dǎo)航、航天技術(shù)、電子對抗中作吸收屏蔽、消振、“隱身”抗干擾等用途。