通過制備合適比例的Bi2Te3與GeTe的合金，人為地向體系中引入了大量的Ge空位缺陷，且如圖所示，運用球差矯正電子顯微鏡的觀測技術可以清楚地觀測到這些Ge空位的前驅體空位“簇”。通過合適的熱處理優化過程，研究人員還追蹤到此類前驅體逐步演化成van der Waals gap空位面缺陷的過程。這些面缺陷會在材料內部誘導產生大量呈負電性的新的180度鐵電疇結構，平衡材料內由載流子濃度過高導致的過剩的正電性，最終達到優化材料性能的目的。最終，該項工作使得GeTe基熱電材料的總體性能大幅提升，在溫度達到773K時，該體系熱電材料優值ZT達到了2.4，相比于優化前，提升了60%；在323~773K較寬的工作溫度區間內，材料的平均ZT高達1.28，相比于優化前整整提升了一倍，達到了中溫區熱電材料在商業應用中對性能的需求，使其成為中溫區優良的候選材料。