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本發(fā)明公開了一種廣譜成像探測(cè)芯片。包括熱輻射結(jié)構(gòu)和光敏陣列。廣譜入射光波進(jìn)入熱輻射結(jié)構(gòu)后，在納尖表面激勵(lì)產(chǎn)生等離激元，驅(qū)動(dòng)圖形化金屬膜中的自由電子向納尖產(chǎn)生振蕩性集聚，納尖收集的自由電子與等離激元驅(qū)控下涌入的自由電子相疊合，產(chǎn)生壓縮性脈動(dòng)，使電子急劇升溫并向周圍空域發(fā)射主要成分為可見光的熱電磁輻射，光敏陣列將熱電磁輻射轉(zhuǎn)換為電信號(hào)，經(jīng)預(yù)處理后得到電子圖像數(shù)據(jù)并輸出。本發(fā)明能將廣譜入射光波基于壓縮在納空間中的高溫

本發(fā)明公開了一種多頂針芯片剝離裝置，包括多頂針主體機(jī)構(gòu)， 安裝于 Z 向升降機(jī)構(gòu)上并連接旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)，其包括中心頂針和外圈 頂針，外圈頂針先接觸藍(lán)膜上芯片的外緣實(shí)現(xiàn)預(yù)頂松，然后中心頂針 上升至外圈頂針等高并協(xié)作頂起芯片，完成芯片剝離；旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)， 連接多頂針主體機(jī)構(gòu)，用于先后驅(qū)動(dòng)外圈頂針和中心頂針上升以完成 芯片頂起動(dòng)作；Z 向升降機(jī)構(gòu)，安裝于三自由度微調(diào)對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)上，停 機(jī)狀態(tài)時(shí)其處于下降位置，工作狀態(tài)其處于抬升位置，為頂起芯片做 好準(zhǔn)備；三自由度微調(diào)對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)，用于對(duì)多頂針主體機(jī)構(gòu)進(jìn)行 X、Y 和 Z 向的微調(diào)。本發(fā)明可實(shí)現(xiàn)頂針的快捷更換以及各頂針高度的方便 調(diào)節(jié)，芯片受力均勻，有效減少剝離過程中的芯片失效。 

本發(fā)明公開了一種超薄芯片的制備方法，具體為：首先在硅晶圓表面光刻形成掩膜以暴露出需要減薄的區(qū)域，再采用刻蝕工藝對(duì)硅晶圓進(jìn)行局部減薄，對(duì)減薄后的區(qū)域進(jìn)行芯片后續(xù)工藝處理得到芯片，最后將芯片與硅晶圓分離。本發(fā)明只是部分減薄了硅片，所以硅晶圓的機(jī)械強(qiáng)度仍然可以支持硅片進(jìn)行后續(xù)的加工工藝，相對(duì)于傳統(tǒng)的利用支撐基底來減薄芯片的方法，簡(jiǎn)化了工藝流程，降低了工藝成本。另外由于不需要用機(jī)械研磨工藝來進(jìn)行減薄，所以不會(huì)因?yàn)闄C(jī)械研磨對(duì)硅晶圓造成的輕微震動(dòng)而使厚度不能減得過小，通過本發(fā)明可以使芯片減薄到比機(jī)械研磨方法更薄的程度。

成果與項(xiàng)目的背景及主要用途： RFID是射頻識(shí)別技術(shù)的英文(Radio FrequencyIdentification)的縮寫，射頻識(shí)別技術(shù)是 20 世紀(jì) 90 年代開始興起的一種自動(dòng)識(shí)別技術(shù)，射頻識(shí)別技術(shù)是一項(xiàng)利用射頻信號(hào)通過空間耦合(交變磁場(chǎng)或電磁場(chǎng))實(shí)現(xiàn)無接觸信息傳遞并通過所傳遞的信息達(dá)到識(shí)別目的的技術(shù)。RFID 系統(tǒng)通過射頻信號(hào)自動(dòng)識(shí)別目標(biāo)對(duì)象并獲取相關(guān)數(shù)據(jù)，識(shí)別工作無須人工干預(yù)。作為條形碼的無線版本，RFID 技術(shù)具有條形碼所不具備的防水、防磁、耐高溫、使用壽命長(zhǎng)、讀取距離大、標(biāo)簽上數(shù)據(jù)可以加密、存儲(chǔ)數(shù)據(jù)容量更大、存儲(chǔ)信息更改自如等優(yōu)點(diǎn)，已經(jīng)被世界公認(rèn)為本世紀(jì)十大重要技術(shù)之一，在生產(chǎn)、零售、物流、交通等各個(gè)行業(yè)等各個(gè)行業(yè)有著廣闊的應(yīng)用前景。 本項(xiàng)目主要研發(fā)了基于 ISO18000-6B 協(xié)議的無源電子標(biāo)簽芯片，其可用于物流，貨品識(shí)別，高速公路收費(fèi)等諸多領(lǐng)域，是目前國(guó)內(nèi)外射頻電路研究領(lǐng)域的熱點(diǎn)。 技術(shù)原理與工藝流程簡(jiǎn)介：UHF 頻段的無源電子標(biāo)簽工作原理如下：通過標(biāo)簽上外置的偶極子天線接收讀卡器發(fā)送的載波信號(hào)，并將其轉(zhuǎn)換為直流信號(hào)，為整個(gè)芯片供電；同時(shí)片上的解調(diào)模塊解調(diào)出經(jīng)調(diào)制的載波信號(hào)所攜帶的數(shù)據(jù)信息，并傳遞給片上的基帶部分加以處理；基帶部分連同 EEPROM 部分一起完成數(shù)據(jù)的讀寫和控制功能，再由調(diào)制模塊以反向發(fā)射的形式將上行信號(hào)返回給讀卡器完成一次通信。 本設(shè)計(jì)的工藝流程是基于 Chartered 0.35um EEPROM 數(shù)字工藝，從芯片設(shè)計(jì)、仿真、版圖驗(yàn)證。最終通過代工廠完成芯片制作。技術(shù)水平及專利與獲獎(jiǎng)情況：根據(jù)測(cè)試結(jié)構(gòu)表明，各項(xiàng)指標(biāo)都達(dá)到了商用需求，在國(guó)內(nèi)屬領(lǐng)先水平。該項(xiàng)成果已獲得國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局頒發(fā)的集成電路布圖登記證書。BS.06500285.7 應(yīng)用前景分析及效益預(yù)測(cè)：目前國(guó)內(nèi)的 UHF 頻段的 RFID 產(chǎn)品正處于高速成長(zhǎng)期，需求量快速增長(zhǎng)，但大多數(shù)核心技術(shù)需要依賴進(jìn)口。如果本項(xiàng)目能夠?qū)崿F(xiàn)技術(shù)轉(zhuǎn)產(chǎn)，可以預(yù)計(jì)的前景和經(jīng)濟(jì)效益是相當(dāng)可觀的。有了自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的 UHF頻段電子標(biāo)簽，在很多領(lǐng)域都可以加以移植，取代進(jìn)口產(chǎn)品不但可以大大節(jié)省開支，同時(shí)也可以實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的自我定制及更新，最大程度的方便了國(guó)內(nèi)用戶的應(yīng)用。 應(yīng)用領(lǐng)域：貨品跟蹤和識(shí)別（代替條形碼）、高速移動(dòng)物體的識(shí)別、防偽認(rèn)證以及電子支付等領(lǐng)域都會(huì)有廣泛的應(yīng)用。 技術(shù)轉(zhuǎn)化條件（包括：原料、設(shè)備、廠房面積的要求及投資規(guī)模）：四十平方米以上的辦公用房，電腦、工作站若干，相應(yīng)軟件。也可以和 RFID天線制造單位，卡片封裝單位共同合作，將成果轉(zhuǎn)產(chǎn)。 合作方式及條件：面談。

本成果開發(fā)了一套超結(jié)MOSFET器件的設(shè)計(jì)方法，并與上海華虹NEC(現(xiàn)上海華虹宏力)公司合作建立了基于深槽填充工藝的600~900 V級(jí)8英寸超結(jié)MOSFET工藝代工平臺(tái)，這是國(guó)內(nèi)第一個(gè)量產(chǎn)的超結(jié)工藝平臺(tái)。所制備的超結(jié)MOSFET擊穿電壓最高可達(dá)900V，比導(dǎo)通電阻低至5.3Ω.mm2（900V器件）。該成果作為重要組成部分獲得了2016年四川省科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)（“功率高壓MOS器件關(guān)鍵技術(shù)與應(yīng)用”張波、喬明、任敏 等）。

1.項(xiàng)目簡(jiǎn)介：《用超細(xì)APT制備納米鎢粉的研究》由我校余世鑫教授主持與江西省崇義章源鎢制品有限公司聯(lián)合研究，并由該公司工業(yè)試生產(chǎn)成功。該項(xiàng)目經(jīng)過課題組人員的共同努力和卓有成效的研究，取得了重大突破。2003年11月28日江西省科技廳組織專家鑒定組對(duì)該項(xiàng)目進(jìn)行了鑒定。2.技術(shù)特點(diǎn)：本項(xiàng)目采用精細(xì)化工技術(shù)，依據(jù)相轉(zhuǎn)移合成法的原理，采用獨(dú)特的離子交換高峰液的處理技術(shù)、固液分離技術(shù)和結(jié)晶晶形控制技術(shù)，生產(chǎn)出超細(xì)顆粒仲鎢酸銨(APT，費(fèi)氏粒度 1～10μm)。然后在通用的回轉(zhuǎn)管爐煅燒和四管爐還原，采用露點(diǎn)-70℃的高純氫氣和粉末鈍化技術(shù)，制得納米鎢粉。其生產(chǎn)表明，與等離子法、流態(tài)化還原法等相比，采用該技術(shù)生產(chǎn)納米鎢粉具有設(shè)備投資少、成本低、規(guī)模生產(chǎn)易控制、重現(xiàn)性好的特點(diǎn)。易于實(shí)現(xiàn)工業(yè)化生產(chǎn)。該項(xiàng)目采用的工藝技術(shù)獨(dú)特、新穎、可行，屬國(guó)內(nèi)首創(chuàng)。

基于“介電體超晶格”制備技術(shù)，開發(fā)了一套適合量產(chǎn)的超晶格材料制備工藝。超晶格材料在激光非線性波長(zhǎng)變換、量子糾纏源產(chǎn)生、聲學(xué)濾波換能等領(lǐng)域有重要應(yīng)用。以超晶格材料為核心材料，開發(fā)出紅光、綠光、藍(lán)光、準(zhǔn)白光、鈉黃光、皮秒鎖模以及中紅外等多種新型激光器。

為了滿足超三代移動(dòng)通信技術(shù)B3G項(xiàng)目對(duì)高速背板傳輸?shù)男枨螅?004年10月東南大學(xué)與深圳華為技術(shù)有限公司中央硬件部開展合作，共同研制了符合PICMG3.0國(guó)際規(guī)范的AdvancedTCA全網(wǎng)格標(biāo)準(zhǔn)機(jī)箱與背板，實(shí)現(xiàn)了超過3.125Gbps的雙向傳輸速率。

近年來，超材料雖然取得了長(zhǎng)足發(fā)展，但仍存在一些瓶頸問題：1)基于等效媒質(zhì)超材料的新物理現(xiàn)象和新應(yīng)用需要挖掘；2) SPP超材料一直是物理學(xué)家的領(lǐng)地，以驗(yàn)證新物理現(xiàn)象為主；3) 超材料對(duì)電磁波的凋控大多是靜態(tài)的，一旦制備成型其功能即被㈣化，+能實(shí)時(shí)地調(diào)控電磁波。為解決上述問題，該項(xiàng)對(duì)微波超材料進(jìn)行了系統(tǒng)性研究。 在等效媒質(zhì)超材料方而，提出并制備了柱坐標(biāo)系下各向異性零折射率超材料，突破了h然界域小輻射單元（電偶極子和磁偶極子）雙定向輻射的限制，實(shí)現(xiàn)了完美的電磁波全向輻射及高效空間功率合成。提出?種三頻段超材料完美吸波器，可在三個(gè)設(shè)計(jì)頻段實(shí)現(xiàn)電磁波在大角度范圍內(nèi)、 對(duì)極化不敏感的近乎完美吸收。基于變換光學(xué)原理，提出一種低損耗電磁幻覺器件，可按照需求有0的地操控0標(biāo)對(duì)電磁波的雷達(dá)散射特征。提出并制備了寬帶、低損耗的全介質(zhì)超材料放人透鏡，打破衍射極限的限制，實(shí)現(xiàn)了超分辨率的微波成像。該研究促進(jìn)了等效媒質(zhì)超材料的發(fā)展。

研究小組首先利用激光分子束外延技術(shù)生長(zhǎng)了具有原子級(jí)別平整度的反鐵磁Cr2O3薄膜，是電荷的絕緣體。采用非局域自旋輸運(yùn)的技術(shù)，用熱方法在鉑電極和Cr2O3薄膜界面注入自旋流、產(chǎn)生自旋壓，在另外一個(gè)鉑電極處利用鉑的自旋霍爾效應(yīng)測(cè)量自旋流的輸運(yùn)（圖A）。實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)顯示在低溫下自旋輸信號(hào)出現(xiàn)飽和現(xiàn)象，對(duì)應(yīng)著自旋導(dǎo)的飽和，也就是零自旋阻效應(yīng)；即自旋超流基態(tài)的最重要基本性質(zhì)之一（圖B）。在此基礎(chǔ)上，該研究小組又系統(tǒng)研究了不同自旋輸運(yùn)距離下自旋超流的輸運(yùn)現(xiàn)象，證明了自旋在該自旋超流基態(tài)可以進(jìn)行長(zhǎng)距離的輸運(yùn)，并且其隨輸運(yùn)距離的關(guān)系與自旋超流態(tài)輸運(yùn)理論預(yù)言一致（圖C）。該工作是是自旋超導(dǎo)態(tài)領(lǐng)域研究的一項(xiàng)重大突破，勢(shì)必推動(dòng)自旋超導(dǎo)態(tài)的快速發(fā)展，為研究基于自旋玻色子的玻色愛因斯坦凝聚的基礎(chǔ)物理研究提供了實(shí)驗(yàn)平臺(tái)，并為新型量子自旋器件，如自旋流約瑟夫森結(jié)等，奠定了實(shí)驗(yàn)基礎(chǔ)。圖：自旋超流基態(tài)的重要實(shí)驗(yàn)證據(jù)。（A）非局域自旋輸運(yùn)測(cè)量示意圖。用熱方法在左邊鉑電極和Cr2O3薄膜界面注入自旋流，在右邊鉑電極處利用鉑的自旋霍爾效應(yīng)測(cè)量自旋流的輸運(yùn)。（B）自低溫下自旋輸信號(hào)出現(xiàn)飽和現(xiàn)象，反映出自旋超流基態(tài)的零自旋阻效應(yīng)。（C）自旋信號(hào)隨其隨輸運(yùn)距離的關(guān)系與自旋超流態(tài)輸運(yùn)理論預(yù)言一致。