网上赌博游戏犯法吗-哪里网上赌博合法_网上百家乐游戏玩法_全讯网600cc (中国)·官方网站

|
電子科技大學
電子科技大學 教育部
  • 34 高校采購信息
  • 524 科技成果項目
  • 74 創新創業項目
  • 0 高校項目需求

超結MOSFET設計及制造技術

2021-04-10 00:00:00
云上高博會 http://www.6gsl1hl.xyz
關鍵詞： 超結工藝
點擊收藏
所屬領域:
電子信息
項目成果/簡介:
本成果開發了一套超結MOSFET器件的設計方法，并與上海華虹NEC(現上海華虹宏力)公司合作建立了基于深槽填充工藝的600~900 V級8英寸超結MOSFET工藝代工平臺，這是國內第一個量產的超結工藝平臺。所制備的超結MOSFET擊穿電壓最高可達900V，比導通電阻低至5.3Ω.mm2（900V器件）。該成果作為重要組成部分獲得了2016年四川省科技進步一等獎（“功率高壓MOS器件關鍵技術與應用”張波、喬明、任敏 等）。
項目階段:
產業化應用
會員登錄可查看 合作方式、專利情況及聯系方式

掃碼關注，查看更多科技成果

取消
大中华百家乐官网的玩法技巧和规则| 百家乐官网双龙出海| 最新娱乐城注册送体验金| 山阳县| 澳门档百家乐的玩法技巧和规则| 必博国际| 百家乐官网3珠路法| 申请百家乐官网会员送彩金| 做生意风水摆件| 百家乐路单怎样| 百家乐官网真人游戏赌场娱乐网规则 | 百乐坊娱乐城官网| 百家乐官网秘籍下注法| 缅甸百家乐赌场娱乐网规则| 金宝博188滚球| 环球百家乐官网的玩法技巧和规则 | 大发888登录| 大发888易付168| 九州百家乐官网的玩法技巧和规则| 澳门百家乐单注下注| 百家乐官网怎么稳赚| 赌博百家乐技巧| 金贊娱乐城| 百家乐官网号游戏机| 乐至县| 缅甸百家乐赌城| 真人百家乐官网视频赌博| 大发888亚洲游戏在线| 玩百家乐技巧看路| 百家乐官网赌博策略论坛| 18皇宝| 百家乐平点| 永利高百家乐会员| 鸿博| 六合彩百家乐有什么平码| 百家乐官网新注册送彩金| 财神真人娱乐城| 大发888游戏客户端下载| 百家乐论坛代理合作| 博E百百家乐官网的玩法技巧和规则 | 云顶国际|