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本發明公開了一種由納米聚合物中空粒子組成的多孔防反射薄膜的制備方法。它的步驟如下：1)將納米聚合物膠囊配制成質量百分比濃度為3～7％的水分散液，通過勻膠機在基材表面進行單面或雙面旋涂，形成含納米聚合物膠囊的薄膜；2)將上述含納米聚合物膠囊的薄膜經真空高溫干燥，待薄膜中納米聚合物膠囊的核心材料完全揮發后，納米聚合物膠囊變成了納米聚合物中空粒子，得到由納米聚合物中空粒子組成的多孔防反射薄膜。本發明的制備工藝簡單，通過改變納米聚合物膠囊水分散液的濃度和納米聚合物中空粒子的空腔體積分率可方便有效的調節多孔防反射薄膜的厚度和折光指數，且所制備的多孔防反射薄膜具有較高的機械強度和耐摩擦性能。

本發明提供了一種在超細鎢絲表面電沉積鋁鎂合金薄膜的方法。該方法克服了在有機溶劑、離子液體體系中電沉積鋁鎂合金薄膜存在鍍液體系不穩定，原料成本高昂，鍍液配置不易，使用壽命較短，制得的鋁鎂合金薄膜中鎂含量較低等問題。該方法在低溫無機熔鹽體系中，氯化鋁和氯化鎂作為主鹽，氯化鈉和氯化鉀作為支持電解質；以超細鎢絲作為電沉積陰極，鋁為陽極，控制電鍍溫度，電鍍時間以及電流密度，在惰性氛圍保護下進行鋁鎂合金薄膜在超細鎢絲表面的電沉積。

本項目主要涉及到一種大面積的米級碳納米管/石墨烯薄膜。本技術產品可應用于智能電發熱材料， 超輕薄防彈衣材料，電磁屏蔽膜，防火耐腐蝕衣服及涂料，手機散熱材料，復合結構材料等。本技術產品 具有世界最輕，最薄，超柔軟可揉搓，高導電導熱的性能，并且具有量產性強，成本低廉的優勢。在數十 個行業領域具有可革命性的替代能力。本次主要介紹該材料在短期內可迅速成果轉化的智能電加熱及散熱 方面的技術應用。 縛，真正保持了純天然的特性，使產品的質量邁上一個新臺階。 本技術成果已經工業化應用的有高純度肉桂醛、苯甲醛、苯乙酮、1-苯乙醇、藿香油、香茅油、山 蒼子油、澳洲茶樹精油等；應用領域涉及石化、化工、食品、醫藥、日化、香料等行業。產品的提純用普 通的蒸餾方法或者分子蒸餾難以達到的它能做得到，如肉桂醛≥98%、苯乙酮≥99%、苯甲醛≥99%。本 聯用技術在熱敏性物料的精細分離提純中具有十分廣闊的市場。對投資者要求：從事熱敏性組分分離的企 業，研究所及設備生產廠家。

本發明屬于薄膜制備技術領域，具體為一種制備ZnO/CuInS2核殼結構納米棒薄膜的方法和相關工藝參數。該制備方法為媒介模板轉換法。首先，采用水熱法，以硝酸鋅(Zn(NO3)2)/六次甲基四胺(HMT)水溶液為生長體系，在ITO導電玻璃上生長ZnO納米棒；然后以硫代乙酰胺(TAA)為反應試劑進行水浴，得到ZnO/ZnS核殼結構納米棒薄膜；然后，將所得樣品在硝酸銅(Cu(NO3)2)的三乙二醇(TEG)溶液中靜置一段時間得到ZnO/CuS核殼結構納米棒薄膜媒介模板；最后，將所得樣品放入氯化銦(InCl3

本發明公開了一種高取向二氧化釩薄膜的液相制備方法，屬于化學功能材料領域。該制備方法以三異丙醇氧釩為溶質制備前驅液，將所得前驅液涂于藍寶石襯底制備前驅物薄膜，最后將前驅物薄膜置于真空環境中燒制而成。本發明在液相法的基礎上，通過控制真空燒結條件制備二氧化釩薄膜，所獲得的薄膜均具有良好的生長取向，相變溫度為60°C左右，相變前后電阻率的變化在三個量級以上；且制備工藝簡單，適合大范圍推廣。

本發明公開了一種溶液法熒光粉膠薄膜涂覆方法及其在晶圓級發光二極管封裝中的應用，屬于 LED 封裝領域。其包含：S1 將熒光粉膠涂覆在 LED 晶圓片上；S2 將 LED 晶圓片置于溫度為 50℃～200℃度的溶液中；S3 待熒光粉膠形貌穩定后，將 LED 晶圓片從溶液中取出；S3 將 LED 晶圓片置于溫度在 50℃～200℃下加熱，使殘留在 LED晶圓片和熒光粉膠表面上的溶液蒸發并將熒光粉膠固化；S5 將晶圓片切割成小芯片單元。本發明方法操作簡單，成本低，可制備厚度極薄且厚度均勻度大于 0.95 的熒光粉膠薄膜，從而提高 LED 的光效、空間顏色均勻性以及產品一致性。該工藝可以廣泛的應用于晶圓級發光二極管封裝中。

電機系李琦副教授、何金良教授等在《自然·通訊》（Nature Communications）期刊上發表了題為“基于聚合物-分子半導體全有機復合材料的高溫電容薄膜”（Polymer/molecular semiconductor all-organic composites for high-temperature dielectric energy storage）的研究論文，首次研制出 200 攝氏度高效介電儲能的全有機復合薄膜。這類全有機復合介電材料在 200 攝氏度高溫條件下的介電儲能性能不僅遠超過目前最好的高溫聚合物及聚合物納米復合介電材料，并接近商業化聚合物電容薄膜室溫下性能；在大幅提升高溫介電儲能特性的同時還實現了大面積、性能均勻的薄膜制備，為實現薄膜電容器在 200 攝氏度嚴酷溫度環境下應用提供了可能。 聚合物薄膜電容器具有介電強度高、能量損耗低以及自愈性好等優點，在全球工業電容器市場占有率超過其它類型電容產品。然而，聚合物介電材料的絕緣性能對溫度極其敏感，在高溫、高電場作用下泄漏電流呈指數上升、放電效率急劇下降，最終造成電容器過熱損壞。目前主流商業薄膜電容器僅在 105 攝氏度以下工作，長期工作溫度低于 70 攝氏度。另一方面，隨著電子器件和電力、能源設備功率不斷增大以及對小型化和緊湊型功率模塊的持續追求，電子材料的工作溫度要求快速提高，薄膜電容器介電材料已成為高溫電子器件和設備的技術瓶頸。 該論文采用了一種與前期方法截然不同的技術路線——利用有機光伏中電子受體材料的強得電子能力，實現了在高溫聚合物中構筑深電荷陷阱。這種有機分子半導體型的電子受體材料具有極高的電子親和能，被廣泛應用于有機光伏中激子在異質結界面高效分離。它們可通過其表面靜電勢分布的極不均勻特性，對自由電子產生強束縛作用。通過向耐熱聚合物中摻雜極少量高電子親和能有機分子半導體制備了全有機復合高溫介電材料。這類材料在 200 攝氏度和 200kV/mm 電場條件下，電阻率比高溫聚合物提升兩個數量級以上；200 攝氏度、放電效率90%以上的能量密度是目前最好的聚合物高溫介電材料的 2.3 倍。此外，全有機復合體系解決了傳統有機-無機復合體系中高表面能粒子分散不均和引入界面缺陷等問題，在薄膜品質和規?；苽涞确矫婢哂酗@著優勢。

本成果通過有機光電器件中有機薄膜的缺陷態來揭示： 1. 有機半導體薄膜中的缺陷起源； 2. 界面能級排布或者出現的界面能級釘扎的機理； 3. 缺陷態的存在對器件中載流子傳輸的影響； 4. 使用有效的有機、無機材料摻雜來極大的提高有機半導體薄膜的電導率。從而獲得以有效、簡單的使用方法來提高有機光電器件的性能。

本發明公開了一種成分連續漸變的半導體合金薄膜及其制備方法和應用，其中該薄膜的特征有：薄膜為三元硫硒化合物合金，硒成分在 X 軸方向能夠連續漸變，在 Y 軸方向和 Z 軸方向基本不變；該成分連續漸變的半導體合金薄膜作為良好的光吸收層被用于薄膜太陽能·831·電池陣列和光電探測器。其制備方法包括：(1)選取沉積襯底；(2)準備蒸發源；(3)制備半導體合金薄膜。本發明提出的方法能夠在同一條件下沉積成分大范圍連

該成果是一種用熱絲化學氣相沉積(HWCVD)方法進行低成本的耐高溫二極管制備的技術，它采用高熔點的鎢或鉭絲作為催化分解熱絲，對通入生長腔體中的氣體進行快速分解，通過控制熱絲溫度、H2稀釋比、襯底溫度和生長氣壓等參數，可以實現不同導電類型的納米硅薄膜的沉積和相關二極管的制備，制備的納米硅薄膜大面積均勻，載流子濃度和遷移率可控性好。 該成果主要面向微電子器件制造行業，如集成電路、大功率器件、特種環境探測器和傳感器、光伏產業、發光器件等相關領域。 該成果