|
搜索
搜 索
高等教育領域數字化綜合服務平臺
一種AO一體化凈化微污染源水的反應器
本實用新型公開了一種AO一體化凈化微污染源水的反應器，包括絮凝區、A區和O區；絮凝區的頂端作為反應器的進水端，其設在反應器的中間位置；A區設在絮凝區的下方，且A區的中心位置與絮凝區連通，A區內設有攪拌裝置；O區的頂端作為反應器的出水端，其設在絮凝區的圓周外圍，且O區的下端與A區的上端非中心位置連通，O區內設有曝氣裝置。本實用新型的優點在于反應器結構緊湊，集生物反應(懸浮微生物和附著微生物)、絮凝、吸附、沉淀于一體；使用該反應器處理污染水源，可以將水源中有機物、氨氮、錳、鐵、亞硝酸鹽氮等還原性指標均高
安徽建筑大學
2021-01-12
一種測量大氣水 Raman 譜和氣溶膠熒光譜的激光雷達系統
本發明公開了一種測量大氣水 Raman 譜和氣溶膠熒光譜的激光雷達系統。該系統由發射單元、光 學接收與信號檢測單元和控制單元組成。發射單元采用種子注入的固體激光器輸出極窄線寬的 354.8nm 紫外激光并導向天頂;光學接收與信號檢測單元收集來自大氣物質的后向散射光，對 354.8nm 附近光產 生優于 15 個數量級的抑制，并以 0.8nm 的譜精度分辨與記錄 393.0-424.0nm 譜帶范圍信號光;控制單元 保障整個雷達系統有序工作。在波長 354.8nm 紫外激光輻射下，氣態、液態和固態水的振轉 Raman 譜 區依次對應 395-409nm、396-410nm 和 401-418nm 范圍。本發明可同時記錄由三相態水產生的 Raman 譜 和由氣溶膠粒子產生的熒光譜，實現對大氣水和氣溶膠等物質的同時探測。
武漢大學
2021-04-13
一種單晶石榴石厚膜的間歇式液相外延生長方法
專利內容是本發明針對背景技術存在的缺陷，提出了一種單晶石榴石厚膜的間歇式液相外延生長方法，緩解了襯底與薄膜之間的應力產生，得到的單晶石榴石厚膜可作為磁光或微波厚膜應用，該方法制得的磁光厚膜的厚度可達100µm以上。
電子科技大學
2021-02-01
一種糖基/磺化改性親和聚合物中空纖維分離膜、其制備方法及用途
本發明公開一種糖基/磺化改性親和聚合物中空纖維分離膜及其制備方法。該膜由聚合物樹脂、磺化聚合物樹脂和糖類高分子組成，在優選的原料與比例下對LDL有良好的特異性吸附作用，且具有良好的穩定性和生物相容性，可重復使用，成本低廉，有望投入大規模臨床應用。其制備方法包括以下過程:將膜用聚合物樹脂、磺化聚合物樹脂、糖類高分子、致孔劑按一定比例溶于溶劑，制成均一的紡絲制膜液，將紡絲制膜液過濾、真空脫泡后，通過浸沒沉淀相轉化法紡絲制備中空纖維成膜，然后將所制得的中空纖維膜依次在去離子水和超純水充分漂洗。本發明采用的共混溶解制備法具有操作簡便安全、原材料廉價易得等優點。
浙江大學
2021-04-11
高穩定金屬膜電阻器用磁控濺射中高阻靶材及制備技術
成果與項目的背景及主要用途： Cr-Si 中高阻膜電阻器具有精度高、噪聲低、溫度系數小、耐熱性和穩定性 好等優點，在精密電子設備和混合集成電路中大量采用。對于濺射制備電阻膜來 說，靶材是至關重要的，它制約著金屬膜電阻器的電阻率、精度、可靠性、電阻 溫度系數（Temperature Coefficient of Resistance, TCR）等性能。電阻溫度系數 (TCR)是金屬膜電阻器的一個重要性能技術指標之一，較大的 TCR 在溫度變化時 會造成電阻值漂移，從而影響電阻器的精度和穩定性。目前國內外生產的金屬膜 電阻器用高阻靶材，其性能不能滿足低 TCR（≤25ppm/℃）要求。 技術原理與工藝流程簡介： 靶材煉制工藝如下圖所示所制備的靶材(382 mm ×128 mm ×14 mm)在濺射成電阻器薄膜后, 電阻溫度 系數小(≤25 ×10-6 / ℃), 電阻值高(要求不刻槽數量級為千歐, 刻槽后數量級為 兆歐)且穩定(隨時間變化小), 因此, 在本靶材研究中, 將選擇 Cr 、Si 作為高阻 靶材的主體材料。由于 C r 、Si 熔點高, 原子移動性低, 因此由其所組成的薄膜 穩定性高。通過在金屬 C r 中引入半導體材料 Si 來提高電阻器合金膜的阻值。 C r 是很好的吸收氣體的金屬元素, 在電阻器薄膜濺射過程中, 可通過通入微量 的氧來提高薄膜的電阻率, 同時調節電阻溫度系數。 技術指標如下： 溫度沖擊實驗后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 過載實驗后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 壽命實驗后 ΔR/R ≤±1 .0 %,電阻溫度系數 TCR ≤±20 ×10-6 / ℃。 應用領域： 集成電路、電子元器件 合作方式及條件：具體面議 2 半導體微環激光器 3 基光電集成電路 4 無線網絡與應用：協作無線網絡 5 移動通信—LTE 技術
天津大學
2021-04-11
超晶格結構的納米晶Cr2N/非晶WC超硬膜及其制備方法
簡介：本發明提供一種超晶格結構的納米晶Cr2N/非晶WC超硬膜及其制備方法,屬于材料表面技術領域。本發明該超硬膜是由電弧離子鍍的納米晶體相Cr2N和磁控濺射鍍的非晶體相WC層交替沉積而成,并且,超晶格的調制周期為10～20nm,Cr2N單層和WC單層的厚度分別為8～14nm和2～6nm。本發明的優點在于:Cr2N層與WC層交替分布實現了Cr-N基膜成分多元化和結構多層化,解決了抗氧化性較強的Cr-N基膜獲得超高硬度的難題,同時非晶WC層進一步提高了Cr-N基膜的抗氧化和耐腐蝕性能,滿足不能熱處理的
安徽工業大學
2021-04-14
復極式離子膜電解槽極網自動化激光焊接成套技術裝備
北京工業大學
2021-04-14
低能耗低污染膜/生物反應器（MBR） 污水處理技術與設備
技術特點及優勢 1、對現有的用于污水處理的膜進行改性，提高膜通量，減小跨膜壓力。膜通量較現有膜提高2倍以上，跨膜壓力只有1米左右水柱。 2、突破了以往MBR膜都是與泥水直接接觸的固有形式，對MBR結構進行了改進，減少膜與污泥、胞外聚合物（EPS）等膜污染關鍵物質的接觸，可以極大緩解膜污染問題； 3 、采用的廉價耐污染膜材料，延長膜的使用壽命，降低運行成本； 4 、控制反應器微生物處于內源呼吸期，反應器中能有效建立細菌—原生動物—后生動物微生態系
哈爾濱工業大學
2021-04-14
一種燃料電池膜電極熱壓頭上表面貼片的糾偏補償方法
本發明公開了一種燃料電池膜電極熱壓頭上表面貼片的糾偏補償方法。傳統的機器視覺采圖后擺動氣缸翻轉，然后貼片，不能保證GDL 的貼裝精度，另外，由于 GDL 料盒比 GDL 本身尺寸稍大，不能保證每次真空拾取機構吸取 GDL 的中心軸線都與旋轉軸的中心軸線重合，因此翻轉后也會有誤差。本發明主要解決這兩個誤差的計算和補償方法，實現熱壓頭上表面的準確貼片。本發明基于現有的 GDL 熱壓裝備實現，首先對相機進行標定，標定兩個相機各自的像素坐標系和世界坐標系的關系，分別根據是由安裝誤差引起的貼片糾偏或者是由軸線
華中科技大學
2021-04-14
一種納米氫氧化鈷-石墨烯復合膜、其制備方法及應用
本發明公開了一種納米氫氧化鈷-石墨烯復合膜、其制備方法及 應用。所述復合膜，包括納米石墨烯底層和納米氫氧化鈷表層，所述 納米石墨烯底層厚度在 4000nm 至 6000nm 之間，所述納米氫氧化鈷表 層厚度在 50nm 至 100nm 之間，所述納米氫氧化鈷表層均勻沉積在所 述納米石墨烯底層上。其制備方法，包括以下步驟：將氧化石墨烯均 勻分散于水中，涂敷在片狀導電基底上，干燥得到納米氧化石墨烯膜； 組建三電極體系采用
華中科技大學
2021-04-14