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“培養(yǎng)基雖不是細(xì)胞培養(yǎng)中唯一重要因素，但確實(shí)是最重要的一種。” ——Wurm博士，瑞士聯(lián)邦科技學(xué)會(huì)生物工藝學(xué)教授 《Genetic Engineering News》（2005） 本公司所使用的總部研發(fā)生產(chǎn)的獨(dú)特培養(yǎng)基，克服大部分市售無(wú)血清培養(yǎng)基導(dǎo)致的細(xì)胞活性差、貼壁性差以及分泌外源蛋白的能力差等缺點(diǎn)。多層培養(yǎng)瓶的表面作為細(xì)胞生長(zhǎng)層，是由透氣不透水的聚苯乙烯制成，保證細(xì)胞得到更充分的氣體交換，獲得的細(xì)胞更健康、活力更強(qiáng)。并采用獨(dú)特的細(xì)胞生長(zhǎng)的培養(yǎng)條件，大大提高了細(xì)胞的吸附性和生長(zhǎng)速度。 目前國(guó)內(nèi)市場(chǎng)主要有無(wú)血清培養(yǎng)基和有血清培養(yǎng)基兩種。 精準(zhǔn)醫(yī)療治療中需要生物試劑，所以在使用過程中對(duì)試劑要求極其嚴(yán)格。就細(xì)胞培養(yǎng)方面中，其精準(zhǔn)源頭就是培養(yǎng)基。現(xiàn)在國(guó)內(nèi)乃至國(guó)際上所有廠家所生產(chǎn)的培養(yǎng)基都含有人血白蛋白，這就極不符合精準(zhǔn)醫(yī)療的要求。因?yàn)槿搜椎鞍资菑娜梭w血液中提取，其中所含的成分不夠明確，使用有人血白蛋白的培養(yǎng)基培養(yǎng)細(xì)胞可能會(huì)出現(xiàn)基因突變、出現(xiàn)不穩(wěn)定等一系列問題。而我公司攻克了這一點(diǎn)，總部研發(fā)生產(chǎn)的培養(yǎng)基既無(wú)血清也無(wú)動(dòng)物源蛋白，這在全球是第一家。

（專利號(hào)：ZL 201310038265.6） 簡(jiǎn)介：本發(fā)明公開一種新型多層結(jié)構(gòu)碳化硅光電導(dǎo)開關(guān)及其制備方法，屬于寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。它包括襯底，所述的襯底由釩摻雜形成的半絕緣碳化硅晶片或本征碳化硅晶片構(gòu)成，在所述襯底的硅面上有一層導(dǎo)電類型的第一摻雜層，摻雜類型為N型；所述襯底的碳面上有兩層導(dǎo)電類型的摻雜層，從內(nèi)到外依次為：第二摻雜層和第三摻雜層，所述的第二摻雜層摻雜類型為P型，所述第三摻雜層摻雜類型為N型；所述硅面一側(cè)設(shè)置有開關(guān)的陽(yáng)極

一種納米晶氮碳化鈦陶瓷超細(xì)粉的高溫碳氮化反應(yīng)制備法,以納米氧化鈦和納米碳黑為原料,工藝步驟依次為配料、混料、干燥、裝料、高溫碳氮化、球磨、過篩。此法工藝簡(jiǎn)單,成本較低,較一般碳熱還原法節(jié)約能源,容易實(shí)現(xiàn)規(guī)模化工業(yè)生產(chǎn)。通過控制反應(yīng)溫度、保溫時(shí)間、氮?dú)鈮毫?或流量)、碳鈦配比等工藝因素可以合成各種氮含量的氮碳化鈦納米晶超細(xì)粉。用此法制備的氮碳化鈦粉末為球形,分散性較好,平均粒度為100～200NM,平均晶粒度為20～50NM,純度達(dá)99%以上。

小試階段/n本發(fā)明解決六方氮化硼制備工藝復(fù)雜、生產(chǎn)周期長(zhǎng)原料毒性大和不易規(guī)模化生產(chǎn)的技術(shù)問題。本發(fā)明具有生產(chǎn)周期短、工藝簡(jiǎn)單、適宜工業(yè)化規(guī)模生產(chǎn)的特點(diǎn)，所制備的六方氮化硼粉體純度和結(jié)晶度顯著高于現(xiàn)有方法制備的六方氮化硼粉體。本發(fā)明處于待轉(zhuǎn)化階段，應(yīng)用范圍廣闊，市場(chǎng)前景可觀，預(yù)期經(jīng)濟(jì)效益優(yōu)異。

目前傳統(tǒng)消毒技術(shù)有諸多缺點(diǎn)：紫外消毒由于紫外光光譜會(huì)殺死健康細(xì)胞，對(duì)人眼和其他器官也是危險(xiǎn)的，所以其滅菌場(chǎng)所不能有人進(jìn)入，大大限制了其應(yīng)用范圍。傳統(tǒng)的二氧化鈦催化劑由于禁帶寬度3.2ev，也只能受紫外光激發(fā)有效，大大限制了其應(yīng)用；臭氧消毒易分解，其滅菌場(chǎng)所不能有人進(jìn)入，對(duì)人眼和其他器 官具有危害；酒精、84消毒劑由于揮發(fā)不具有持續(xù)消毒能力，需要經(jīng)常噴灑，另外存在著使用不當(dāng)引起的火災(zāi)、中毒等風(fēng)險(xiǎn)。 課題組研發(fā)的氮化碳g-C3N4功能復(fù)合膜制備可解決述痛點(diǎn)，該項(xiàng)技術(shù)具有可提高膜的親水性、提高膜的水通量、賦予膜光催化性能、賦予膜自清潔性能和抗菌性等特點(diǎn)。

本發(fā)明公開了一種石墨相氮化碳薄膜修飾電極的制備方法。在 保護(hù)氣氛下，首先 450℃～550℃加熱氮化碳原料 1min～6h，使得氮化 碳原料氣化后附著于耐熱載體表面，并形成氮化碳前驅(qū)體；然后 500℃～550℃加熱附著有氮化碳前驅(qū)體的耐熱載體 1min～6h，使得氮 化碳前驅(qū)體氣化并在導(dǎo)電基底表面形成厚度為 10nm～150nm 的石墨 相氮化碳薄膜，獲得所述修飾電極。本發(fā)明通過利用氣相沉積的方法 在導(dǎo)電基底表面修飾

成果介紹針對(duì)國(guó)防應(yīng)用領(lǐng)域開放架構(gòu)、服務(wù)化等應(yīng)用需求，提出了一套基于DDS的SOA實(shí)現(xiàn)方案，并基于自主研發(fā)的DDS產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了相應(yīng)的服務(wù)化集成框架，提供了在云計(jì)算環(huán)境下服務(wù)的注冊(cè)、審核、查詢、生命周期管理和動(dòng)態(tài)監(jiān)控等功能，基于DDS實(shí)現(xiàn)了高性能和多QoS支持的通信機(jī)制。基于該框架的服務(wù)可同時(shí)對(duì)外提供RPC（請(qǐng)求/應(yīng)答）接口和DDS（發(fā)布/訂閱）接口，適用于軍工領(lǐng)域廣泛而復(fù)雜的應(yīng)用場(chǎng)景。技術(shù)創(chuàng)新點(diǎn)及參數(shù)在分布式應(yīng)用系統(tǒng)中，隨著應(yīng)用規(guī)模和復(fù)雜度的不斷擴(kuò)大,傳統(tǒng)基于組件的系統(tǒng)開發(fā)模式因缺乏有效的應(yīng)用資源共享和系統(tǒng)管理途徑，導(dǎo)致應(yīng)用功能重復(fù)開發(fā)、系統(tǒng)運(yùn)維低效等問題越來(lái)越突出。基于面向服務(wù)架構(gòu)（SOA）理念的軟件實(shí)現(xiàn)技術(shù)，如Web Service等雖然具備簡(jiǎn)單性、靈活性、復(fù)用性、功能和技術(shù)解耦合等特點(diǎn)，但無(wú)法滿足軍工等特定領(lǐng)域內(nèi)分布式實(shí)時(shí)系統(tǒng)高實(shí)時(shí)性、可靠性等特殊應(yīng)用需求，對(duì)面向業(yè)務(wù)的應(yīng)用開發(fā)也缺乏支撐。針對(duì)上述問題，項(xiàng)目提出了一套基于DDS的SOA實(shí)現(xiàn)方案，并基于自主研發(fā)的DDS產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了相應(yīng)的服務(wù)化集成框架，為分布式實(shí)時(shí)應(yīng)用系統(tǒng)提供了通用的服務(wù)集成與管理的解決方案，實(shí)現(xiàn)了應(yīng)用資源的共享和重用。項(xiàng)目的主要特點(diǎn)有：? 基于SOA提出了一個(gè)通用的服務(wù)模型，抽象了基于DDS通信的服務(wù)接口，服務(wù)可同時(shí)對(duì)外提供請(qǐng)求/應(yīng)答（RPC）和發(fā)布/訂閱兩類接口。根據(jù)提出的服務(wù)模型設(shè)計(jì)了一套基于XML+IDL的服務(wù)描述語(yǔ)言，方便形式化地定義和描述服務(wù)。? 基于自主研發(fā)的DDS通信中間件系統(tǒng)，遵循OMG組織的RPC over DDS規(guī)范，在DDS發(fā)布/訂閱機(jī)制的基礎(chǔ)上提供了RPC機(jī)制，使得服務(wù)可同時(shí)對(duì)外提供RPC（請(qǐng)求/應(yīng)答）接口和DDS（發(fā)布/訂閱）接口，適用于軍工領(lǐng)域廣泛而復(fù)雜的應(yīng)用場(chǎng)景。? 該服務(wù)集成框架實(shí)現(xiàn)了SOA架構(gòu)，提供了服務(wù)的注冊(cè)、部署、查詢、激活、監(jiān)控等功能。通過增加系統(tǒng)管理員角色，在服務(wù)注冊(cè)過程增加了服務(wù)審核和權(quán)限分配環(huán)節(jié)，提高了系統(tǒng)級(jí)控制和管理能力；提出并實(shí)現(xiàn)了服務(wù)容器的概念，用于統(tǒng)一管理計(jì)算節(jié)點(diǎn)上服務(wù)的生命周期，使得系統(tǒng)既可以運(yùn)行于傳統(tǒng)的物理計(jì)算節(jié)點(diǎn)上，也可以在部署于云計(jì)算環(huán)境中的虛擬計(jì)算節(jié)點(diǎn)上；支持靈活的服務(wù)部署和動(dòng)態(tài)更新機(jī)制，通過建立服務(wù)文件目錄實(shí)現(xiàn)了多版本服務(wù)信息管理，通過服務(wù)引用（Service Reference）實(shí)現(xiàn)了對(duì)服務(wù)消費(fèi)者透明的服務(wù)動(dòng)態(tài)切換，便于服務(wù)的在線更新；通過制定標(biāo)準(zhǔn)的服務(wù)管理接口實(shí)現(xiàn)了服務(wù)運(yùn)行時(shí)監(jiān)控，此外，還提供了業(yè)務(wù)數(shù)據(jù)監(jiān)控接口，用于靈活監(jiān)控業(yè)務(wù)相關(guān)狀態(tài)。? 服務(wù)集成框架還提供了統(tǒng)一的信息模型管理維護(hù)功能，并實(shí)現(xiàn)了從IDL編譯器到服務(wù)編排工具的一系列開發(fā)工具，支持上層服務(wù)化應(yīng)用的快速構(gòu)建。

集成電路測(cè)試儀是用于IC生產(chǎn)線的自動(dòng)測(cè)試儀器，由電子科大自動(dòng)化學(xué)院自動(dòng)控制工程中心團(tuán)隊(duì)研制。測(cè)試儀能夠測(cè)試多種模擬集成電路、數(shù)字集成電路和數(shù)模混合電路。儀器模擬通道的最大電壓測(cè)試能力為±32V，最大電流測(cè)試能力是±2A。 集成電路測(cè)試儀能夠提供標(biāo)準(zhǔn)的TTL接口信號(hào)，可以與生產(chǎn)現(xiàn)場(chǎng)的分選設(shè)備配合使用，完成集成電路的自動(dòng)測(cè)試和分選工作，1小時(shí)可以測(cè)試上千只芯片。 集成電路測(cè)試儀具有測(cè)試精度高、測(cè)試速度快、穩(wěn)定性好、可編程等特點(diǎn)，用戶可以根據(jù)需要，自己編寫測(cè)試程序，完成測(cè)試和分選工作。該集成電路測(cè)試技術(shù)已取得三項(xiàng)發(fā)明專利。

集成電路測(cè)試儀是用于IC生產(chǎn)線的自動(dòng)測(cè)試儀器，由電子科大自動(dòng)化學(xué)院自動(dòng)控制工程中心團(tuán)隊(duì)研制。測(cè)試儀能夠測(cè)試多種模擬集成電路、數(shù)字集成電路和數(shù)模混合電路。儀器模擬通道的最大電壓測(cè)試能力為±32V，最大電流測(cè)試能力是±2A。集成電路測(cè)試儀能夠提供標(biāo)準(zhǔn)的TTL接口信號(hào)，可以與生產(chǎn)現(xiàn)場(chǎng)的分選設(shè)備配合使用，完成集成電路的自動(dòng)測(cè)試和分選工作，1小時(shí)可以測(cè)試上千只芯片。