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一種原位合成Al3Ti顆粒表面增強(qiáng)鋁基復(fù)合氣缸及其制備方法
為提高氣缸服役期，延長發(fā)動(dòng)機(jī)的壽命，通過壓鑄和激光熔覆的復(fù)合工藝在氣缸的工作面，原位合成一層具有耐高溫、耐磨損的復(fù)合涂層，采用本發(fā)明的方法制得的復(fù)合氣缸顯微組織致密，復(fù)合涂層硬度可達(dá) HBS>80 、韌性較好，具有較好抗氧化性和抗耐磨性能，質(zhì)量能減少 1/2~1/3 ，且不降低氣缸本體的機(jī)械性能，從而大大提高氣缸和發(fā)動(dòng)機(jī)的壽命。
西安科技大學(xué)
2021-04-11
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一種Mg2Ni0.9Co0.1H4基儲(chǔ)氫材料的制備方法
（專利號(hào)：ZL 201510578254.6） 簡(jiǎn)介：本發(fā)明公開了一種Mg2Ni0.9Co0.1H4基儲(chǔ)氫材料的制備方法，屬于儲(chǔ)氫材料技術(shù)領(lǐng)域。該方法通過濕法球磨得到Ni(Co)固溶體粉末；按母合金Mg2Ni1?xCox(x＝0.1～0.2)的成分，將一定量的固溶體和Mg粉真空燒結(jié)得到母合金，母合金的化學(xué)成分范圍為：Mg的原子百分?jǐn)?shù)為65～70％，Ni+Co占合金剩余百分比，Co在Ni+Co中的原子百分?jǐn)?shù)為10～20％；然后將燒結(jié)合金置于氫化爐中氫化獲得目標(biāo)儲(chǔ)氫材料，其由85～90wt％的Mg2Ni0.9Co0.1H4基體相、6～7wt％的MgH2和4～8wt％的MgNi3Co相組成。該儲(chǔ)氫材料具有高的儲(chǔ)氫容量(大于3.5wt％)、低的起始放氫溫度(220℃)和優(yōu)良的放氫動(dòng)力學(xué)性能。本發(fā)明制備方法具有工藝簡(jiǎn)單、高效、產(chǎn)率高、無污染的顯著特點(diǎn)。
安徽工業(yè)大學(xué)
2021-04-11
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用于寬溫區(qū)水解制氫的鎂鈣基氫化物粉體及其制備方法
本發(fā)明所述用于水解制氫的鎂鈣基氫化物粉體，包括的組分及各組分的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為：Ca4Mg3H1414.2～50.2%，MgH234.8～85.7%，Mg0.1～15%，為提高水解產(chǎn)氫率，還復(fù)合有其它氫化物和∕或鹽，其中其它氫化物的質(zhì)量為組分Ca4Mg3H14、組分MgH2和組分Mg的質(zhì)量的總和的0～5%，鹽的質(zhì)量為組分Ca4Mg3H14、組分MgH2和組分Mg的質(zhì)量的總和的0～11%，其中，其它氫化物的含量、鹽的含量不同時(shí)為0。上述鎂鈣基氫化物粉體的制備方法，是將鎂鈣合金破碎球磨后活化吸氫。本發(fā)明提供的用于水解制氫的鎂鈣基氫化物粉體，可在保證反應(yīng)安全性和可控性的前提下提高產(chǎn)氫量，特別是提高室溫和低溫下的產(chǎn)氫量。
四川大學(xué)
2021-04-11
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具有電場(chǎng)調(diào)制功能的二芳基乙烯類光致變色化合物及合成方法
本發(fā)明提供一種具有電場(chǎng)調(diào)制功能的二芳基乙烯類光致變色化合物及合成方法，該方法包括以下步驟：首先合成含有電子傳輸基團(tuán)的芳雜環(huán)中間體；然后合成含有電荷傳輸基團(tuán)的芳雜環(huán)中間體；將所述這兩部份中間體分別結(jié)合到一個(gè)八氟環(huán)戊烯分子的兩個(gè)雙鍵碳上的氟原子上，形成含兩種不同類型電荷傳輸基團(tuán)的不對(duì)稱型二芳基乙烯類光致變色化合物；含電子傳輸基團(tuán)的中間體化合物則須先制成單取代的全氟環(huán)戊烯中間體才能順利得到目標(biāo)產(chǎn)物。有益效果是該化合物具有更好的光致變色性和抗疲勞性，更重要的是在這類化合物中可以引入電場(chǎng)干預(yù)的光致變色性。由于不對(duì)稱型二芳基乙烯類光致變色化合物分子的特性，可制造出可控的光致變色新材料，在光信息存儲(chǔ)和新型光學(xué)器件領(lǐng)域，具有廣闊的應(yīng)用前景。
天津城建大學(xué)
2021-04-11
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一種聚 3-己基噻吩/碳納米管復(fù)合材料及制備方法
本發(fā)明公開了一種聚3-己基噻吩/碳納米管復(fù)合材料及制備方法。 所述復(fù)合材料中含有聚3-己基噻吩30wt％至80wt％以及均勻分散的碳 納米管 1wt％至 15wt％，所述碳納米管形貌完整，其直徑在 40nm 至 60nm 之間，其長度在 5μm 至 15μm 之間，所述碳納米管表面包覆有 厚度在 3nm 至 10nm 之間的聚 3-己基噻吩。其制備方法包括以下步驟： (1)將聚 3-己基噻吩和高分子量聚合物均勻分散于有機(jī)溶劑中；(
華中科技大學(xué)
2021-01-12
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基于硅基懸臂梁Ｔ型結(jié)直接加熱式毫米波信號(hào)檢測(cè)儀器
本發(fā)明的基于硅基懸臂梁耦合Ｔ型結(jié)直接加熱式毫米波信號(hào)檢測(cè)儀器是由傳感器、模數(shù)轉(zhuǎn)換和液晶顯示三大模塊組成，傳感器模塊是由懸臂梁耦合結(jié)構(gòu)、Ｔ型結(jié)直接加熱式微波功率傳感器和開關(guān)構(gòu)成，襯底材料為高阻Ｓｉ，功率通過輸入端口對(duì)應(yīng)的ＣＰＷ信號(hào)線終端的直接加熱式微波功率傳感器進(jìn)行檢測(cè)；頻率檢測(cè)通過利用直接加熱式微波功率傳感器測(cè)量?jī)陕吩谥行念l率處相位差為９０度的耦合信號(hào)的合成功率實(shí)現(xiàn)；相位檢測(cè)通過將兩路在中心頻率處相位差為９０度的耦合信號(hào)，分別同兩路等分后的參考信號(hào)合成，同樣利用直接加熱式微波功率傳感器檢測(cè)合成功率，
東南大學(xué)
2021-04-14
硅基未知頻率縫隙耦合式Ｔ型結(jié)直接式毫米波相位檢測(cè)器
本發(fā)明的硅基未知頻率縫隙耦合式Ｔ型結(jié)直接式毫米波相位檢測(cè)器是由共面波導(dǎo)傳輸線、縫隙耦合結(jié)構(gòu)、移相器、單刀雙擲開關(guān)、Ｔ型結(jié)功分器、Ｔ型結(jié)功合器以及直接式熱電式功率傳感器所構(gòu)成，整個(gè)結(jié)構(gòu)基于高阻Ｓｉ襯底制作，一共有四個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)，上方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)信號(hào)的頻率測(cè)量，下方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)信號(hào)的相位測(cè)量，在前后縫隙之間有一個(gè)移相器；Ｔ型結(jié)功分器和Ｔ型結(jié)功合器是由共面波導(dǎo)傳輸線、扇形缺陷結(jié)構(gòu)和空氣橋組成；直接式熱電式功率傳感器由共面波導(dǎo)傳輸線、兩個(gè)熱電偶和隔直電容所構(gòu)成，熱電偶是由金屬臂和半導(dǎo)體
東南大學(xué)
2021-04-14
硅基懸臂梁耦合Ｔ型結(jié)間接加熱式毫米波信號(hào)檢測(cè)儀器
本發(fā)明的硅基懸臂梁耦合Ｔ型結(jié)間接加熱式毫米波信號(hào)檢測(cè)儀器是由傳感器、模數(shù)轉(zhuǎn)換和液晶顯示三大模塊組成，傳感器模塊是由懸臂梁耦合結(jié)構(gòu)、Ｔ型結(jié)間接加熱式微波功率傳感器和開關(guān)構(gòu)成，襯底材料為高阻Ｓｉ，功率通過輸入端口對(duì)應(yīng)的ＣＰＷ信號(hào)線終端的間接加熱式微波功率傳感器進(jìn)行檢測(cè)；頻率檢測(cè)通過利用間接加熱式微波功率傳感器測(cè)量?jī)陕吩谥行念l率處相位差為９０度的耦合信號(hào)的合成功率實(shí)現(xiàn)；相位檢測(cè)通過將兩路在中心頻率處相位差為９０度的耦合信號(hào)，分別同兩路等分后的參考信號(hào)合成，同樣利用間接加熱式微波功率傳感器檢測(cè)合成功率，從而
東南大學(xué)
2021-04-14
基于硅基懸臂梁Ｔ型結(jié)間接加熱式毫米波信號(hào)檢測(cè)器
本發(fā)明的基于硅基懸臂梁Ｔ型結(jié)間接加熱式毫米波信號(hào)檢測(cè)器，主要實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)包括由懸臂梁耦合結(jié)構(gòu)、Ｔ型結(jié)、間接加熱式微波功率傳感器和開關(guān)。懸臂梁耦合結(jié)構(gòu)包括兩組懸臂梁，每組懸臂梁由兩個(gè)對(duì)稱的懸臂梁構(gòu)成，兩個(gè)懸臂梁之間ＣＰＷ傳輸線的電長度在所測(cè)信號(hào)頻率范圍內(nèi)的中心頻率３５ＧＨｚ處為λ／４。功率通過第一間接加熱式微波功率傳感器進(jìn)行檢測(cè)；頻率檢測(cè)通過利用間接加熱式微波功率傳感器測(cè)量?jī)陕吩谥行念l率處相位差為９０度的耦合信號(hào)的合成功率實(shí)現(xiàn)；相位檢測(cè)通過將兩路在中心頻率處相位差為９０度的耦合信號(hào)，分別同兩路等分后的參考
東南大學(xué)
2021-04-14
硅基已知頻率縫隙耦合式Ｔ型結(jié)直接式毫米波相位檢測(cè)器
本發(fā)明的硅基已知頻率縫隙耦合式Ｔ型結(jié)直接式毫米波相位檢測(cè)器是由共面波導(dǎo)傳輸線、縫隙耦合結(jié)構(gòu)、移相器、Ｔ型結(jié)功分器、Ｔ型結(jié)功合器以及直接式熱電式功率傳感器所構(gòu)成，整個(gè)結(jié)構(gòu)基于高阻Ｓｉ襯底制作，一共有四個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)，上方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)連接著兩個(gè)直接式熱電式功率傳感器，下方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)信號(hào)的相位測(cè)量，在前后縫隙之間設(shè)置有一個(gè)移相器；Ｔ型結(jié)功分器和Ｔ型結(jié)功合器是由共面波導(dǎo)傳輸線、扇形缺陷結(jié)構(gòu)和空氣橋所組成；直接式熱電式功率傳感器主要由共面波導(dǎo)傳輸線、兩個(gè)熱電偶和一個(gè)隔直電容所構(gòu)成，每個(gè)熱電偶
東南大學(xué)
2021-04-14