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本發(fā)明公開了一種紅外液晶相控陣芯片。該芯片包括電控液晶調相微柱陣列；其包括液晶材料層，依次設置在液晶材料層上表面的液晶初始取向層、電隔離層、圖形化電極層、基片和紅外增透膜，以及依次設置在液晶材料層下表面的液晶初始取向層、電隔離層、公共電極層、基片和紅外增透膜；圖形化電極層由陣列分布的子電極構成，每個子電極均由正方形或長方形導電膜構成；電控液晶調相微柱陣列被劃分成陣列分布的電控液晶調相微柱，其與子電極一一對應，單個

公司產權保護，芯片加密問題。

目前，國產集成電路“缺芯少減”的現(xiàn)象非常嚴重，特別是在編程邏輯器件被美國幾家著名大公司所壟斷.國內與固外差距巨大，可編程器件目前廣泛應用于通信航天航空導航遙感遙測。大的應用需R和發(fā)展前展。本項目針對嵌入了處理器的SoPC芯片(SystemonPogrammableChip)具有該現(xiàn)狀，與成都華微公司合作,研制了完全自主可控的SoPC芯片。

成果與項目的背景及主要用途：RFID是射頻識別技術的英文(Radio Frequency Identification)的縮寫，射頻識別技術是 20 世紀 90 年代開始興起的一種自動識別 技術，射頻識別技術是一項利用射頻信號通過空間耦合(交變磁場或電磁場)實現(xiàn) 無接觸信息傳遞并通過所傳遞的信息達到識別目的的技術。 RFID 系統(tǒng)通過射頻信號自動識別目標對象并獲取相關數(shù)據(jù)，識別工作無須 人工干預。作為條形碼的無線版本，RFID 技術具有條形碼所不具備的防水、防 磁、耐高溫、使用壽命長、讀取距離大、標簽上數(shù)據(jù)可以加密、存儲數(shù)據(jù)容量更 大、存儲信息更改自如等優(yōu)點，已經(jīng)被世界公認為本世紀十大重要技術之一，在 生產、零售、物流、交通等各個行業(yè)等各個行業(yè)有著廣闊的應用前景。 86天津大學科技成果選編 87 本項目主要研發(fā)了基于 ISO18000-6B 協(xié)議的無源電子標簽芯片，其可用于物 流，貨品識別，高速公路收費等諸多領域，是目前國內外射頻電路研究領域的熱 點。 技術原理與工藝流程簡介：UHF 頻段的無源電子標簽工作原理如下：通過標 簽上外置的偶極子天線接收讀卡器發(fā)送的載波信號，并將其轉換為直流信號，為 整個芯片供電；同時片上的解調模塊解調出經(jīng)調制的載波信號所攜帶的數(shù)據(jù)信息， 并傳遞給片上的基帶部分加以處理；基帶部分連同 EEPROM 部分一起完成數(shù)據(jù)的 讀寫和控制功能，再由調制模塊以反向發(fā)射的形式將上行信號返回給讀卡器完成 一次通信。 本設計的工藝流程是基于 Chartered 0.35um EEPROM 數(shù)字工藝，從芯片設計、 仿真、版圖驗證。最終通過代工廠完成芯片制作。 技術水平及專利與獲獎情況：根據(jù)測試結構表明，各項指標都達到了商用需 求，在國內屬領先水平。 該項成果已獲得國家知識產權局頒發(fā)的集成電路布圖登記證書。 BS.06500285.7 應用前景分析及效益預測：目前國內的 UHF 頻段的 RFID 產品正處于高速成 長期，需求量快速增長，但大多數(shù)核心技術需要依賴進口。如果本項目能夠實現(xiàn) 技術轉產，可以預計的前景和經(jīng)濟效益是相當可觀的。有了自主知識產權的 UHF 頻段電子標簽，在很多領域都可以加以移植，取代進口產品不但可以大大節(jié)省開 支，同時也可以實現(xiàn)產品的自我定制及更新，最大程度的方便了國內用戶的應用。 應用領域：貨品跟蹤和識別（代替條形碼）、高速移動物體的識別、防偽認 證以及電子支付等領域都會有廣泛的應用。 技術轉化條件（包括：原料、設備、廠房面積的要求及投資規(guī)模）： 四十平方米以上的辦公用房，電腦、工作站若干，相應軟件。也可以和 RFID 天線制造單位，卡片封裝單位共同合作，將成果轉產。 合作方式及條件：面談。

1.本外觀設計產品的名稱：LED 芯片高速自動檢測機。2.本外觀設計產品的用途：用于對 LED 芯片的電性能及光學性能執(zhí)行自動檢測的裝置。3.本外觀設計的設計要點：檢測機的整體形狀和圖案，及其操控鍵的形狀和分布。4.最能表明設計要點的圖片或者照片：立體圖。5.該裝置的頂面和底面未涉及產品設計要點且不常見，故省略俯視圖和仰視圖。

近年來，受到國際網(wǎng)絡安全環(huán)境的影響，網(wǎng)絡安全越來越受到關注。對于網(wǎng)絡中的關鍵設備和節(jié)點，需要采用高效、可靠的網(wǎng)絡數(shù)據(jù)過濾設備來消除安全隱患。傳統(tǒng)的網(wǎng)絡過濾設備為了提高性能采用了國外公司的芯片方案進行系統(tǒng)設計，在提高系統(tǒng)有效性的同時卻帶來了芯片層次的安全威脅。隨著相關國產芯片成熟度的提高和芯片層級的安全性威脅的加大，開發(fā)基于國產芯片方案的網(wǎng)絡處理、過濾設備的緊迫性變的越來越大。由于國產芯片跟國外同類芯片比較性能還有差距，為了提高基于國產芯片的網(wǎng)絡過濾設備的性能需要在系統(tǒng)架構和并行處理方面進行更多研究，以滿足高速數(shù)據(jù)處理的需要。 本設備基于國產芯片方案，實現(xiàn)高性能網(wǎng)絡分流和過濾，具有和服務器平臺交互的PCIE接口，4個千兆以太網(wǎng)接口，具有向萬兆網(wǎng)絡平滑過渡的能力，設備核心芯片模塊均采用國產芯片，設備處理能力達到千兆以上。

北京大學物理學院“極端光學創(chuàng)新研究團隊”王劍威研究員和龔旗煌院士領導的課題組，與英國、丹麥、奧地利和澳大利亞的學者合作，實現(xiàn)了硅基集成光量子芯片上的多體量子糾纏和芯片-芯片間的量子隱形傳態(tài)功能，為芯片上光量子信息處理和計算模擬的應用，奠定了堅實的基礎。相關研究成果于近日發(fā)表在國際頂級物理期刊Nature Physics(https://www.nature.com/articles/s41567-019-0727-x)。 集成光量子芯片技術，結合了量子物理、量子信息和集成光子學等前沿學科，通過半導體微納加工制造高性能且大規(guī)模集成的光量子器件，實現(xiàn)對光量子信息的高效處理、計算和傳輸?shù)裙δ堋Ｆ渲校霉杌矫婀獠▽Ъ杉夹g的光量子芯片具有諸多獨特優(yōu)勢，包括集成度高、穩(wěn)定性好、編程操控性優(yōu)越和可單片集成核心光量子器件等，因此被認為是一種實現(xiàn)光量子信息應用的重要手段之一。 A. 硅基量子隱形傳態(tài)和多光子量子糾纏芯片的示意圖，左上角為集成量子光源的電子顯微鏡圖；B. 量子隱形傳態(tài)的量子線路圖；C. 量子糾纏互換的量子線路圖；D. GHZ糾纏制備的量子線路圖 北京大學研究團隊與布里斯托爾大學、丹麥科技大學、奧地利科學院、赫瑞-瓦特大學和西澳大利亞大學科研人員密切合作，在硅基光量子芯片技術和應用方面取得了突破性進展。研究團隊發(fā)展了一種基于微環(huán)諧振腔的高性能集成量子光源，通過硅波導的強四波混頻非線性效應，實現(xiàn)了光子全同性優(yōu)于90%、無需濾波后處理的50%觸發(fā)效率的單光子對源，達到了對4組微腔量子光源陣列的相干操控，片上雙光子量子糾纏源的保真度達到了92%。團隊實現(xiàn)了關鍵的可編程片上雙比特量子糾纏門，可以按照功能需要切換貝爾投影測量和量子比特焊接操作，通過量子態(tài)層析實驗確認了高保真的雙比特糾纏操作。 研究團隊在單一硅芯片上實現(xiàn)了高性能量子糾纏光源、可編程雙比特量子糾纏門，以及可編程單量子比特測量的全功能集成，進而實現(xiàn)了三種核心量子功能模塊——芯片上四光子真糾纏、量子糾纏互換、芯片-芯片間的高保真量子隱形傳態(tài)。通過對兩對糾纏光子對進行量子比特焊接操作，團隊實現(xiàn)并判定了四比特Greenberger-Horne-Zeilinger (GHZ) 真量子糾纏的存在；通過對兩對糾纏光子中各一個光子進行貝爾投影操作，實現(xiàn)了量子糾纏互換功能，使來自不同光子源的光子間產生了量子糾纏；利用兩個芯片間的量子態(tài)傳輸和量子糾纏分布技術，實現(xiàn)了兩個芯片間任意單量子比特的量子隱形傳態(tài)，達到了近90%的隱形傳態(tài)保真度。 團隊研制的硅基多光子量子芯片尺寸僅占幾平方毫米，比傳統(tǒng)實現(xiàn)方法小了約5-6個數(shù)量級，不僅達到了器件的微型化，同時具備了單片全功能集成、器件編程可控、系統(tǒng)性能優(yōu)越等特點，其中量子隱形傳態(tài)保真度優(yōu)于已報道的其它物理實現(xiàn)方法。多體量子糾纏體系的片上制備與量子調控技術，為片上量子物理基礎研究和片上光量子信息處理傳輸、量子計算模擬的應用提供了重要基礎。

硅芯片是當代信息技術的核心，當前正向“深度摩爾”（More Moore）和“超越摩爾”（More than Moore）兩個方向發(fā)展。物聯(lián)網(wǎng)（IoT）應用是“超越摩爾”技術路線中相當重要的一環(huán)，需要數(shù)量巨大的集成電路芯片來分析處理來自外部傳感器件的海量信號。目前，大多數(shù)傳感信號采集器件和信號處理單元均為分離設計，將在整體上產生更大功耗并占據(jù)更大的空間。由此，復旦大學材料科學系教授梅永豐課題組提出了將信號檢測和分析功能集成于同一個芯片器件中的全新概念。作為演示，研究團隊將單晶硅薄膜柔性光電晶體管與智能薄膜材料相結合和組裝，構造了對不同環(huán)境變量進行檢測和分析的柔性硅芯片傳感器及其系統(tǒng)。這一思路不僅具有優(yōu)異的可擴展性，還可與當前集成電路先進制造工藝相兼容。5月2日，相關研究結果以《面向智能數(shù)字灰塵的硅納米薄膜光電晶體管多功能集成傳感器研究》（“Silicon Nanomembrane Phototransistor Flipped with Multifunctional Sensors towards Smart Digital Dust”）為題發(fā)表在《科學進展》（Science Advances）上。研究團隊從器件的傳感機理入手，利用柔性薄膜組裝集成芯片傳感器，實現(xiàn)了多種環(huán)境參數(shù)探測功能的集成。圖1：(A) 器件主要功能層示意圖；(B) 貼附于曲面上的柔性傳感器件陣列；(C) 智能傳感器件功能區(qū)的光學顯微照片；(D)用于濕度傳感的集成系統(tǒng)構造圖；(E) 氫氣通入前后參比器件與檢測器件的電流變化，紅色為參比電流，藍色為檢測電流。智能材料在環(huán)境刺激中可以發(fā)生折射率、顏色、晶體結構等方面的光學性質變化，但一般需要光譜設備或比色卡才能進行比對。而翻轉的硅薄膜光電晶體管由于沒有柵極金屬阻擋功能區(qū)域的光信號吸收，可以更容易獲得高靈敏的傳感特性。利用這一點，研究團隊將多種智能薄膜材料貼合在器件功能區(qū)，智能材料內部物理性質變化引起了微小光學性能改變，從而表現(xiàn)在輸出的光電流上，因此可以在同一個芯片上實現(xiàn)對多種不同信號的同時檢測。圖1A展示了傳感器件典型的功能層結構，頂層的智能薄膜材料對環(huán)境刺激發(fā)生響應，進而改變下方硅單晶薄膜光電晶體管的輸出信號。具有2微米厚的熱氧化二氧化硅層則作為光電晶體管的封裝，對下方器件進行保護。硅薄膜光電晶體管完全由晶圓級先進集成電路工藝方法制備而成，結合了傳統(tǒng)硅基光電子器件的高性能和硅納米薄膜超薄厚度下的優(yōu)良柔性。圖1B是貼附于半徑僅為2毫米直徑玻璃管上的柔性器件陣列，表現(xiàn)出良好的彎曲性能。圖1C是單個器件功能區(qū)域的特寫，在藍色虛框部分集成不同智能材料即可實現(xiàn)對不同環(huán)境信號的檢測。圖1D是具有完備傳感與數(shù)據(jù)處理功能的柔性系統(tǒng)合成圖，包括傳感與參比器件、邏輯與存儲單元、信號放大器和電源。研究團隊利用該系統(tǒng)實現(xiàn)了對環(huán)境中濕度的實時、快速檢測，演示的信號為依次減小的三個濕度脈沖。整個過程中直接對環(huán)境變化做出響應的信號，即參比器件與傳感器件輸出電流隨時間的變化如圖1E中所示。當環(huán)境發(fā)生變化（如圖所示通入氫氣），傳感器件的輸出電流大幅增加，而參比電流保持平穩(wěn)，再利用差分電路處理，即可給出所檢測的環(huán)境參數(shù)的值。研究團隊開發(fā)了將智能材料與光電傳感結合的新穎傳感機制，并將傳感模塊與后續(xù)信號處理等模塊集成在一起，展示了其在氣體濃度、濕度、溫度等多種環(huán)境參數(shù)檢測方面的能力，已經(jīng)初步具備了未來的“智能數(shù)字灰塵”的雛形。該策略也可以應用于其他的數(shù)字傳感系統(tǒng)，在后摩爾時代中將具有巨大的應用潛力。論文主要由李恭謹博士，博士研究生馬喆和尤淳瑜合作完成，并獲得韓國延世大學Taeyoon Lee教授和中科院微系統(tǒng)所狄增峰研究員的合作支持。該工作得到國家自然科學基金委、上海市科委、復旦大學和專用集成電路與系統(tǒng)國家重點實驗室等大力支持。

（ (A) 器件主要功能層示意圖；(B) 貼附于曲面上的柔性傳感器件陣列；(C) 智能傳感器件功能區(qū)的光學顯微照片；(D)用于濕度傳感的集成系統(tǒng)構造圖；(E) 氫氣通入前后參比器件與檢測器件的電流變化，紅色為參比電流，藍色為檢測電流 ）