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本成果首次創(chuàng)新性采用指甲上采集血糖拉曼信號(hào)，并利用雙波長(zhǎng)激發(fā)差分算法消除背景噪聲，極大提升信號(hào)信噪比，實(shí)現(xiàn)個(gè)體病例一天血糖變化趨勢(shì)監(jiān)測(cè)。其中核心技術(shù)包括拉曼光譜差分算法和多重迭代反卷積算法進(jìn)行血糖濃度預(yù)測(cè)，解決了利用光學(xué)方法實(shí)現(xiàn)無(wú)創(chuàng)監(jiān)測(cè)血糖在低血糖濃度（4mmol/L）監(jiān)測(cè)不準(zhǔn)確的行業(yè)難題； 一、項(xiàng)目分類 關(guān)鍵核心技術(shù)突破 二、技術(shù)分析 1、研發(fā)背景： 無(wú)創(chuàng)血糖動(dòng)態(tài)檢測(cè)技術(shù)一直是醫(yī)學(xué)工程領(lǐng)域研究熱點(diǎn)之一，也是具有挑戰(zhàn)性的世界性難題，我國(guó)現(xiàn)有近1.4億的糖尿病患者。而糖尿病作為一種慢性疾病，目前還沒(méi)有效的治療方式，血糖監(jiān)測(cè)是其唯一的預(yù)防及治療方式。 解決主要問(wèn)題： 解決了常規(guī)拉曼無(wú)創(chuàng)血糖監(jiān)測(cè)背景噪聲影響大，監(jiān)測(cè)準(zhǔn)確度低等問(wèn)題，首次創(chuàng)新性采用指甲上采集血糖拉曼信號(hào)，并利用雙波長(zhǎng)激發(fā)差分算法消除背景噪聲，極大提升信號(hào)信噪比，實(shí)現(xiàn)個(gè)體病例一天血糖變化趨勢(shì)監(jiān)測(cè)。其中核心技術(shù)包括拉曼光譜差分算法和多重迭代反卷積算法進(jìn)行血糖濃度預(yù)測(cè)，解決了利用光學(xué)方法實(shí)現(xiàn)無(wú)創(chuàng)監(jiān)測(cè)血糖在低血糖濃度（4mmol/L）監(jiān)測(cè)不準(zhǔn)確的行業(yè)難題； 創(chuàng)新性： 1）方法創(chuàng)新：實(shí)驗(yàn)證明在指甲上可以有效測(cè)得拉曼信號(hào)，預(yù)測(cè)正確度達(dá)到85%（GB/T 27417-2017）以上，達(dá)到國(guó)際醫(yī)療標(biāo)準(zhǔn)； 2）算法創(chuàng)新：在差分算法中加入特殊約束算符對(duì)信號(hào)進(jìn)行約束優(yōu)化，有效的抑制了噪聲信號(hào)并使較弱的拉曼峰信號(hào)增強(qiáng)近百倍。 3）外觀設(shè)計(jì)創(chuàng)新：自主設(shè)計(jì)一款便攜式、小型化（長(zhǎng)×寬×高=15×4×10cm），符合人體工學(xué)的無(wú)創(chuàng)血糖儀，用戶單手即可快速完成血糖監(jiān)測(cè)； 技術(shù)先進(jìn)性： 首次實(shí)現(xiàn)了 利用差分拉曼光譜技術(shù)在指甲處實(shí)現(xiàn)全天動(dòng)態(tài)血糖監(jiān)測(cè)。對(duì)比分析國(guó)內(nèi)外所檢文獻(xiàn)，屬于我們首次提出。 推廣應(yīng)用價(jià)值： 有望解決利用傳統(tǒng)拉曼光譜技術(shù)諸多問(wèn)題，將極大促進(jìn)拉曼光譜技術(shù)在動(dòng)態(tài)血糖監(jiān)測(cè)領(lǐng)域的應(yīng)用，加快相應(yīng)無(wú)創(chuàng)血糖儀的推出和市場(chǎng)推廣。 市場(chǎng)前景： 我國(guó)糖尿病患者近1.4億，未來(lái)三年無(wú)創(chuàng)血糖儀的市場(chǎng)將達(dá)到180億元，我們按1%市場(chǎng)占有率來(lái)看，銷售規(guī)模將超億元。 前期應(yīng)用情況： 項(xiàng)目的技術(shù)開(kāi)發(fā)完成，工程化樣機(jī)開(kāi)發(fā)完成，處于大樣本病例數(shù)據(jù)采集測(cè)試中。

本發(fā)明公開(kāi)了一種拉曼基底的制備方法及其產(chǎn)品與應(yīng)用，首先 利用陽(yáng)極氧化法在鈦片表面生成氧化鈦納米管，然后用導(dǎo)電膠帶將氧 化鈦納米管從鈦片上取下，使之顯露背面凸起的阻擋層，成為氧化鈦 納米柱，從表面上看即為有序的氧化鈦凸起序列，最后將碳導(dǎo)電膠帶 固定于載體上，在氧化鈦納米柱表面濺射納米銀，形成有序的納米銀 凸起序列，即制備獲得所述的表面增強(qiáng)拉曼基底。通過(guò)本發(fā)明，利用 簡(jiǎn)單的方法將空心的氧化鈦納米管轉(zhuǎn)化為封閉的納米管，簡(jiǎn)化

本發(fā)明公開(kāi)了一種自由空間氣體拉曼散射收集裝置，尤其適用 于微量氣體成分檢測(cè)。本發(fā)明裝置包括旋轉(zhuǎn)拋物面反射鏡和平面反射 鏡；旋轉(zhuǎn)拋物面反射鏡為拋光的高反射鏡面，平面反射鏡的反射面與 拋物面反射鏡中心軸線垂直，且旋轉(zhuǎn)拋物面反射鏡和平面反射鏡構(gòu)成 作為樣品池的封閉區(qū)間，在拋物面反射鏡的拋物曲線頂點(diǎn)設(shè)有用于對(duì) 樣品池內(nèi)被測(cè)氣體進(jìn)行快速更換的進(jìn)氣口，平面反射鏡上設(shè)有用于實(shí) 現(xiàn)探測(cè)激光的入射和散射光的收集的窗口。本發(fā)明裝置結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)

本發(fā)明公開(kāi)了一種微型皮拉尼計(jì)與體硅器件集成加工的方法。集成加工的方法包括：在硅基片正面制備體硅器件所需的絕緣層及電路引線；在硅基片的背面或正面沉積一層絕緣隔熱材料，刻蝕去除其四周部分得到絕緣隔熱層；在絕緣隔熱層上制備加熱體和電極；在沒(méi)有加熱體的一面制備圖形化的光刻膠掩膜；在有加熱體的一面沉積金屬膜；將金屬膜粘貼在表面有氧化層的硅托片上；對(duì)有光刻膠掩膜的一面進(jìn)行感應(yīng)耦合等離子體干法刻蝕，刻穿硅基片；去除光刻膠掩膜和金屬膜，得到集成結(jié)構(gòu)。本發(fā)明能有效提高皮拉尼計(jì)的制備與其它工藝的兼容性，解決皮拉尼計(jì)與體

本發(fā)明涉及一種旋刀斜置角度、苗帶寬度可調(diào)的寬苗帶防堵開(kāi)溝排種裝置。該裝置包括機(jī)架、后拋防堵單元、開(kāi)溝排種單元、刀軸、傳動(dòng)單元、三點(diǎn)懸掛單元和變速箱；多個(gè)后拋防堵單元等間距地布置在刀軸上；后拋防堵單元包括間隔距離能夠調(diào)節(jié)的左后拋防堵單體和右后拋防堵單體，左后拋防堵單體包括兩把對(duì)稱布置、能夠調(diào)節(jié)斜置角度的左旋刀；右后拋防堵單體包括兩把對(duì)稱布置、能夠調(diào)節(jié)斜置角度的右旋刀；左旋刀與右旋刀之間具有一相位角度；每個(gè)后拋防堵單元后方對(duì)應(yīng)一個(gè)固接在機(jī)架的后橫梁上的開(kāi)溝排種單元；開(kāi)溝排種單元包括開(kāi)溝器和排種口寬度能夠調(diào)節(jié)的排種器。本發(fā)明成本低、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，斜置角度、苗帶寬度調(diào)節(jié)方便，可實(shí)現(xiàn)不同寬度苗帶清潔和播種。

本發(fā)明公開(kāi)了一種適用于陶瓷PTC裝配技術(shù)的拉膜與切膜裝置。包括送膜機(jī)構(gòu)、拉膜機(jī)構(gòu)和切膜機(jī)構(gòu)，機(jī)架上沿薄膜傳送方向依次設(shè)有送膜機(jī)構(gòu)、切膜機(jī)構(gòu)和拉膜機(jī)構(gòu)，切膜機(jī)構(gòu)包括固定在機(jī)架上的壓板組件和刀片組件，壓板組件安裝在刀片組件上方；壓板組件包括前撐板氣缸、前撐板氣缸頂桿、前撐板、壓板、后撐板、壓板氣缸和壓板氣缸頂塊，拉膜機(jī)構(gòu)包括拉膜電機(jī)、拉膜絲桿、拉膜滑軌和用于夾膜的拉膜夾板組件。本發(fā)明采用自動(dòng)拉膜、切膜技術(shù)，相比手工拉膜、切膜技術(shù)，極大提高了生產(chǎn)效率。

在高晶體質(zhì)量的狄拉克半金屬Cd3As2納米線中觀測(cè)到手征反常導(dǎo)致的負(fù)磁電阻效應(yīng)（Nat. Commun. 6, 10137 (2015)）；并借助于納米線比表面積大的優(yōu)勢(shì)，測(cè)量到起源于拓?fù)浔砻鎽B(tài)輸運(yùn)的π A-B效應(yīng)(Nat. Commun. 7, 10769 (2016); Phys. Rev. B 95, 235436（2017）)。 最近，他們通過(guò)輸運(yùn)測(cè)量首次在狄拉克半金屬Cd3As2納米線中觀測(cè)到連續(xù)體態(tài)和離散表面態(tài)耦合產(chǎn)生的Fano共振現(xiàn)象。研究表明直徑約為60 nm的Cd3As2納米線的表面態(tài)能帶會(huì)發(fā)生劈裂，通過(guò)柵壓調(diào)制費(fèi)米能級(jí)到一個(gè)表面態(tài)子能帶的帶底時(shí)，會(huì)呈現(xiàn)出零偏壓微分電導(dǎo)峰；在磁場(chǎng)作用下，由于塞曼效應(yīng)，零偏壓電導(dǎo)峰會(huì)發(fā)生劈裂，測(cè)量得到表面態(tài)的朗德因子為32；Fano共振進(jìn)一步導(dǎo)致零偏壓微分電導(dǎo)峰隨偏置電壓具有非對(duì)稱的線形，并可能對(duì)材料中起源于“外爾軌道”的量子振蕩頻率產(chǎn)生修正。這項(xiàng)工作對(duì)于深入研究拓?fù)浒虢饘俚妮斶\(yùn)性質(zhì)，以及設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)可電學(xué)調(diào)控的Fano體系有著重要意義。圖1. Cd3As2納米線中量子限制效應(yīng)引起的電導(dǎo)振蕩；(b)柵壓調(diào)制的微分電導(dǎo)譜。

本發(fā)明公開(kāi)了一種基于拉錐結(jié)構(gòu)的全光纖內(nèi)窺OCT探針，包括由多段光纖熔接而成的光學(xué)組件、傳動(dòng)組件以及保護(hù)套。所述光學(xué)組件有兩種結(jié)構(gòu)：一種由傳輸單模光纖、過(guò)渡段拉錐光纖與大纖芯多模光纖構(gòu)成；另一種由傳輸單模光纖與非對(duì)稱雙拉錐光纖構(gòu)成。拉錐光纖均由大纖芯多模光纖經(jīng)拉錐而成，光學(xué)組件各段光纖熔接處模場(chǎng)直徑一致。本發(fā)明的內(nèi)窺OCT探針無(wú)需光學(xué)聚焦透鏡，結(jié)構(gòu)緊湊、傳輸效率高、焦深范圍大，非常適合心腦血管的高質(zhì)量OCT成像。

三爪卡盤(pán)限位拉壓循環(huán)試驗(yàn)巖石試樣固定裝置，由下位夾具和上位夾具組成；下位夾具包括與試驗(yàn)機(jī)底部加載座連接的下接頭、固定試樣的下端帽、連接下接頭與下端帽的下鏈條、第一中心限位機(jī)構(gòu)、第二中心限位機(jī)構(gòu)和第一液壓機(jī)構(gòu)；上位夾具包括與試驗(yàn)機(jī)頂部加載座連接的上接頭、固定試樣的上端帽、連接上接頭與上端帽的上鏈條、第三中心限位機(jī)構(gòu)、第四中心限位機(jī)構(gòu)和第二液壓機(jī)構(gòu)；各中心限位機(jī)構(gòu)均由三爪卡盤(pán)、支撐件和轉(zhuǎn)接板組成，支撐件的一端與轉(zhuǎn)接板連接，另一端與三爪卡盤(pán)連接；第一液壓機(jī)構(gòu)、第二液壓機(jī)構(gòu)均包括圓環(huán)形活塞及與圓環(huán)形活塞組合的圓環(huán)形油缸。

本發(fā)明公開(kāi)了一種針對(duì)包括斜錐臺(tái)型閥板的專用夾具、激光熔 覆裝置以及相應(yīng)的激光熔覆方法，屬于半導(dǎo)體激光器激光熔覆領(lǐng)域； 現(xiàn)有技術(shù)中閥板夾具在進(jìn)行激光熔覆過(guò)程中，由于閥板的斜錐臺(tái)型， 熔覆不均勻，有些部位不能得到熔覆；本發(fā)明提供的專用夾具包括側(cè) 壁和底面，側(cè)壁為圓筒形，所述底面為橢圓，所述底面與所述側(cè)壁呈 一定角度，所述角度等于所述閥板斜錐臺(tái)型中心軸與所述閥板平面法 線之間的夾角；對(duì)于斜錐臺(tái)型閥板的熔覆，粉料堆積更均勻，