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基于CMOS工藝，設(shè)計(jì)了大量射頻、毫米波收發(fā)機(jī)和頻率源芯片； CMOS 90nm 60GHz 接收機(jī)芯片，集成片上天線，傳輸效率優(yōu)于IBM芯片90%； CMOS 90nm 21dBm 60GHz功率放大器，性能優(yōu)于Hittite商用GaAs芯片； CMOS 60GHz 移相器芯片，為開(kāi)發(fā)毫米波相控陣芯片奠定良好基礎(chǔ)；

成果描述：本發(fā)明公開(kāi)了一種基于毫米波通信天線差速旋轉(zhuǎn)方式的毫米波天線對(duì)中方法。本發(fā)明的方法僅依賴定位參數(shù)和天線水平數(shù)據(jù)，通過(guò)兩天線采用差速旋轉(zhuǎn)的方式，來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)毫米波天線的對(duì)中。同時(shí)，也對(duì)位置誤差對(duì)整個(gè)對(duì)中的影響提供一個(gè)分析功能。本發(fā)明能有效提高毫米波天線對(duì)中精度，實(shí)現(xiàn)天線自動(dòng)化對(duì)中通信，減少對(duì)中前的準(zhǔn)備工作和數(shù)據(jù)交換工作，增加毫米波的通信保密性，實(shí)現(xiàn)毫米波通信機(jī)動(dòng)性、可靠性及野外自適應(yīng)特性。市場(chǎng)前景分析：天線技術(shù)領(lǐng)域。與同類成果相比的優(yōu)勢(shì)分析：技術(shù)先進(jìn)，性價(jià)比較高。

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微波毫米波電路測(cè)試系統(tǒng) 招標(biāo)項(xiàng)目的潛在投標(biāo)人應(yīng)在南京市建鄴區(qū)西城路300號(hào)君泰國(guó)際大廈C座3樓獲取招標(biāo)文件，并于2022年07月06日 14點(diǎn)30分（北京時(shí)間）前遞交投標(biāo)文件。

成果描述：本發(fā)明公開(kāi)了一種基于毫米波通信天線差速旋轉(zhuǎn)方式的毫米波天線對(duì)中控制系統(tǒng)。本發(fā)明的對(duì)中控制系統(tǒng)由多個(gè)相同的對(duì)中控制裝置組成，對(duì)中控制裝置分別設(shè)置在不同的毫米波天線通信站點(diǎn)中；每個(gè)對(duì)中控制裝置包括天線轉(zhuǎn)動(dòng)模塊、位置信息檢測(cè)模塊、天線信息采集傳感器和對(duì)中控制模塊；天線轉(zhuǎn)動(dòng)模塊、位置信息檢測(cè)模塊和天線信息采集傳感器分別與對(duì)中控制模塊。本發(fā)明能有效提高毫米波天線對(duì)中精度，實(shí)現(xiàn)天線自動(dòng)化對(duì)中通信，減少對(duì)中前的準(zhǔn)備工作和數(shù)據(jù)交換工作，增加毫米波的通信保密性，實(shí)現(xiàn)毫米波通信機(jī)動(dòng)性、可靠性及野外自適應(yīng)特性。市場(chǎng)前景分析：天線自動(dòng)化領(lǐng)域。與同類成果相比的優(yōu)勢(shì)分析：技術(shù)先進(jìn)，性價(jià)比較高。

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由東南大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院尤肖虎教授、趙滌燹教授牽頭，聯(lián)合成都天銳星通科技有限公司、網(wǎng)絡(luò)通信與安全紫金山實(shí)驗(yàn)室等單位完成的“Ka頻段CMOS相控陣芯片與大規(guī)模集成陣列天線技術(shù)”項(xiàng)目成果通過(guò)了中國(guó)電子學(xué)會(huì)組織的現(xiàn)場(chǎng)鑒定。 由中國(guó)工程院鄔賀銓院士、陳左寧院士、李國(guó)杰院士、呂躍廣院士、丁文華院士以及來(lái)自中國(guó)移動(dòng)、信通院、華為、中興、大唐電信和國(guó)內(nèi)5所高校的共15位專家組成的鑒定委員會(huì)對(duì)該項(xiàng)成果進(jìn)行了現(xiàn)場(chǎng)鑒定并給予了高度評(píng)價(jià)，一致認(rèn)為：該項(xiàng)目解決了硅基CMOS毫米波Ka頻段相控陣芯片和天線走向大規(guī)模推廣應(yīng)用的核心技術(shù)瓶頸問(wèn)題，成功研制了Ka頻段CMOS相控陣芯片，并探索出了一套有效的毫米波大規(guī)模集成陣列天線低成本解決方案，多項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)屬首創(chuàng)；在硅基CMOS毫米波技術(shù)路線取得重大突破，在大規(guī)模相控陣天線集成度方面國(guó)際領(lǐng)先；成果在5G/6G毫米波和寬帶衛(wèi)星通信等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景，在該領(lǐng)域“卡脖子”技術(shù)上取得關(guān)鍵突破，已在相關(guān)應(yīng)用部門得以成功推廣應(yīng)用。 目前，用于射頻芯片的40nm和28nm CMOS工藝特征頻率已經(jīng)超過(guò)250GHz，在理論上完全可以滿足毫米波應(yīng)用需求。毫米波硅基CMOS集成電路技術(shù)的突破，將帶來(lái)無(wú)線通信行業(yè)的一次變革，解決相控陣系統(tǒng)“不是不想用，只是用不起”的問(wèn)題，把毫米波芯片及大規(guī)模相控陣變成來(lái)一種極低成本的易耗品。相比鍺硅工藝和化合物半導(dǎo)體工藝，CMOS工藝在成本、集成度和成品率上具有巨大優(yōu)勢(shì)，但其輸出功率相對(duì)較低，器件本身寄生效應(yīng)較大。項(xiàng)目組經(jīng)過(guò)長(zhǎng)達(dá)6年的技術(shù)探索與創(chuàng)新，克服了毫米波CMOS芯片技術(shù)的固有瓶頸問(wèn)題，所研制的芯片噪聲系數(shù)為3dB，發(fā)射通道效率達(dá)到15%，無(wú)需校準(zhǔn)便可實(shí)現(xiàn)精確幅相調(diào)控；基于大規(guī)模相控陣的波束成形能力，克服了毫米波CMOS芯片輸出功率受限的問(wèn)題。

本發(fā)明公開(kāi)了一種高增益低副瓣的毫米波封裝天線，包括引線框架，引線框架上設(shè)有毫米波IC芯片和毫米波天線，毫米波IC芯片與毫米波天線之間實(shí)現(xiàn)高頻互連，還包括封裝罩，封裝罩將毫米波IC芯片與毫米波天線密封在引線框架內(nèi)，毫米波天線包括輻射單元，封裝罩上對(duì)應(yīng)毫米波天線輻射單元的位置處設(shè)有喇叭狀凹槽，喇叭狀凹槽的槽壁表面被金屬覆蓋。本發(fā)明通過(guò)在封裝罩上設(shè)計(jì)喇叭狀凹槽，能夠有效提升天線的增益，降低天線的副瓣電平，并且不影響回波損耗性能，從而能夠?qū)崿F(xiàn)小型化、低成本和高性能的毫米波封裝天線。

本發(fā)明公開(kāi)了一種異構(gòu)毫米波蜂窩網(wǎng)絡(luò)的速率估計(jì)方法，首先，以典型用戶終端為中心，在視距鏈路情況和非視距鏈路情況下，對(duì)小型基站與微基站對(duì)應(yīng)的兩層網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行對(duì)應(yīng)比例縮放，使之能夠視為虛擬單層網(wǎng)絡(luò)；然后根據(jù)典型用戶終端在網(wǎng)絡(luò)中所處的位置，宏基站實(shí)現(xiàn)信號(hào)的調(diào)度，根據(jù)虛擬單層網(wǎng)絡(luò)為用戶分配最近小型基站或者微基站，再由毫米波通信的小型基站和微基站為用戶提供具體服務(wù)。在此基礎(chǔ)上，估計(jì)網(wǎng)絡(luò)的平均可達(dá)速率。由于考慮到了環(huán)境因素對(duì)毫米波通信的影響，區(qū)分視距情況與非視距情況，將多層毫米波網(wǎng)絡(luò)歸一化為單層虛擬網(wǎng)絡(luò)，使之在虛擬單層網(wǎng)絡(luò)中距離用戶最近基站即為用戶的服務(wù)基站，提高了異構(gòu)毫米波蜂窩網(wǎng)絡(luò)速率估計(jì)的準(zhǔn)確性。