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光收發(fā)芯片是光收發(fā)模塊中的集成電路，并不包括激光芯片，是指光纖寬帶網(wǎng)絡(luò)物理層的主要基礎(chǔ)芯片，包括跨阻放大器、限幅放大器、激光驅(qū)動(dòng)器三種。它們被用于光纖傳輸?shù)那岸耍瑏韺?shí)現(xiàn)高速傳輸信號的光電、電光轉(zhuǎn)換，這些功能被集成在光纖收發(fā)模塊中。

可以量產(chǎn)/n該項(xiàng)目帶寬寬，可以覆蓋Ku以下所有頻段，并向Ka頻段發(fā)展；線性度高，模擬通信不失真；動(dòng)態(tài)范圍大，激光輸出功率高，相對強(qiáng)度噪聲低。可靠性高，全金屬化耦合焊接，提高了可靠性和壽命。市場預(yù)期：該項(xiàng)目產(chǎn)品主要應(yīng)用領(lǐng)域是通信，目前國內(nèi)市場需求大于300億人民幣。隨著國家寬帶戰(zhàn)略的實(shí)施和物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展，未來5-10年將以大于30%/年的速度遞增。到2020年將大于1000億元人民幣。

TDA（芯片熱設(shè)計(jì)自動(dòng)化）軟件是清華航院曹炳陽教授團(tuán)隊(duì)全自主研發(fā)的國際首個(gè)芯片跨尺度熱仿真與設(shè)計(jì)系統(tǒng)。TDA軟件可實(shí)現(xiàn)芯片從納米至宏觀尺寸的熱設(shè)計(jì)與仿真，支持芯片微納結(jié)構(gòu)內(nèi)部熱輸運(yùn)過程的模擬研究，直接提高芯片熱仿真精度與結(jié)溫預(yù)測準(zhǔn)確度，進(jìn)而提高芯片性能、壽命和可靠性。

本實(shí)用新型提供了一種具有翻轉(zhuǎn)芯片功能的芯片吸取裝置，包括 Z 向高度調(diào)節(jié)與支撐機(jī)構(gòu)、翻轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)、芯片吸取機(jī)構(gòu)，Z 向高度調(diào)節(jié)與支撐機(jī)構(gòu)將芯片吸取機(jī)構(gòu)移動(dòng)到適宜高度，翻轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)驅(qū)動(dòng)芯片吸取機(jī)構(gòu)旋轉(zhuǎn)，芯片吸取機(jī)構(gòu)包括直線導(dǎo)向運(yùn)動(dòng)部件和芯片吸取元件，直線導(dǎo)向運(yùn)動(dòng)部件內(nèi)設(shè)有直線軸承和彈簧，直線導(dǎo)向軸從上往下穿過直線軸承和彈簧，其端部連接芯片吸取元件，由于彈簧的緩沖作用，芯片吸取元件將芯片吸住后跟隨芯片上升一定的高度，再在翻轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)的作用下旋轉(zhuǎn)到達(dá)芯片供給位置。本實(shí)用新型一方面避免了非接觸式吸取的不可靠

本實(shí)用新型公開了一種基于氧化硅矩形光波導(dǎo)的集成光收發(fā)模塊，包括至少一個(gè)具有四個(gè)45°拋光內(nèi)端面的矩形氧化硅光波導(dǎo)、至少一個(gè)垂直腔面激光器和至少一個(gè)光子探測器，其制備方法為：利用45°刀頭將矩形波導(dǎo)切割成三段，由劃片機(jī)在芯片上切割出四個(gè)45°內(nèi)端面；采用真空電子束熱蒸發(fā)等對應(yīng)工藝鍍上布拉格反射膜、金屬膜以及金屬導(dǎo)線和焊點(diǎn)；再用折射率匹配膠將切割鍍膜后的矩形波導(dǎo)粘合，同時(shí)在內(nèi)端面狹縫上方一定區(qū)域涂上匹配膠；最后通過倒裝焊接的方法，將垂直腔面激光器和光子探測器分別與對應(yīng)的金屬電極焊接，集成于內(nèi)端面狹縫之上，本實(shí)用新型低成本，高速率，可實(shí)現(xiàn)多通道傳輸數(shù)據(jù)。

圍繞自主通用處理器，研發(fā)操作系統(tǒng)及其之上的核心 API 軟件，支撐國家信息化建設(shè)，并致力于構(gòu)建區(qū)別于 Wintel 和 AA 之外的世界第三套信息化生態(tài)體系 。

產(chǎn)品詳細(xì)介紹 　　概述： 　　1.0625Gbps至4.25Gbps單芯片集成的低功耗SFP+多速率限幅 　　放大器和VCSEL驅(qū)動(dòng)器高速光收發(fā)芯片(EP110) 　　EP110為高度集成的限幅放大器和VCSEL驅(qū)動(dòng)器，設(shè)計(jì)用于數(shù)據(jù)傳輸速率高達(dá)8.5Gbps的1x/2x/4x/8x光纖通道傳輸系統(tǒng)以及10.3125Gbps數(shù)據(jù)傳輸速率的10GBASE-SR傳輸系統(tǒng)。器件采用+3.3V單電源供電，這款低功耗、集成限幅放大器、VCSEL驅(qū)動(dòng)器和微控制器三合一的高集成單芯片。平均光功率由平均功率控制環(huán)路(APC)控制，該控制環(huán)路通過連接至VCSEL驅(qū)動(dòng)器的3線數(shù)字接口控制、所有差分I/O為50歐姆傳輸線PCB設(shè)計(jì)提供最佳的背板短接。EP110集成一個(gè)微處理器，可以實(shí)現(xiàn)SFF8472協(xié)議的數(shù)字監(jiān)控接口要求，可通過固件實(shí)現(xiàn)高級Rx設(shè)置(模式選擇、LOS門限、LOS極性、CML輸出電平、信號通道極性)和Tx設(shè)置(調(diào)制電流、偏置電流、極性、眼圖交叉點(diǎn)調(diào)制)，無需外部微處理器和外部元件。 　　EP110采用無鉛、5mm*5mm、40引腳QFN封裝。 　　1.0625Gbps至10.32Gbps單芯片集成的低功耗SFP+多速率限幅 　　放大器和VCSEL驅(qū)動(dòng)器高速光收發(fā)芯片(EP112) 　　EP112為高度集成的限幅放大器和VCSEL驅(qū)動(dòng)器，設(shè)計(jì)用于數(shù)據(jù)傳輸速率高達(dá)8.5Gbps的1x/2x/4x/8x光纖通道傳輸系統(tǒng)以及10.3125Gbps數(shù)據(jù)傳輸速率的10GBASE-SR傳輸系統(tǒng)。器件采用+3.3V單電源供電，這款低功耗、集成限幅放大器、VCSEL驅(qū)動(dòng)器和微控制器三合一的高集成單芯片。平均光功率由平均功率控制環(huán)路(APC)控制，該控制環(huán)路通過連接至VCSEL驅(qū)動(dòng)器的3線數(shù)字接口控制、所有差分I/O為50歐姆傳輸線PCB設(shè)計(jì)提供最佳的背板短接。EP112集成一個(gè)微處理器，可以實(shí)現(xiàn)SFF8472協(xié)議的數(shù)字監(jiān)控接口要求，可通過固件實(shí)現(xiàn)高級Rx設(shè)置(模式選擇、LOS門限、LOS極性、CML輸出電平、信號通道極性)和Tx設(shè)置(調(diào)制電流、偏置電流、極性、眼圖交叉點(diǎn)調(diào)制)，無需外部微處理器和外部元件。 　　EP112采用無鉛、5mm*5mm、40引腳QFN封裝。 　　1.0625Gbps至14Gbps單芯片集成的低功耗SFP+多速率限幅 　　放大器和VCSEL驅(qū)動(dòng)器高速光收發(fā)芯片(EP116) 　　EP116是一款低功耗、集成限幅放大器、VCSEL驅(qū)動(dòng)器和微控制器三合一的16G SFP+高集成高速光收發(fā)芯片,工作在高達(dá)14Gbps的數(shù)據(jù)速率、非常適合以太網(wǎng)和光纖通道應(yīng)用。在EP116的發(fā)射和接收路徑上集成了CDR功能，解決了大多數(shù)高速系統(tǒng)存在的信號失真問題。平均光功率由平均功率控制環(huán)路(APC)控制，該控制環(huán)路通過連接至VCSEL驅(qū)動(dòng)器的3線數(shù)字接口控制、所有差分I/O為50歐姆傳輸線PCB設(shè)計(jì)提供最佳的背板短接。EP116集成一個(gè)微處理器，可以實(shí)現(xiàn)SFF8472協(xié)議的數(shù)字監(jiān)控接口要求，可通過固件實(shí)現(xiàn)高級Rx設(shè)置(模式選擇、LOS門限、LOS極性、CML輸出電平、信號通道極性、去加重)和Tx設(shè)置(調(diào)制電流、偏置電流、極性、可編程去加重、眼圖交叉點(diǎn)調(diào)制)，無需外部微處理器和外部元件。 　　EP116采用無鉛、6mm*6mm、48引腳QFN封裝。 　　特點(diǎn)： 　　3.3供電時(shí)，功耗僅為500mW 　　工作速率高達(dá)10.32Gbps 　　10.32Gbps下，具有5mVp-p接收靈敏度 　　Rx和Tx極性選擇 　　可調(diào)節(jié)觸發(fā)LOS報(bào)警電平 　　LOS極性選擇 　　能夠向100歐姆差分負(fù)載提供高達(dá)12mA的調(diào)制電流 　　偏置電流高達(dá)19mA 　　Rx輸出可選擇去加重 　　支持SPI EEPROM和IIC EEPROM 　　可調(diào)節(jié)調(diào)制輸出的眼圖交叉點(diǎn) 　　工作溫度: -40度 到 90度

        技術(shù)成熟度：技術(shù)突破         研發(fā)團(tuán)隊(duì)以設(shè)計(jì)制備寬光譜超材料吸收器和像元級集成紅外探測器為研究主線，在超薄寬帶高吸收原理與策略、材料/器件設(shè)計(jì)與制備方面取得了突破性進(jìn)展。圍繞器件吸收率低、噪聲等效溫差（NETD）大、集成兼容性差的難題，提出了無損與損耗型介質(zhì)結(jié)合、多模諧振耦合光吸收的思路，獲得超薄寬帶高吸收率材料；提出將超薄寬帶高吸收率材料與非制冷紅外探測器像元級集成新思路，獲得了寬譜、NETD小、多色探測的非制冷紅外探測器，NETD降低3倍，研究成果已在中國兵器北方夜視廣微科技應(yīng)用轉(zhuǎn)化。         意向開展成果轉(zhuǎn)化的前提條件：中試放大及產(chǎn)業(yè)化工藝開發(fā)資金支持

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：GB/T50082-2009，JC/T 2630-2021，JTG3420-2020 耐爾得自主研發(fā)的“非接觸法激光收縮膨脹測定儀_NELD-LS730”作為本次標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)范性收縮率試驗(yàn)方法中的試驗(yàn)驗(yàn)證儀器。本品采用進(jìn)口激光傳感器，設(shè)計(jì)了靈活多角度的測試平臺，10.8寸觸摸屏，嵌入式測試軟件，滿足1-6通道的測量，并具備任意雙通道測量橫向試件，單通道縱向測量水泥等膠凝材料的早齡期自由收縮，非接觸測距12mm，精度1μm，有利于科研單位對數(shù)據(jù)精度提高的實(shí)現(xiàn)。

針對生化芯片加工新技術(shù),根據(jù)生化樣品特征，按照整體、高效設(shè)計(jì)，制備 出生化芯片，具有適應(yīng)面廣、直觀，無創(chuàng)，高效等優(yōu)點(diǎn)，在生物醫(yī)學(xué)、食品安全 生化芯片加工等方面都具有廣泛的應(yīng)用前景。