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本發(fā)明公開了一種用于薄膜太陽能電池的碳基光子晶體背反射器，由兩種結(jié)構(gòu)不同的光子晶體疊加構(gòu)成，其結(jié)構(gòu)為[A/B]mAE[C/D]nC，其中A；B；C；D；E的厚度分別為d1=50nm，d2=100nm，d3=70nm，d4=140nm，d5=120nm，m；n為兩種光子晶體的周期數(shù)，m取3，n取4。其制備方法是：RF-PECVD法在普通載玻片上交替沉積a-Si:H和a-C薄膜。本發(fā)明的碳基光子晶體背反射器，具有一維光子晶體全角反射，可實現(xiàn)600—1300nm光波段平均75%的反射率，增加光波在太陽能電池吸收層中的傳播光程，提高光子利用效率，增加光電流密度和光電轉(zhuǎn)換效率。制備工藝簡單。

本發(fā)明公開了一種基于開槽結(jié)構(gòu)的四分之一?；刹▽?dǎo)濾波器，包括四分之一?；刹▽?dǎo)弧形腔，四分之一?；刹▽?dǎo)弧形腔通過基片集成波導(dǎo)圓形腔沿任意兩條相互垂直的磁壁分割得到，四分之一?；刹▽?dǎo)弧形腔包括介質(zhì)基片，介質(zhì)基片的上表面設(shè)有上金屬層，介質(zhì)基片的下表面設(shè)有下金屬層，介質(zhì)基片中沿四分之一?；刹▽?dǎo)弧形腔的周向均勻分布有貫穿上金屬層和下金屬層的金屬通孔。本發(fā)明相對于傳統(tǒng)的基片集成波導(dǎo)圓形腔有效實現(xiàn)了小型化。并且，相對于傳統(tǒng)的多層結(jié)構(gòu)，本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡單，加工方便。此外，相對于傳統(tǒng)的微帶結(jié)構(gòu)，本發(fā)明的濾波器品質(zhì)因數(shù)高，損耗小。

本發(fā)明公開了一種基于多核處理器的高速印花機圖像數(shù)據(jù)旋轉(zhuǎn)處理系統(tǒng)，包括數(shù)據(jù)接收設(shè)備、數(shù)據(jù)解析處理設(shè)備、數(shù)據(jù)傳輸通道和數(shù)據(jù)輸出設(shè)備。本發(fā)明還公開了一種基于多核處理器的高速印花機圖像數(shù)據(jù)旋轉(zhuǎn)處理方法，其通過以太網(wǎng)接口接收數(shù)據(jù)，利用處理器的多個核并行處理數(shù)據(jù)，由FPGA實現(xiàn)數(shù)據(jù)的輸出。相比現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明系統(tǒng)及方法能夠大大提高數(shù)據(jù)的旋轉(zhuǎn)效率以及吞吐量，從而實現(xiàn)數(shù)碼印花機的高效能產(chǎn)出。

本發(fā)明公開了一種基于多核處理器的高速印花機圖像數(shù)據(jù)旋轉(zhuǎn)處理系統(tǒng)，包括數(shù)據(jù)接收設(shè)備、數(shù)據(jù)解析處理設(shè)備、數(shù)據(jù)傳輸通道和數(shù)據(jù)輸出設(shè)備。本發(fā)明還公開了一種基于多核處理器的高速印花機圖像數(shù)據(jù)旋轉(zhuǎn)處理方法，其通過以太網(wǎng)接口接收數(shù)據(jù)，利用處理器的多個核并行處理數(shù)據(jù)，由FPGA實現(xiàn)數(shù)據(jù)的輸出。相比現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明系統(tǒng)及方法能夠大大提高數(shù)據(jù)的旋轉(zhuǎn)效率以及吞吐量，從而實現(xiàn)數(shù)碼印花機的高效能產(chǎn)出。

一 、科研領(lǐng)域及方向：自動控制和智能儀表。PLC、變頻器、伺服電器控制柜電控系統(tǒng)、自動控制系統(tǒng)設(shè)計、現(xiàn)場調(diào)試工作。二、服務(wù)范圍：為中小企業(yè)提供電氣自動化設(shè)計、制作、維修、調(diào)試等一條龍服務(wù)。 1、 為企業(yè)個人提供完整超值的電氣自動化工程技術(shù)一條龍服務(wù)。2、 各種品牌PLC、HMI編程；各種品牌變頻器、工控儀表調(diào)試；3、 貨正價低的各種品牌電氣元器件。4、 自工程投標(biāo)、技術(shù)方案、電氣施工圖設(shè)計、元器件采購、電器柜制作、自動化編程調(diào)試、現(xiàn)場施工管理等整套工程負(fù)責(zé)到底。三、合作方式1、項目論證、可研等前期工作2、簽署合作合同3、全套技術(shù)施工圖、系統(tǒng)說明書、技術(shù)資料4、系統(tǒng)實施5、客戶驗收 6、提供3年免費技術(shù)支持（7×24h）。

本發(fā)明提供的具有高單縱模成品率的脊波導(dǎo)分布反饋(DFB)半 導(dǎo)體激光器，是由自下而上依次排列的 N 型電極(1)、襯底(2)、下包層 (3)、下分別限制層(4)、應(yīng)變多量子阱有源層(5)、上分別限制層(6)、緩 沖層(7)、光柵層(8)、上包層(9)、第一脊條(10)、第二脊條(11)、第一 脊條上的 P 型電極(12)、第二脊條上的 P 型電極(13)組成。本發(fā)明通過 在單個半導(dǎo)體激光器管芯上制作端面反射率相位相差π/2 的兩個

以配合物與被檢測物（農(nóng)殘等有害物）間形成人工配體受體關(guān)系從而實現(xiàn)對被檢測物的分子識別，同時它們具有很好的光學(xué)性能即與被測物分子間相互作用會產(chǎn)生特異的光譜響應(yīng)，通過納米與酶的復(fù)合物構(gòu)建微芯片可建立對被檢測物的“指紋圖譜”，因此，可實現(xiàn)農(nóng)藥殘留快速檢測。檢測結(jié)果具有特異性識別的“分子指紋圖譜”效果。系統(tǒng)由微陣列芯片、微分析系統(tǒng)、光學(xué)信號采集、轉(zhuǎn)化系統(tǒng)、信號的分析處理與顯示系統(tǒng)、嵌入式系統(tǒng)、微控制系統(tǒng)及數(shù)據(jù)庫的集成。該系統(tǒng)選擇具有特異性分子識別作用的卟啉分子，構(gòu)建微傳感陣列，以微傳感陣列與被測物分子相互

近日，國際知名學(xué)術(shù)期刊Advanced Materials以“Progress and Perspectives of Single-atom Catalystsfor Gas Sensing”為題，在線報道了我校機械與動力工程學(xué)院在單原子氣體傳感領(lǐng)域的評論性綜述論文。

本發(fā)明公開了一種基于 CO2 激光器的自校準(zhǔn)測量 SF6 濃度的裝置及方法，運用波長可調(diào)諧 CO2 激光器，在傳統(tǒng)光聲光譜技術(shù)的基礎(chǔ)上，檢測兩個不同波長的光聲信號，并通過數(shù)據(jù)處理計算出 SF6 濃度。該裝置成功實現(xiàn)了自校準(zhǔn)的 SF6 濃度測量，避免了傳統(tǒng)光聲光譜技術(shù)中運用標(biāo)準(zhǔn)氣標(biāo)定檢測系統(tǒng)的過程，從而排除了標(biāo)定過程中氣壓、溫度、緩沖氣等因素對檢測結(jié)果準(zhǔn)確性的影響，從而提高了光聲光譜技術(shù)的測量精度和實用性。此外該自校準(zhǔn)

燃燒器結(jié)構(gòu)從內(nèi)到外依次包括中心天然氣輔助噴嘴通道，中心穩(wěn)燃直流風(fēng)通道，環(huán)形天然氣主噴嘴通道，內(nèi)旋流高速空氣通道（旋流角25度），外軸向高速直流風(fēng)通路。經(jīng)過精確的空氣動力學(xué)設(shè)計，可以實現(xiàn)理想的火焰溫度、速度、強度和剛度，天然氣流量可在100---2700Nm3/h內(nèi)調(diào)節(jié)，具有自主知識產(chǎn)權(quán)。 燃燒器提高了天然氣的噴射壓力（320---390m/s）和噴射速度（2000m3/h），以提高火焰強度和剛性。燃料壓力、流量實際調(diào)節(jié)比可達1：36。火焰的形狀、溫度、強度和剛性在整個火焰長度都能高效熱交換，不形成局部過熱，不出現(xiàn)峰值溫度。一方面有利于熟料結(jié)粒，熟料礦物晶相正常發(fā)育，防止燒成帶揚塵；另一方面有利于形成致密穩(wěn)定的燒成帶窯皮，延長耐火磚使用壽命。 天然氣噴嘴由單一大直徑噴嘴改為較小直徑的多孔噴射平行流多噴嘴。可以加強與一次風(fēng)和二次助燃風(fēng)的摻混，強化燃燒，提高燃燒速度和效率，提高火焰的溫度，縮短根部黑頭長度。 燃燒器采用了火焰穩(wěn)定器技術(shù)，防脫火效果顯著；采用了“攏焰罩”技術(shù)，有利于形成細長體剛性火焰，使窯體溫度分布合理，火焰峰值溫度降低。該燃燒器具備了低過?？諝庀禂?shù)下完全燃燒的性能，因而可以在過?？諝庀禂?shù)1.1下操作，可以節(jié)約的天然氣將可達到總量的10%。 主要性能指標(biāo)：1. 燃料：天然氣（或中高熱值煤氣）；2. 天然氣壓力/流量：天然氣設(shè)計壓力50kPa，中心天然氣輔槍出力500Nm3/h，環(huán)形天然氣主槍出力1500Nm3/h，主、輔槍共同工作出力2000Nm3/h；3. 用途：用于回轉(zhuǎn)窯供熱（窯鋼板內(nèi)徑：3.5m，耐火材料內(nèi)徑3m）；4. 工藝溫度：1400℃，最高溫度：1600℃；5. 安裝位置：安裝在窯罩后部，火焰直接進回轉(zhuǎn)窯，伸進窯筒內(nèi)的火管長度4.5m（窯罩端面至噴火口）；6. 助燃風(fēng)溫度：一次風(fēng)不超過總量的10%，來自凈風(fēng)機,壓力25---50KPa，常溫，二次風(fēng):不小于總量的90%，來自冷卻機,溫度:～800℃； 其中： P氣：為燃燒器噴槍前天然氣表壓力，單位:KPa V輔：為中心輔噴槍的天然氣流量，單位:Nm3/h V主：為環(huán)形主噴槍的天然氣流量，單位:Nm3/h V總：為主、輔噴槍共同工作的天然氣流量，單位:Nm3/h