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自1987年美國(guó)柯達(dá)公司的鄧青云C．W．Tang等人報(bào)導(dǎo)了有機(jī)電致發(fā)光以來(lái)，在全世界范圍興起了一場(chǎng)有機(jī)薄膜發(fā)光二極管研究熱潮。有機(jī)薄膜發(fā)光二極管具有主動(dòng)發(fā)光、響應(yīng)快、全固體化、容易實(shí)現(xiàn)彩色化和驅(qū)動(dòng)電壓低等獨(dú)特的優(yōu)越性，是很有潛力的平板顯示器，它將取代現(xiàn)在統(tǒng)治市場(chǎng)的液晶顯示器。然而高亮度、長(zhǎng)壽命和高效率的有機(jī)電致發(fā)光器件是人們一直夢(mèng)寐以求的。 有機(jī)電致發(fā)光器件雖然發(fā)展非常迅速，發(fā)展規(guī)模也是空前的。但是為了得到高亮度、高效率和長(zhǎng)壽命的有機(jī)電致發(fā)光器件，人們對(duì)有機(jī)電致發(fā)光中的一些問(wèn)題并沒(méi)有很好的解決，如由于目前空穴和電子傳輸層材料和制備工藝的限制，用普通有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)：ITO/空穴傳輸層/有機(jī)發(fā)光層/背電極，有如下一些問(wèn)題：發(fā)光層與電極之間的互擴(kuò)散，沒(méi)有足夠高的空穴和電子遷移率，以及注入的空穴與電子不夠平衡等。這些問(wèn)題限制了有機(jī)電致發(fā)光器的進(jìn)一步改善，成為有機(jī)電致發(fā)光器件發(fā)展的重要瓶頸，無(wú)法制備性能優(yōu)異的有機(jī)發(fā)光器件。 技術(shù)特點(diǎn)： 對(duì)有機(jī)薄膜電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)和電子傳輸層材料進(jìn)行改進(jìn)，從而有效提高有機(jī)薄膜電致發(fā)光器件的亮度、效率和壽命。 技術(shù)特點(diǎn)：是在透明電極上，依次制備空穴傳輸層、有機(jī)發(fā)光層、電子傳輸層、電子電勢(shì)補(bǔ)償層和背電極所組成薄膜結(jié)構(gòu)有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于：在有機(jī)發(fā)光層與電子電勢(shì)補(bǔ)償層之間加入電子傳輸層，電子傳輸層采用寬禁帶無(wú)機(jī)材料。 該器件在有機(jī)發(fā)光層與電子電勢(shì)補(bǔ)償層之間加入無(wú)機(jī)電子傳輸層這種結(jié)構(gòu)可以大大改善有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光層與電極之間的擴(kuò)散，注入的空穴與電子的不夠平衡等，使有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光亮度，效率和奉命得到提高。

中試階段/n該項(xiàng)目是采用納米級(jí)別的加工制造技術(shù)制作具備納米級(jí)尺度并且?guī)в幸欢üδ艿墓怆娮悠骷＜{米光電子器件的工作效率更快，能耗更低，具備強(qiáng)大的信息儲(chǔ)存量，且體積和重量明顯的變小。隨著光電器件在通信、照明、傳感器等領(lǐng)域上的運(yùn)用，納米光電器件的制備技術(shù)已經(jīng)受到越來(lái)越重要的關(guān)注。該項(xiàng)目實(shí)現(xiàn)了一種低成本、大面積、易操作、高效的納米結(jié)構(gòu)制備工藝方法，可實(shí)現(xiàn)在各種材料表面納米結(jié)構(gòu)（50-500nm 直徑納米孔、納

根據(jù)工業(yè)現(xiàn)場(chǎng)的實(shí)際特點(diǎn)，搭建了機(jī)器視覺(jué)的檢測(cè)系統(tǒng)。采用優(yōu)化的圖像預(yù)處理、圖像 分割、邊緣信息提取及相關(guān)參數(shù)整定檢測(cè)方案，對(duì)分立器件管腳幾何參數(shù)進(jìn)行判斷，檢測(cè)結(jié) 果達(dá)到企業(yè)的應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)。采用標(biāo)簽圖像預(yù)處理、分割、特征提取技術(shù)與 BP 神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)特征識(shí) 別技術(shù)相結(jié)合，成功的解決了標(biāo)簽檢測(cè)問(wèn)題。該系統(tǒng)經(jīng)工業(yè)現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用，被證明可以達(dá)到企業(yè) 對(duì)于分立器件管腳幾何形狀的檢測(cè)要求，得到了企業(yè)的肯定。

成果創(chuàng)新點(diǎn) 主要技術(shù)創(chuàng)新路徑（如涉及技術(shù)秘密，可簡(jiǎn)略描述）： 利用多反射腔將原子磁力儀小型化的同時(shí)將檢測(cè)靈敏 度提高一個(gè)量級(jí)，最終好于 50 fT/Hz1/2。引入微納加工手 段，將產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)化，從而可進(jìn)行批量化生產(chǎn)。可進(jìn)一步應(yīng) 用于原子陀螺。 技術(shù)成熟度 關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)階段 市場(chǎng)前景 1.與醫(yī)院合作用于生物磁場(chǎng)測(cè)量和可移動(dòng)式磁成像； 2.共磁力儀用于慣性測(cè)量。

主要技術(shù)創(chuàng)新路徑（如涉及技術(shù)秘密，可簡(jiǎn)略描述）： 利用多反射腔將原子磁力儀小型化的同時(shí)將檢測(cè)靈敏度提高一個(gè)量級(jí)，最終好于 50 fT/Hz1/2。引入微納加工手段，將產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)化，從而可進(jìn)行批量化生產(chǎn)。

微電子器件的發(fā)展方向和趨勢(shì)使人與信息的交互融合并推動(dòng)微電子器件柔性化。柔性電子技術(shù)是將有機(jī)材料/無(wú)機(jī)薄膜電子器件附著于柔性基底上的新興電子技術(shù)，實(shí)現(xiàn)可變形、便攜、輕質(zhì)、可大面積應(yīng)用等特性，并通過(guò)大量應(yīng)用新材料和新工藝產(chǎn)生出大量新應(yīng)用。它顛覆性改變傳統(tǒng)器件剛性的物理形態(tài)，實(shí)現(xiàn)信息與人／物體／環(huán)境的高效共融。

寬禁帶半導(dǎo)體硅基GaN器件以其高效率，高開關(guān)速度高工作溫度抗輻時(shí)等特點(diǎn),成為當(dāng)前國(guó)際功率半導(dǎo)體器件與技術(shù)學(xué)科的研究前沿及熱點(diǎn)，也是業(yè)界普遍認(rèn)可的性能卓越的下代功率半導(dǎo)體器件。而S基GaN因其S基特性.能夠突破新材料在發(fā)展初期的成本牦頸且易與S集成電路產(chǎn)業(yè)鏈匹配，因此兼具高性能與低成本的優(yōu)點(diǎn)在消費(fèi)電子(如手機(jī)快沖與天線充電).數(shù)據(jù)中心與人工智能，無(wú)人駕駛與新能源汽車、5G通信等團(tuán)家戰(zhàn)略新興領(lǐng)城具有巨大的應(yīng)用前景。電子科技大學(xué)功率集成技術(shù)實(shí)驗(yàn)室自2008年起即開展硅基GaN功率器件與集成技術(shù)研究,圍繞硅基GaN兩大核心器件:增強(qiáng)型功率晶體管、功率整流器進(jìn)行基礎(chǔ)研究與應(yīng)用技術(shù)開發(fā)。解決了增強(qiáng)型功率晶體管閾值電壓大范圍調(diào)控功率二圾管導(dǎo)通電壓調(diào)控與耐壓可靠性加查等關(guān)鍵技術(shù)瓶頸,研究成果為硅基GaN的產(chǎn)業(yè)化奠定了重要基礎(chǔ)。

  偶氮苯分子作為典型的光致變色分子，在紫外和可見(jiàn)光的照射下，可實(shí)現(xiàn)順式與反式結(jié)構(gòu)之間的相互轉(zhuǎn)化。在單分子水平研究偶氮苯分子的異構(gòu)化，不僅能實(shí)時(shí)觀測(cè)單個(gè)異構(gòu)化事件的動(dòng)力學(xué)過(guò)程，揭示其對(duì)外界刺激響應(yīng)的規(guī)律，同時(shí)也有望實(shí)現(xiàn)單分子水平的開關(guān)、存儲(chǔ)器等，從而實(shí)現(xiàn)器件微型化/功能化的目的。近幾年，在掃描隧道顯微鏡中觀察到了電場(chǎng)誘導(dǎo)偶氮苯分子異構(gòu)化的現(xiàn)象，但是其異構(gòu)化的機(jī)理尚不明確。