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本發明公開了一種基于平板顯示ＴＦＴ基板的大面積紅外探測器件及其驅動方法，采用薄膜晶體管基板，并采用化學溶液法制備ＰｂＳ或者Ｇｅ半導體量子點，作為光電轉換材料；其次，在ＴＦＴ基板上方采用低溫旋涂、噴墨打印或者轉印等方法，沉積可傳感紅外信號的ＰｂＳ或者Ｇｅ量子點層；在量子點光電轉換層上利用濺射方法制備對紅外吸收較少的公共導電層；薄膜晶體管背板的像素源電極、量子點光電轉換層，以及透明電極構成紅外光敏電阻結構，該光敏電阻吸收紅外信號后，產生光生載流子，從而改變電阻的阻值。本發明提出的紅外探測器件成像面積大，

本成果通過有機光電器件中有機薄膜的缺陷態來揭示： 1. 有機半導體薄膜中的缺陷起源； 2. 界面能級排布或者出現的界面能級釘扎的機理； 3. 缺陷態的存在對器件中載流子傳輸的影響； 4. 使用有效的有機、無機材料摻雜來極大的提高有機半導體薄膜的電導率。從而獲得以有效、簡單的使用方法來提高有機光電器件的性能。

本發明公開了一種基于納米壓電纖維的柔性能量捕獲器件及其制備方法。所述器件自下而上依次包括：柔性基材、電極層、壓電纖維層、保護層；所述柔性基材為柔性絕緣塑料薄膜；所述壓電纖維層為 PVDF 纖維。通過采用柔性基材，采用照相制版工藝制備梳狀電極，并選擇合適的靜電紡絲參數沉積 PVDF 壓電纖維，無需再對壓電纖維進行極化，使纖維整齊排列、減小纖維缺陷，能夠簡化納米壓電纖維能量捕獲器件制備工藝，提高能量轉換效率，尤其是對彎曲運動機械能的捕獲效果。

憶阻器具有運行功耗低、讀寫速度快、集成密度高等優勢，在信息存儲、邏輯運算、類腦計算等領域有重要應用，被視為推進信息技術發展的一種變革性技術。

本發明公開了一種可調控的空間電磁感應透明超材料器件。該 器件包括基板和位于基板上的能產生電磁感應透明現象的金屬單元陣 列；所述金屬單元陣列包括多個陣列分布的金屬單元，所述金屬單元 包括第一金屬微結構和第二金屬微結構，所述第一金屬微結構包括第 一金屬圖形，所述第二金屬微結構包括第二金屬圖形，所述第一金屬 微結構和/或所述第二金屬微結構還包括半導體元件。本發明能有效解 決現有技術中不能簡單快速地對電磁感應透明超材料的工作

該成果創新性地基于二維半導體的硅基同質器件，首次提出了類腦功能的“傳感-計算-存儲一體化”神經形態芯片架構，實現了光電傳感、放大運算、信息存儲功能的一體化集成，為突破馮·諾依曼瓶頸和實現類腦智能提供了一種全新思路。 繆向水教授團隊，長期從事相變存儲器芯片、存算一體憶阻器芯片技術研究。2018年出版了國內第一本憶阻器專著《憶阻器導論》，2019年團隊93項三維相變存儲器芯片專利許可給芯片公司并合作開發產品，并與行業龍頭企業合作建立了聯合實驗室，推動存儲器芯片技術的成果轉化以及未來引領技術的探索。曾榮獲國家科技進步獎2項、湖北省技術發明一等獎1項。 同質晶體管-存儲器架構的原理及器件結構 繆向水團隊長期從事相變存儲器芯片、存算一體憶阻器芯片技術研究。2018年出版了國內第一本憶阻器專著《憶阻器導論》，2019年團隊93項三維相變存儲器芯片專利許可給芯片公司并合作開發產品，并與行業龍頭企業合作建立了聯合實驗室，推動存儲器芯片技術的成果轉化以及未來引領技術的探索。曾榮獲國家科技進步獎2項、湖北省技術發明一等獎1項。

本發明公開一種水平極化翻轉的鐵電憶阻器件及其制備方法。該水平極化翻轉的鐵電憶阻器件包括柔性襯底；二維鐵電功能層，形成在所述柔性襯底上；第一平面電極和第二平面電極，形成在所述二維鐵電功能層兩側；將所述第二平面電極接地，當未在所述第一平面電極施加電壓時，二維鐵電功能層中極化方向無序，器件處于常態；當在所述第一平面電極施加正電壓時，所述二維鐵電功能層中的電疇發生水平極化翻轉，極化方向由第一平面電極端朝向第二平面電極端，器件轉變為低阻態；當在所述第一平面電極施加負電壓時，鐵電層中的電疇發生水平極化翻轉，極化方向由第二平面電極端朝向第一平面電極端，器件轉變為高阻態。

本發明屬于半導體存儲器技術領域，具體為一種基于二維材料的超短溝道非易失閃存器件及其制備方法。本發明通過原子級薄層溝道和柵疊層設計降低特征長度，從而促進器件尺寸微縮；該器件通過能帶設計和范德華堆疊高質量界面降低隧穿勢壘，實現十納秒級編程/擦除速度和非易失特性；器件的短溝道通過垂直沉積和傾斜沉積兩步法工藝實現，且溝道長度能夠通過改變電極厚度和沉積角度來調控。本發明能在不使用先進光刻技術前提下，實現亞10nm溝道長度，突破硅基閃存器件的溝道長度微縮瓶頸，為新型高速非易失存儲器的高密度集成提供新解決方案。

本發明公開了一種寬譜段光電轉換器件量子效率測試系統及方法，包括：量子效率測試箱、電源箱、激光功率計、吉時利源表、控制驅動電路單片機、計算機等。本測試系統可同時測量待測器件的外量子效率(External Quantum Efficiency，EQE)、內量子效率(Internal Quantum Efficiency，IQE)及表面反射率(Reflectance，R)，不需要在測試前使用標準器件進行校準，可測試的光譜波段范圍較寬，為300nm～2250nm，滿足各類不同禁帶光伏電池或光電轉換器件的量子效率測量需求。

現階段所設計的存算一體器件單元結構如圖 1 所示： 器件的基本結構由波導和功能層（由下到上分為加熱層、電極層、保護層、相變材料（硫系化合物）層）所構成。擬通過在當前流行的絕緣層上硅(SOI)光子平臺上集成四氮化三硅光波導的方式實現器件的光學讀取功能，即在非常厚的硅襯底層上生長一層絕緣層二氧化硅和波導層，然后在基片上通過光刻、顯影、刻蝕等工藝制備四氮化三硅波導。功能層主要用于實現器件的電學寫入功能。加熱器層的主要用途是與相變材料層形成電接觸，通過較小的接觸面積使接觸處的熱量集中，從而可以在較小的電壓或電流下使相變材料發生相變。因此需要加熱器層具備較好的導熱和導電性能，同時在近 C 波段具有較低的光損耗，可采用石墨烯。電極層可用于提供相變材料器件單元所需要的編程電脈沖。當前擬采用硒摻雜的相變材料合金（如 GSST）作為器件的核心功能層的相變材料。該材料在通信/非通信波段顯示了極低的光損耗和更高的品質因數，且相變前后在通信 C 波段具有足夠大的光學常數反差，可在更惡劣的高溫環境下進行操作，適用于硅基光子器件應用。 采用的主要技術手段包括： ① 依托于相變材料的電致和光致相變特性，通過電學編程、光學讀取的方法實現器件的存儲、算術運算和邏輯運算功能：  存儲功能的實現：擬利用相變材料晶態低透過率和非晶態高透過率分別代表二進制中的‘1’和‘0’，實現數據存儲（編程）功能。例如在電極兩端施加合適的電脈沖，所產生電流流經加熱層時，生成的熱量主要集中在加熱層和相變材料層接觸處，使得接觸處的相變材料發生相變，實現存儲功能。在完成上述編程操作后，從器件波導輸入端輸入讀取連續光。由于相變材料功能層對光強的吸收能力在編程和非編程區域間存在著顯著的差異，因此當輸入光經過波導后，其能量會因為相變材料編程區域的吸收而發生改變，進而顯著改變輸出光強能量。所以通過測量輸入輸出光強的能量之比（即透過率），可實現對先前編程區域的讀取。  算術和邏輯功能的實現：通過調整編程電脈沖的幅度和寬度可以動態調控相變材料的相變程度，使得器件的中間透過率值可用于代表不同的數值，實現多級存儲功能。所以擬采用輸入脈沖數量對應加數的方法實現標量加法計算。同時由于所設計器件的讀取連續光輸出功率可視為讀取連續光輸入功率和器件透過率的乘積，因此可采用將輸入功率和透過率作為被乘數和乘數的方法實現基本乘法運算。除此之外還可以將器件功能層的初始狀態設置為非晶相，把晶化脈沖幅值和不足以產生晶化的脈沖幅值分別作為輸入邏輯‘1’和‘0’；同時設定一個判定閾值并與編程后器件透過率的變化率進行對比，把高于和低于閾值的透過率變化率分別作為輸出邏輯 ‘1’和‘0’；通過合理選擇編程脈沖有望實現各種邏輯功能輸出。 ② 基于器件透射率可調特性驗證其實現神經突觸的可行性。并依托所設計人工突觸構建人工神經網絡芯片，實現圖像、語音和文本識別功能：  突觸可塑性是大腦記憶和學習的神經生物學基礎，也是人工類腦器件需要實現的首要功能。為實現突觸可塑性，擬把相變材料和波導之間的耦合區域視為仿生神經突觸，左右兩端電極分別代表突觸前和突觸后，分別施加在兩端電極上的電脈沖則作為突觸前和突觸后刺激。通過調節從左右兩端電極輸入耦合區域的電脈沖時間差對耦合區域的光透過率進行連續調控，進而依托于上述存算理論模型和實物器件仿真和實驗實現仿生神經突觸的脈沖時序依賴可塑性（Spike-Timing-Dependent-Plasticity, STDP)。  將不同波長的光脈沖序列輸入所設計的突觸單元, 經過相變材料的作用，脈沖強度發生變化，對應于乘法器。進而借助于微環結構，將不同波長的脈沖導入進同一波導中，該功能類似加法器。相加后的脈沖光強較小時，讀取光與微環發生共振，在輸出端口沒有光強輸出。當光強達到一定的閾值后，讀取信號不再和微環發生共振，而是傳播到輸出端口。這一過程類似神經元脈沖信號的激發，實現了非線性激活函數的功能。利用上述的單個神經元結構，驗證其監督式機器學習和非監督式機器學習。對于監督式機器學習，權重的數值通過外部管理器設置；對于非監督式機器學習，不再需要外部管理器來設置權重值，而是通過輸出光脈沖進行反饋控制，調整權重值。在單個神經元結構的基礎上，更復雜的光學脈沖神經網絡結構，證明該結構的可擴展性。擬設計的神經網絡中的每一層結構包括三個功能單元，即收集器、分發器和神經突觸結構。收集器將上一層不同波長的光脈沖信號收集到同一根波導中，分發器將光脈沖分發給多個神經元，神經突觸結構則產生光脈沖信號，輸入給下一層結構。基于上述結構實現圖片、語音和文本的識別。 創新性分析：①首次研究了一款基于“電學編程、光學讀取”模式的光電混合存算一體化器件。與傳統電學存算一體化器件相比,擬研發的器件可以進行長距離的信息傳輸，具有傳輸帶寬高、信號間延遲低、損耗低、抗干擾、集成密度高等優點。②采用硒(Se)摻雜的相變材料作為存算一體化器件的核心功能材料。與采用其他相變材料的存算一體器件相比，以硒參雜的相變材料作為功能材料的存算一體器件有望展現出極低的光損耗。③提出了一種基于“電學脈沖刺激、光學權重調節”的人工神經突觸。該突觸器件有望成為未來通用型人工神經突觸，填補了光電混合型人工突觸的技術空白。 先進性分析：①所提出的光電混合工作模式使得該存算一體化器件不但具有傳統集成電路的高密度特性，且兼具光通信技術的寬頻帶、低延遲、抗干擾的優越性能。②所采用硒參雜的相變材料不但繼承了傳統材料具有的快速相變轉化速度、低功耗和穩定性強等特性，且本身在通信波段非晶態透明的同時還保持了相變前后足夠大的光學性能差異的特點。③所設計的突觸繼承了人工電子突觸和全光突觸的優點，具有高集成度、低功耗、超快響應時間、穩定性強等優點。 獨占性分析：根據已取得成果正在撰寫專利，以獲得該關鍵技術的獨有權。