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一種閾值電壓可調(diào)的薄膜晶體管作為非易失性存儲(chǔ)器的用途
本發(fā)明公開(kāi)了一種閾值電壓可調(diào)的薄膜晶體管作為非易失性存儲(chǔ)器的用途，薄膜晶體管的頂柵、阻擋層、存儲(chǔ)層、隧穿層及溝道層構(gòu)成了頂柵型存儲(chǔ)器；薄膜晶體管的溝道層、底柵氧化層及底柵構(gòu)成了底柵型TFT。通過(guò)對(duì)頂柵型存儲(chǔ)器進(jìn)行操作實(shí)現(xiàn)非易失性存儲(chǔ)器的“編程/擦除”操作，通過(guò)對(duì)底柵型TFT進(jìn)行操作實(shí)現(xiàn)非易失性存儲(chǔ)器的“讀”操作?！熬幊?擦除(Program/Erase,P/E)”和“讀”操作的分離，提升了存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)窗口、可靠性以及工作速度等的性能。
東南大學(xué)
2021-04-11
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一種二維層狀二硫化鉬薄膜的光探測(cè)器及制備方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種二維層狀二硫化鉬薄膜的光探測(cè)器及制備工 藝，光探測(cè)器包括從上之下依次排列的電極結(jié)構(gòu)、多個(gè)層狀二硫化鉬 薄膜以及襯底；電極結(jié)構(gòu)為電極、主支、分支三部分，相鄰主支之間 和相鄰分支之間的間距為二硫化鉬薄膜的平均大小，起到并聯(lián)二硫化 鉬薄膜、增大光敏面積的作用。二硫化鉬薄膜的生長(zhǎng)采用化學(xué)氣相沉 積(CVD)的方法，硅片作為襯底，MoO3 粉末作為鉬源，硫粉作為硫源， 通過(guò)控制鉬源與襯底之間的間距、硫蒸氣進(jìn)入反應(yīng)的時(shí)間和反應(yīng)溫度， 制備得到大面積的層狀二硫化鉬薄膜。使用該方法制備層狀二硫化鉬
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種二維層狀二硫化鉬薄膜的光探測(cè)器及制備方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種二維層狀二硫化鉬薄膜的光探測(cè)器及制備工 藝，光探測(cè)器包括從上之下依次排列的電極結(jié)構(gòu)、多個(gè)層狀二硫化鉬 薄膜以及襯底；電極結(jié)構(gòu)為電極、主支、分支三部分，相鄰主支之間 和相鄰分支之間的間距為二硫化鉬薄膜的平均大小，起到并聯(lián)二硫化 鉬薄膜、增大光敏面積的作用。二硫化鉬薄膜的生長(zhǎng)采用化學(xué)氣相沉 積(CVD)的方法，硅片作為襯底，MoO3 粉末作為鉬源，硫粉作為硫源， 通過(guò)控制鉬源與襯底之間的間距、硫蒸氣進(jìn)入反應(yīng)的時(shí)間和反應(yīng)溫度， 制備得到大面積的層狀二硫化鉬薄膜。使用該方法制備層狀二硫化鉬
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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網(wǎng)格狀CuxS/Cu2o0,x=1.75~2復(fù)合類金字塔薄膜的制備方法
一種網(wǎng)格狀CuxS/Cu2O，x＝1.75～2復(fù)合類金字塔薄膜的制備方法，具體作法是：將方塊面電阻為10-14歐的FTO，依次用HCl溶液、洗衣粉溶液、異丙醇溶劑超聲洗凈，晾干；取含CuSO4和乳酸的混合溶液，以FTO為工作電極，鉑片為對(duì)電極，采用電壓法沉積；沉積后取出FTO，清洗烘干得Cu2O類金字塔薄膜的FTO；再將其放入Na2S溶液中處理，清洗烘干即在FTO上得網(wǎng)格狀CuxS/Cu2O復(fù)合類金字塔薄膜。該方法設(shè)備簡(jiǎn)單，能耗低，適合大規(guī)模生產(chǎn)；制得物對(duì)太陽(yáng)光吸收波長(zhǎng)范圍寬，作為太陽(yáng)能電池材料具有應(yīng)用前景；可作為模版和反應(yīng)介質(zhì)直接合成其它具有窄禁帶寬度的類金字塔形化合物，作為太陽(yáng)能電池材料。
西南交通大學(xué)
2016-10-20
一種鈦基底上制備有機(jī)分子雜化TiO2納米復(fù)合薄膜的方法
一種鈦基底上制備有機(jī)分子雜化TiO2納米復(fù)合薄膜的方法，其主要步驟是：A、將純鈦片兩次放入多巴胺溶液中各浸泡10-14h，得涂層模板；B、將沒(méi)食子酸、己二胺配成混合溶液，置于35-39℃的水浴中，再將涂層模板在混合溶液中浸3-5h，取出超聲清洗三遍，得有機(jī)分子層模板；C、將0.1-0.2 mol/L的(NH4)2TiF6溶液和0.2-0.4 mol/L的H3BO3溶液，按體積比1:1混合成混合液；再調(diào)節(jié)PH值至2.7-2.9；D、將有機(jī)分子層模板浸入混合液中，在45-55℃的水浴鍋中浸泡10-40h，即得。該法在鈦基底上制備得到的TiO2薄膜的結(jié)合力高、分布均勻、光電轉(zhuǎn)換效率高，生物相容性好。
西南交通大學(xué)
2016-10-25
一種兼具 pH 值和離子強(qiáng)度響應(yīng)的光子晶體水凝膠薄膜、其制備 方法及應(yīng)用
本發(fā)明公開(kāi)了一種兼具 pH 值和離子強(qiáng)度響應(yīng)的光子晶體水凝膠 薄膜、其制備方法及應(yīng)用。所述光子晶體水凝膠薄膜包括 Fe3O4 納米 粒子和聚丙烯酰胺-甲基丙烯酸水凝膠；所述 Fe3O4 納米粒子均勻分散 于水凝膠中，呈一維鏈狀排列，納米粒子在薄膜中的濃度為 1～ 50mg/mL。所述的光子晶體水凝膠薄膜的制備方法，包括將 Fe3O4 納 米粒子和水凝膠單體均勻混合，通過(guò)紫外光使其發(fā)生固化反應(yīng)，最后 浸于可溶性碳酸鹽水
華中科技大學(xué)
2021-01-12
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用于同時(shí)檢測(cè)CU2+ Ｐb2+ Cd2+的陣列式薄膜傳感器及其制備方法
本發(fā)明涉及用于同時(shí)檢測(cè)Cu2+,Pb2+,Cd2+的陣列式薄膜傳感器及基制備方法,以p型或n型Si片作基底,在基底上依次為SiO2層,對(duì)Cu2+,Pb2+,Cd2+敏感的三種薄膜;該薄膜傳感器是通過(guò)激光脈沖沉積技術(shù)在SiO2表面上制備三種敏感薄膜,采用激光沉積技術(shù)把三個(gè)敏感材料分別制備在SiO2表面上,最后形成三種陣列式薄膜傳感器.它對(duì)溶液中的Cu2+,Pb2+,Cd2+具有選擇性,能檢測(cè)出Cu2+,Pb2+,Cd2+的含量.本發(fā)明可在江河湖泊,生物醫(yī)學(xué)領(lǐng)域(如血液,體液),工業(yè)廢水,中藥,蔬菜,水果,茶葉等領(lǐng)域中對(duì)Cu2+,Pb2+,Cd2+同時(shí)進(jìn)行定性和定量檢測(cè).
東北電力大學(xué)
2021-04-30
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一種用于薄膜太陽(yáng)能電池的碳基光子晶體背反射器及其制備方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種用于薄膜太陽(yáng)能電池的碳基光子晶體背反射器，由兩種結(jié)構(gòu)不同的光子晶體疊加構(gòu)成，其結(jié)構(gòu)為[A/B]mAE[C/D]nC，其中A；B；C；D；E的厚度分別為d1=50nm，d2=100nm，d3=70nm，d4=140nm，d5=120nm，m；n為兩種光子晶體的周期數(shù)，m取3，n取4。其制備方法是：RF-PECVD法在普通載玻片上交替沉積a-Si:H和a-C薄膜。本發(fā)明的碳基光子晶體背反射器，具有一維光子晶體全角反射，可實(shí)現(xiàn)600—1300nm光波段平均75%的反射率，增加光波在太陽(yáng)能電池吸收層中的傳播光程，提高光子利用效率，增加光電流密度和光電轉(zhuǎn)換效率。制備工藝簡(jiǎn)單。
河北師范大學(xué)
2021-05-03
科學(xué)技術(shù)大學(xué).jpg){kind=logo}
中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)在過(guò)渡金屬氧化物薄膜室溫反?；魻栃?yīng)研究中取得重要進(jìn)展
中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)合肥微尺度物質(zhì)科學(xué)國(guó)家研究中心的王凌飛、吳文彬教授課題組與西北大學(xué)物理學(xué)院的司良教授合作，在鈣鈦礦結(jié)構(gòu)過(guò)渡金屬氧化物薄膜的磁輸運(yùn)性質(zhì)研究中取得重要進(jìn)展。
中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)
2022-10-17
一種 SnS2/SnS 異質(zhì)結(jié)薄膜太陽(yáng)能電池的一次性制備方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種 SnS2/SnS 異質(zhì)結(jié)薄膜太陽(yáng)能電池的一次性制 備方法，該方法包括以下步驟：基片預(yù)處理，混合原料備用，真空獲 得與基片加熱，氬氣等離子體清洗腔體和基片，等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣 相沉積法沉積異質(zhì)結(jié)，真空退火冷卻，制備 SnS2/SnS 異質(zhì)結(jié)薄膜太陽(yáng) 能電池，本方法中通過(guò)設(shè)置混合原料的比例，并設(shè)定反應(yīng)源加熱溫度 數(shù)值 T 與反應(yīng)沉積時(shí)間數(shù)值 t 的關(guān)系，就能在一次實(shí)驗(yàn)過(guò)程中先后沉 積出質(zhì)量比較優(yōu)異 SnS2 和 SnS 薄膜，從而直接一次性制備出太陽(yáng)能電 池的核心部件 p-n 結(jié)，大大
華中科技大學(xué)
2021-04-14