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功率MOS器件設(shè)計和制備技術(shù)
功率DMOS是一類重要的新型功率器件，具控制電路簡單、開關(guān)頻率高、可靠性好等優(yōu)點，因此廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、汽車電子、DC/DC轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域，市場需求巨大，目前在功率分立器件領(lǐng)域占據(jù)了最大的市場份額。本團隊在功率DMOS器件的研究方面有豐富的技術(shù)積累，開展了大量前沿性研究和產(chǎn)業(yè)化研究，目前本團隊在功率DMOS領(lǐng)域累計授權(quán)發(fā)明專利超過50項，能夠量產(chǎn)的產(chǎn)品型號近百種。
電子科技大學
2021-04-10
高遷移率溝道MOS?器件
已有樣品/nCMOS 研究團隊創(chuàng)新性地在high-k/InGaAs 界面插入極薄外延InP 層， 將high-k/InGaAs 的界面缺陷有效推移至high-k/InP 之間。通過采用多硫化氨[(NH4)2Sx]對InP 進行表面鈍化處理并結(jié)合低溫原子層高k 介質(zhì)沉積技術(shù)，有效抑制了在介質(zhì)沉積以及金屬化后退火過程中的表面氧化和磷原子脫附效應(yīng)，成功將high-k/InP 界面的最低缺陷密度降低至2 × 1011 cm-2eV-1 ， 有效克服了
中國科學院大學
2021-01-12
新型硅基環(huán)柵納米線MOS?器件
已有樣品/n在主流硅基FinFET集成工藝基礎(chǔ)上，通過高級刻蝕技術(shù)形成體硅絕緣硅Fin和高k金屬柵取代柵工藝中選擇腐蝕SiO2相結(jié)合，最終形成全隔離硅基環(huán)柵納米線MOS器件的新方法。并在取代柵中絕緣硅Fin釋放之后，采用氧化和氫氣退火兩種工藝分別將隔離的“多邊形硅Fin”轉(zhuǎn)化成“倒水滴形”和“圓形”兩種納米線結(jié)構(gòu)。
中國科學院大學
2021-01-12
高可靠憶阻器件及其視聽覺傳感應(yīng)用
技術(shù)成熟度：技術(shù)突破
傳統(tǒng)CMOS工藝的圖形處理器通常是由探測、存儲、處理等多個分立系統(tǒng)構(gòu)成，不可避免的增加了集成電路的復雜性、功耗和成本，憶阻器在新型信息存儲器件、存算一體化技術(shù)及人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)等領(lǐng)域有著巨大應(yīng)用潛力。
研發(fā)團隊發(fā)展的感存算一體化新型光電憶阻材料與器件能夠解決傳統(tǒng)人工視聽覺系統(tǒng)在容量、集成度、速度等方面的技術(shù)瓶頸問題，是實現(xiàn)高效智能視聽覺傳感系統(tǒng)的基礎(chǔ)。研發(fā)團隊首次在基于氧化鎢材料憶阻突觸器件的視聽覺系統(tǒng)中模擬了速度檢測的多普勒頻移信息處理，進而實現(xiàn)高通濾波和處理具有相對時序和頻移的尖峰數(shù)據(jù)。這些結(jié)果為視聽覺運動感知的模擬提供了新機會，促進了其在未來神經(jīng)形態(tài)傳感領(lǐng)域的應(yīng)用。
意向開展成果轉(zhuǎn)化的前提條件：中試放大及產(chǎn)業(yè)化工藝開發(fā)資金支持
東北師范大學
2025-05-16
大尺寸均勻單層MoS2可控制備
單層半導體性過渡族金屬硫?qū)倩衔铮∕X2:MoS2, WS2等）是繼石墨烯之后備受關(guān)注的二維層狀材料。該類材料具有優(yōu)異的電學性質(zhì)、強的光物相互作用、高效的催化特性等優(yōu)點，在光電子學器件、傳感器件、電催化產(chǎn)氫等領(lǐng)域具有非常廣闊的應(yīng)用前景。單層MX2材料的批量制備和高品質(zhì)轉(zhuǎn)移是關(guān)鍵的科學問題。現(xiàn)有方法仍面臨著諸多重大挑戰(zhàn)，例如， 難以實現(xiàn)晶圓尺寸的層數(shù)均勻性、單晶疇區(qū)小、生長速度緩慢、生長襯底價格昂貴、轉(zhuǎn)移過程復雜、容易引入污染物等。 北京大學研發(fā)課題組是國內(nèi)較早開展相關(guān)研究的課題組之一，在單層MX2材料的可控制備、精密表征和電催化產(chǎn)氫應(yīng)用方面取得了一系列重要進展：基于范德華外延的機理，他們在晶格匹配的云母基底上首次獲得了厘米尺度均勻的單層MoS2(Nano Lett. 13, 3870 (2013))；在藍寶石上獲得了大疇區(qū)單層WS2(ACS Nano 7, 8963(2013))；發(fā)展了一種新型的金屬性箔材(Au箔)基底，實現(xiàn)了疇區(qū)尺寸可調(diào)單層MoS2的制備，借助STM/STS表征技術(shù)建立起了材料原子尺度的形貌/缺陷態(tài)、電子結(jié)構(gòu)和電催化析氫之間的構(gòu)效關(guān)系。
北京大學
2021-02-01
柔性儲能器件及傳感器件
利于層狀納米材料比表面積大的特點，在碳基柔性襯底上制備了高性能柔性 超級電容器，及葡萄糖傳感器。超級電容器的能量密度最大為50.2Whkg-1,功 率密度為8002 W kg-1 at 17.6 Wh kg-1,充電1分鐘能點亮兩只綠色LED燈3 到5分鐘。性能處于國際先進水平，成果先后發(fā)表于JALC0M , 714(2017) 63-70； 763 (2018) 926-934 等。
重慶大學
2021-04-11
揭示單層MoS2能谷直接-間接帶隙轉(zhuǎn)變的研究
利用大面積高質(zhì)量的單層MoS2薄膜，對其施加了流體靜壓力并進行光譜測量。結(jié)果表明單層MoS2在壓應(yīng)力的作用下，其熒光峰先以49.4 meV/GPa的壓力藍移，后以15.3 meV/GPa的壓力紅移，這對應(yīng)著直接-間接能帶結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)變，轉(zhuǎn)變點壓力為1.9 GPa。
北京大學
2021-04-11
磁流變元器件
磁流變液是一種機敏材料，在外加磁場的作用下，液體的粘度發(fā)生很大的變化，具有很大的抗剪切力，易于控制并且連續(xù)可控。運用磁流液可以制作磁流變剎車、離合器、減振器和阻尼器等高科技磁液變元器件，它們可以用于車輛懸掛系統(tǒng)，土木工程結(jié)構(gòu)抗震、減振及大型能量動力設(shè)備的基礎(chǔ)隔振等方面。此外磁流變阻尼器還可用于制成無級可調(diào)式健身器材。我們針對磁流變減振器具有很大的阻尼力，且
西安交通大學
2021-01-12
新型FinFET?器件工藝
已有樣品/n全金屬化源漏FOI FinFET 相比類似工藝的常規(guī)FinFET 漏電降低1 個數(shù)量級，驅(qū)動電流增大2 倍，驅(qū)動性能在低電源電壓下達到國際先進水平。由于替代了傳統(tǒng)的源漏SiGe 外延技術(shù)，與極小pitch 的大規(guī)模FinFET 器件的兼容性更好，有助于降低制造成本，提高良品率，具有很高的技術(shù)價值。
中國科學院大學
2021-01-12
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光學微腔器件
成果創(chuàng)新點 1.在光學微腔器件的晶體腔加工、PPLN 微腔加工、微 腔耦合與封裝、微腔超高 Q 值檢測方面，分別提出了先進 而完善的實施方案，并申請了相關(guān)發(fā)明專利。現(xiàn)有晶體微 腔 Q 值國內(nèi)最高水平 106，國外達到 109，本項目可優(yōu)于 108， 從而達到國內(nèi)領(lǐng)先，國際先進水平。 2.在光學微腔器件應(yīng)用方面，研發(fā)例如超窄線寬激光 器（精密測量、物理量精密傳感）、超窄線寬濾波器（激 光技術(shù)
中國科學技術(shù)大學
2021-04-14