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成果創新點 1.在光學微腔器件的晶體腔加工、PPLN 微腔加工、微 腔耦合與封裝、微腔超高 Q 值檢測方面，分別提出了先進 而完善的實施方案，并申請了相關發明專利。現有晶體微 腔 Q 值國內最高水平 106，國外達到 109，本項目可優于 108， 從而達到國內領先，國際先進水平。 2.在光學微腔器件應用方面，研發例如超窄線寬激光 器（精密測量、物理量精密傳感）、超窄線寬濾波器（激 光技術

1.在光學微腔器件的晶體腔加工、PPLN 微腔加工、微腔耦合與封裝、微腔超高 Q 值檢測方面，分別提出了先進而完善的實施方案，并申請了相關發明專利。現有晶體微腔 Q 值國內最高水平 106，國外達到 109，本項目可優于 108，從而達到國內領先，國際先進水平。 2.在光學微腔器件應用方面，研發例如超窄線寬激光器（精密測量、物理量精密傳感）、超窄線寬濾波器（激光技術）等小型化器件的技術原理和實現方案。與常規產品相比，體積可縮小至 500 立方厘米以下，精度可提高 2個量級，成本可下降 80%。成果可實現的光學微腔器件主要指標：研制出光學晶體微腔，Q 值優于 108，根據用戶要求研制小型化應用模塊。

博志金鉆技術團隊在磁控濺射領域深耕二十余年，目前已經實現氧化鋁、氮化鋁、氮化硅、單晶金剛石、單晶碳化硅覆銅板的量產，三英寸陶瓷覆銅板月產能10萬片，包括各類種子層方案，銅層厚度0.5-100um，表面無毛刺、劃痕、色差等異樣，350度加熱平臺烘烤5分鐘不起泡。 一、項目進展 已注冊公司運營 二、企業信息 企業名稱 蘇州博志金鉆科技有限責任公司 企業法人 潘遠志 注冊時間 2022/3/31 注冊所在省市 江蘇省 蘇州市 組織機構代碼 91610131MA712U7Q06 經營范圍 一般項目：技術服務、技術開發、技術咨詢、技術交流、技術轉讓、技術推廣；金屬表面處理及熱處理加工；新材料技術研發；新材料技術推廣服務；電子元器件制造；集成電路制造；信息安全設備制造；通信設備制造；光通信設備制造；雷達及配套設備制造；光電子器件制造；真空鍍膜加工；表面功能材料銷售；金屬基復合材料和陶瓷基復合材料銷售；合成材料銷售；有色金屬合金銷售；半導體器件專用設備制造；新型陶瓷材料銷售；電子元器件零售；電子元器件批發；泵及真空設備制造；泵及真空設備銷售；通用設備制造（不含特種設備制造）；玻璃、陶瓷和搪瓷制品生產專用設備制造；電子專用材料研發；電子專用材料制造；特種陶瓷制品銷售；半導體器件專用設備銷售；集成電路設計；機械設備租賃；租賃服務（不含許可類租賃服務）（除依法須經批準的項目外，憑營業執照依法自主開展經營活動） 企業地址 江蘇省 蘇州高新區長亭路8號大新科技園3幢二樓 獲投資情況 2021/07/01蘇州匯伯壹號創業投資合伙企業（有限合伙）天使輪1000萬元 2022/03/22蘇州融享進取創業投資合伙企業（有限合伙）preA輪2500萬元 三、負責人及成員 姓名 學院/所學專業 入學/畢業時間 潘遠志 鄧敏航 楊添皓 電子與信息學部/自動化 2020/2024 陶佳怡 管理學院/大數據管理 2020/2024 林子涵 電氣工程學院/電氣工程及其自動化 2020/2024 袁子涵 電氣工程學院/電氣工程及其自動化 2020/2024 牟國瑜 電氣工程學院/電氣工程及其自動化 2020/2024 楊志鵬 能源與動力工程學院/強基（核工程與核技術） 2020/2024 田繼森 航天航空學院/工程力學 2020/2024 孫浩然 機械工程學院/機械工程 2020/2024 鄭力愷 電氣工程學院/電氣工程及其自動化 2019/2023 王羿淮 管理學院/工商管理 2019/2025 李青卓 材料科學與工程學院/材料科學與工程 2018/2023 四、指導教師 姓名 學院/所學專業 職務/職稱 研究方向 宋忠孝 材料學院/材料系 教授、博士生導師 核電領域；電化學、催化、電池領域；器件、封裝領域：高溫抗氧化燒蝕、高壓抗電弧燒蝕領域；輕量化領域硬質涂層領域 王小華 電氣學院/電機電器及其控制 教授/博導，國家級人才計劃入選者（特聘教授），國家級青年人才計劃入選者（青年學者），教育部新世紀優秀人才，陜西省青年科技標兵。西安交通大學未來技術學院/現代產業學院副院長、實踐教學中心（工程坊）副主任、教務處副處長、創新創業學院副院長，CIGRE開關設備狀態評估工作組成員，中國電工技術學會電器智能化系統及應用專委會委員 開關設備設計、狀態監測與壽命評估 田高良 管理學院/會計與財務 教授、博士生導師 財務預警；內部控制與風險管理；資產評估；信用管理等 五、項目簡介 蘇州博志金鉆科技有限責任公司是一家專門從事高功率半導體封裝材料研發生產的公司。以先進的陶瓷表面金屬化技術為核心形成了包括（1）粉體表面改性；（2）熱壓燒結；（3）研磨、拋光；（4）陶瓷金屬化；（5）增厚、刻蝕；（6）預制金錫焊料；（7）激光切割等環節的完整高端熱沉材料生產體系。公司擁有完整的熱沉材料生產體系，致力于成為“國產化功率半導體器件熱沉材料領跑者”，為我國半導體產業發展添磚加瓦。 博志金鉆技術團隊在磁控濺射領域深耕二十余年，目前已經實現氧化鋁、氮化鋁、氮化硅、單晶金剛石、單晶碳化硅覆銅板的量產，三英寸陶瓷覆銅板月產能10萬片，包括各類種子層方案，銅層厚度0.5-100um，表面無毛刺、劃痕、色差等異樣，350度加熱平臺烘烤5分鐘不起泡。博志金鉆目前蘇州主體工廠面積超過5000平米，含萬級潔凈間。擁有20余臺研磨拋光設備、10余臺燒結爐、4條臥式連續鍍膜設備、5臺立式鍍膜設備，以及超聲清洗、噴淋甩干等完善的配套設備。博志金鉆的工藝流程包括粉體表面改性、熱壓燒結、研磨/拋光、陶瓷金屬化、增厚/刻蝕、預制金錫焊料、激光切割，博志金鉆已經建立了完善的產品生產管理及質量監控體系來進行管控，完成了包括ISO9001、14001等認證，并不斷完善產品檢測設備及手段，確保產品質量穩定。 公司積極進行產品迭代和技術儲備，在高功率半導體封裝材料研發生產領域有著二十余年研發經驗。中國科學院院士孫軍教授和國家萬人計劃領軍人才宋忠孝教授作為本公司首席科學家領銜公司技術研發，進行陶瓷金屬化和半導體封裝基板領域關鍵技術的探索。潘遠志帶領公司與西安交通大學表面工程國際研發中心、金屬材料強度國家重點實驗室合作進行前沿技術開發，團隊與蘇州市產業技術研究院、高新區共同設立蘇州思萃材料表面應用技術研究所，是公司的技術支持和組織依托。目前公司已完成天使輪、preA輪數千萬融資交割，公司投后估值逾2億元。

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        技術成熟度：技術突破         傳統CMOS工藝的圖形處理器通常是由探測、存儲、處理等多個分立系統構成，不可避免的增加了集成電路的復雜性、功耗和成本，憶阻器在新型信息存儲器件、存算一體化技術及人工神經網絡等領域有著巨大應用潛力。         研發團隊發展的感存算一體化新型光電憶阻材料與器件能夠解決傳統人工視聽覺系統在容量、集成度、速度等方面的技術瓶頸問題，是實現高效智能視聽覺傳感系統的基礎。研發團隊首次在基于氧化鎢材料憶阻突觸器件的視聽覺系統中模擬了速度檢測的多普勒頻移信息處理，進而實現高通濾波和處理具有相對時序和頻移的尖峰數據。這些結果為視聽覺運動感知的模擬提供了新機會，促進了其在未來神經形態傳感領域的應用。         意向開展成果轉化的前提條件：中試放大及產業化工藝開發資金支持

產品詳細介紹 最新的MEMS陀螺儀--HTG系列陀螺儀 MEMS陀螺儀HTG系列簡介：最新的MEMS陀螺儀--HTG系列陀螺儀是用來測量角速率的固態傳感器, 采用MEMS芯片，制造采用BIMOS生產工藝和載流焊工藝技術。HTG系列MEMS陀螺儀具有高可靠性和高封裝堅固性;可用于慣性測量元件、高可靠性的汽車電子、導彈制導和控制、飛行器穩定控制、天線穩定、攝像、數碼攝影、機器人等系統。 MEMS陀螺儀HTG系列性能參數：

產品詳細介紹 產 品 名 稱 托馬斯干式變壓器環氧樹脂耐高溫灌封膠（THO4054-2） 概       述 本品系環氧樹脂改性膠粘粘劑，該系列有常溫固化型，其流動性、顏色、耐溫性等可適當調整，固化后表面平整、光亮、無氣泡。雙組份，常溫快速固化，粘接強度高，流動性好，操作簡單。 適 用 范 圍 適用于干式變壓器系列產品，使電子元器件、芯片、匝線圈等起到灌注密封、絕緣保護、防潮抗震的作用。 性   能   特   點 ·外觀：A組份為膏狀體，無固體顆粒。B組份為淺黃色液體。 ·固化速度快，25℃時，1－3小時初固化，18小時接近最大粘接強度。 ·粘接強度高，耐久、耐紫外光性能優良。 ·耐溫性能好，適應溫度范圍廣，低收縮率和耐高低溫范圍較大。 ·粘接表面無需嚴格處理，兩組份按比例調配，使用方便。 ·耐介質性能優良，耐油、水、酸、煤油、乙醇、核、中子輻射等。 ·安全及毒性特征：有極輕微異味，無吸入危險，固化后實際無毒。 ·貯存穩定性較好，貯存期為18個月。 主要技術性能指標如下：耐溫范圍:-52－+180℃ 體積電阻25℃1×1015Ω.cm表面電阻 2.5×1015Ω 耐電壓20-25kV/mm         硬度 shore D 68 收縮率1.5 吸水率24h＜0.1%        玻璃化溫度180℃ 粘接強度:常溫:拉伸強度≥25MPa;   剪切強度≥20 Mpa 150℃:拉伸強度 1．8－2 MPa 使 用 方 法 1、將被粘物除銹、去污、擦凈。 2、將A、B組份按4：1-1．25的比例充分調勻后使用。 3、將調好的膠液涂于被灌封元件表面，靜置2~4小時即可。 注 意 事 項 1、 取膠工具絕不可混用。 2、 膠液如觸及皮膚，可及時用肥皂水沖洗. 3、操作環境注意通風，未用完的膠應蓋好，置于陰涼通風處。 該版權屬于成都托馬斯科技2005-2011所有    

自1987年美國柯達公司的鄧青云C．W．Tang等人報導了有機電致發光以來，在全世界范圍興起了一場有機薄膜發光二極管研究熱潮。有機薄膜發光二極管具有主動發光、響應快、全固體化、容易實現彩色化和驅動電壓低等獨特的優越性，是很有潛力的平板顯示器，它將取代現在統治市場的液晶顯示器。然而高亮度、長壽命和高效率的有機電致發光器件是人們一直夢寐以求的。 有機電致發光器件雖然發展非常迅速，發展規模也是空前的。但是為了得到高亮度、高效率和長壽命的有機電致發光器件，人們對有機電致發光中的一些問題并沒有很好的解決，如由于目前空穴和電子傳輸層材料和制備工藝的限制，用普通有機電致發光器件的結構：ITO/空穴傳輸層/有機發光層/背電極，有如下一些問題：發光層與電極之間的互擴散，沒有足夠高的空穴和電子遷移率，以及注入的空穴與電子不夠平衡等。這些問題限制了有機電致發光器的進一步改善，成為有機電致發光器件發展的重要瓶頸，無法制備性能優異的有機發光器件。 技術特點： 對有機薄膜電致發光器件的結構和電子傳輸層材料進行改進，從而有效提高有機薄膜電致發光器件的亮度、效率和壽命。 技術特點：是在透明電極上，依次制備空穴傳輸層、有機發光層、電子傳輸層、電子電勢補償層和背電極所組成薄膜結構有機電致發光器件，其特征在于：在有機發光層與電子電勢補償層之間加入電子傳輸層，電子傳輸層采用寬禁帶無機材料。 該器件在有機發光層與電子電勢補償層之間加入無機電子傳輸層這種結構可以大大改善有機電致發光器件的發光層與電極之間的擴散，注入的空穴與電子的不夠平衡等，使有機電致發光器件的發光亮度，效率和奉命得到提高。

中試階段/n該項目是采用納米級別的加工制造技術制作具備納米級尺度并且帶有一定功能的光電子器件。納米光電子器件的工作效率更快，能耗更低，具備強大的信息儲存量，且體積和重量明顯的變小。隨著光電器件在通信、照明、傳感器等領域上的運用，納米光電器件的制備技術已經受到越來越重要的關注。該項目實現了一種低成本、大面積、易操作、高效的納米結構制備工藝方法，可實現在各種材料表面納米結構（50-500nm 直徑納米孔、納