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SOP180W耐高溫長軸馬達(dá)
產(chǎn)品詳細(xì)介紹首普機(jī)電作為專業(yè)的高溫馬達(dá)制造商，我們?yōu)槿珖碳姨峁┓€(wěn)定的高質(zhì)量的高溫馬達(dá)供應(yīng)，同時提供全面的信息咨詢服務(wù)，關(guān)于SOP180W耐高溫長軸馬達(dá)一系列問題，歡迎您加工作人員QQ為您解答！ SOP180W耐高溫長軸馬達(dá)特點(diǎn)：1、耐高溫馬達(dá)采用時尚鋁合金外觀設(shè)計,造型美觀。2、馬達(dá)選用高精度軸承日本第一品牌NSK,特種軸承潤滑脂,噪音低,振動小。3、采用高科技設(shè)計,降低馬達(dá)的電磁負(fù)荷,提高馬達(dá)的高性能效率。4、耐高溫馬達(dá)采用耐高溫H級絕緣材料,保證馬達(dá)在高溫環(huán)境下安全運(yùn)行.不老化,不燒壞。5、采用先進(jìn)熱力學(xué)分析方法結(jié)構(gòu)設(shè)計。6、耐高溫馬達(dá)的軸可根據(jù)客戶要求訂做,可加長改短.軸材質(zhì)分別為不銹鋼軸與鉻鋼軸。7、馬達(dá)電壓：單相220V 三相220V/380V,2極,其他量大可訂做. 如你需要更詳細(xì)的了解高溫馬達(dá)或SOP180W耐高溫長軸馬達(dá) 、SOP高溫馬達(dá)120W 等具體的型號參數(shù)，請點(diǎn)擊前面的關(guān)鍵詞查看！
首普國際機(jī)電有限公司東莞銷售部
2021-08-23
STC IAP15W 8051 MCU實(shí)驗箱
該實(shí)驗箱以8051 CPU 1T增強(qiáng)型IAP15W4K58S4芯片為核心，配備豐富的接口和外設(shè)，提供實(shí)驗例程。同時也配備了可插拔的EMOD擴(kuò)展電路板、和一系列EMOD擴(kuò)展接口模塊，給學(xué)生提供一個無限擴(kuò)展的平臺。
上海皮賽電子有限公司
2021-02-01
STC IAP15W 8051 MCU學(xué)習(xí)板
上海皮賽電子有限公司研發(fā)STC IAP15W 8051 MCU學(xué)習(xí)板。
上海皮賽電子有限公司
2021-02-01
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一種基于 GPU 的異步圖數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)
本發(fā)明公開了一種基于 GPU 的異步圖數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)，包括：實(shí) 現(xiàn)一個混合著色的算法：將原有的單一、啟發(fā)式著色算法改為混合著 色算法；數(shù)據(jù)預(yù)處理策略：將原有的基于頂點(diǎn)度數(shù)的預(yù)處理分割方法 改為基于頂點(diǎn)著色分布的方式；異步處理執(zhí)行引擎：將處理引擎的執(zhí) 行方式由同步 BSP 方式改為異步處理的方式，結(jié)合混合著色算法模塊， 實(shí)現(xiàn) GPU 上的無鎖異步編程；在異步處理執(zhí)行引擎內(nèi)部，實(shí)現(xiàn)迭代處 理模塊、數(shù)據(jù)流執(zhí)行模塊，對 CPU
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種基于 GPU 的多波前潮流計算方法和系統(tǒng)
本發(fā)明公開了一種基于 GPU 的多波前潮流計算方法，該方法包 括：1)波前矩陣鏈異步并發(fā)執(zhí)行；2)CPU-GPU 間任務(wù)的分配；3)GPU 上矩陣乘法、減法算法的優(yōu)化。波前矩陣鏈采用異步并發(fā)執(zhí)行的模式 處理，GPU 的資源得到了充分的利用；根據(jù)矩陣的大小決定采用 CPU 還是 GPU 處理，使得單個矩陣的處理時間最少，結(jié)合波前矩陣鏈的異 步并發(fā)執(zhí)行，能盡可能的減少 CPU、GPU 的空閑等待時間；在 GPU 上對矩陣
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種基于 GPU 的多尺度空間特征提取方法
本發(fā)明公開了一種基于 GPU 的多尺度空間特征提取方法，包括 以下步驟：利用多尺寸并行非線性濾波構(gòu)造尺度空間、在尺度空間中 并行的進(jìn)行關(guān)鍵點(diǎn)檢測和描述符生成。其中尺度空間構(gòu)造包括：多尺 寸數(shù)據(jù)打包、多尺寸并行降采樣、多尺寸并行非線性濾波的具體執(zhí)行 步驟。為了提高算法的并行度、降低數(shù)據(jù)依賴性，通過并行降采樣提 前得到各個尺寸下的初始圖像，使得各個尺寸下的非線性濾波、關(guān)鍵 點(diǎn)檢測和描述符生成可以在 GPU 中并行的執(zhí)行。
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種面向 GPU 集群的資源管理方法和系統(tǒng)
本發(fā)明公開了一種面向 GPU 集群的資源管理方法，包括：主管 理節(jié)點(diǎn)建立兩張表：資源信息表和任務(wù)信息表；主管理節(jié)點(diǎn)接收到新 任務(wù)；判斷任務(wù)是 CPU 任務(wù)還是 GPU 任務(wù)；主管理節(jié)點(diǎn)查找滿足任 務(wù)需求的空閑資源；對于 CPU 任務(wù)，次管理節(jié)點(diǎn)對任務(wù)的數(shù)據(jù)進(jìn)行預(yù) 處理，將數(shù)據(jù)片分發(fā)到其管理的所有節(jié)點(diǎn)進(jìn)行計算，計算完成后，主 管理節(jié)點(diǎn)根據(jù)任務(wù)號回收次管理節(jié)點(diǎn)管理的所有節(jié)點(diǎn)的相關(guān) CPU 資 源；對于 GPU 任務(wù)，在檢
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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耐蝕耐磨化學(xué)鍍Ni-W-P合金
化學(xué)鍍Ni-P具有優(yōu)良的耐腐蝕性能，在工業(yè)生產(chǎn)中獲得了廣泛應(yīng)用。但是，隨著應(yīng)用的增多也出現(xiàn)了一些問題。由于化學(xué)鍍層是陰極性的，如在施鍍過程中形成針孔、麻點(diǎn)以及使用過程中外力對鍍層的損壞等，往往造成鍍層在腐蝕介質(zhì)中形成電偶腐蝕，使得鍍層不僅對基體起不到保護(hù)作用，反而加速了基體的腐蝕。三元合金Ni-W-P鍍層的出現(xiàn)在一定程度上解決了Ni-P鍍層中所存在的問題。W元素的加入可以提高鍍層的致密性，減小了腐蝕介質(zhì)穿透鍍層在鍍層與基體之間形成電偶腐蝕的幾率。此外，W是一種自鈍化元素，在腐蝕介質(zhì)中有利于鍍層表面鈍化膜的形成，提高了鍍層的耐蝕性能，因此，P的含量相近時Ni-W-P鍍層的耐蝕性能優(yōu)于Ni-P鍍層。但是Ni-W-P鍍層與Ni-P鍍層相比在與基體的結(jié)合力上并沒有提高，在后續(xù)加工過程中如受到一定外力作用時，鍍層很容易脫落，這就使得鍍層的應(yīng)用范圍受到了一定的限制。該技術(shù)針對現(xiàn)有化學(xué)鍍層在使用過程中所存在的問題，提出將含有一定量W元素的Ni-W-P鍍層在高溫下進(jìn)行熱處理，提高鍍層的結(jié)合力和硬度，大幅度提高鍍層的耐蝕耐磨性能，延長鍍層的使用壽命。
華東理工大學(xué)
2021-04-11
耐蝕耐磨化學(xué)鍍Ni-W-P合金
化學(xué)鍍Ni-P具有優(yōu)良的耐腐蝕性能，在工業(yè)生產(chǎn)中被廣泛應(yīng)用。但是，隨著應(yīng)用的增多也 出現(xiàn)了一些問題。由于化學(xué)鍍層是陰極性的，如在施鍍過程中形成針孔、麻點(diǎn)以及使用過程中 外力對鍍層的損壞等，往往造成鍍層在腐蝕介質(zhì)中形成電偶腐蝕，使得鍍層不僅對基體起不到 保護(hù)作用，反而加速了基體的腐蝕。 三元合金Ni-W-P鍍層的出現(xiàn)在一定程度上解決了Ni-P鍍層中所存在的問題。W元素的加入 可以提高鍍層的致密性，減小了腐蝕介質(zhì)穿透鍍層在鍍層與基體之間形成電偶腐蝕的幾率。此 外，W是一種自鈍化元素，在腐蝕介質(zhì)中有利于鍍層表面鈍化膜的形成，提高了鍍層的耐蝕性 能，因此，P的含量相近時Ni-W-P鍍層的耐蝕性能優(yōu)于Ni-P鍍層。但是Ni-W-P鍍層與Ni-P鍍層 相比在與基體的結(jié)合力上并沒有提高，在后續(xù)加工過程中如受到一定外力作用時，鍍層很容易 脫落，這就使得鍍層的應(yīng)用范圍受到了一定的限制。 該技術(shù)針對現(xiàn)有化學(xué)鍍層在使用過程中所存在的問題，提出將含有一定量W元素的Ni-W-P 鍍層在高溫下進(jìn)行熱處理，提高鍍層的結(jié)合力和硬度，大幅度提高鍍層的耐蝕耐磨性能，延長 鍍層的使用壽命。 可應(yīng)用于換熱器、泵、軸、空冷等耐蝕或者耐磨的場合
華東理工大學(xué)
2021-04-11
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新型納米復(fù)合W-氧化物電極材料
W-氧化物電極材料（通常氧化物種類為ThO2,CeO2及La2O3等，含量為2%重量百分比）廣泛應(yīng)用于惰性氣體保護(hù)電弧焊和等離子體焊接、切割、噴涂、熔煉等工業(yè)領(lǐng)域。在使用過程中，電極材料擔(dān)負(fù)發(fā)射電子，維持電弧穩(wěn)定燃燒的作用，同時還承受高能離子轟擊和高燒蝕等惡劣服役條件。正是由于其重要地位，電極材料被譽(yù)為電弧等離子體發(fā)生器的"心臟"。采用先進(jìn)特殊工藝開發(fā)的新
西安交通大學(xué)
2021-01-12