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新型
FinFET
?器件工藝
已有樣品/n全金屬化源漏FOI FinFET 相比類似工藝的常規FinFET 漏電降低1 個數量級,驅動電流增大2 倍,驅動性能在低電源電壓下達到國際先進水平。由于替代了傳統的源漏SiGe 外延技術,與極小pitch 的大規模FinFET 器件的兼容性更好,有助于降低制造成本,提高良品率,具有很高的技術價值。
中國科學院大學
2021-01-12
阻變存儲器與鐵電
FinFET
已有樣品/n基于HZO鐵電FinFET的混合存儲器件。該器件在電荷俘獲模式下,表現出高耐 久性(>1012),高操作速度(<20ns),良好的數據保持特性(104@85oC),與DRAM 的性能相近,為在SOC芯片及CPU芯片中集成嵌入式DRAM提供了可能。當器件工作在 電籌翻轉模式下的時候,器件表現出非常好的數據保持特性(>10年)以及對讀取 信號串擾的免疫能力,使該器件同時具有優越的不揮發存儲特性。
中國科學院大學
2021-01-12
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