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本發(fā)明公開了一種基于超材料的肖特基型毫米波多譜信號探測器，包括自下而上依次設(shè)置的襯底層、N 型砷化鎵層、二氧化硅層與超材料層、歐姆電極和肖特基電極；其中超材料層為具有周期性微納米結(jié)構(gòu)的金屬開環(huán)共振單元陣列，所述金屬開環(huán)共振單元陣列包含了多種圖形及其特征尺寸參數(shù)，每個圖形對于特定電磁波具有完全吸收特性，通過改變金屬開環(huán)共振單元的結(jié)構(gòu)和尺寸參數(shù)可以調(diào)控對應的電磁波吸收頻段，通過改變 N 型砷化鎵的耗盡層寬度可以調(diào)控超材料

本發(fā)明公開了一種深孔加工用超細硬質(zhì)合金刀具材料的制備方法，其特征是采用VC-Co飽和固溶體為粘結(jié)相，并通過超聲分散和pH值調(diào)節(jié)使表面包覆吐溫80分子膜；采用（WC，VC）二元復合粉末實現(xiàn)VC對WC晶界面遷移抑制；控制用于提高紅硬性的(W，Ta)C粉末的重量*平均粒度=（WC，VC）粉末的重量*平均粒度，使二者顆粒數(shù)匹配。

浙江大學聚焦超潔凈流控系統(tǒng)基礎(chǔ)研究、技術(shù)攻關(guān)和產(chǎn)品研發(fā)，攻克了影響光刻分辨率、良品率與產(chǎn)率的1mk級溫度測控、5ppt級金屬離子測控、20μm級氣泡測控、50nm級殘留液膜測控等關(guān)鍵核心技術(shù) 一、項目分類 關(guān)鍵核心技術(shù)突破 二、技術(shù)分析 如何通過超潔凈流控技術(shù)降低流控污染，減少曝光缺陷，提升曝光良率，是國產(chǎn)高端半導體制造裝備研制面臨的重大挑戰(zhàn)，直接關(guān)乎整機產(chǎn)品的產(chǎn)線應用性能與市場競爭力。此外，作為各類半導體制造裝備的共性核心零部件，超潔凈流控部件市場被美國、日本等國壟斷，使我國半導體制造裝備產(chǎn)業(yè)面臨核心零部件“卡脖子”風險。浙江大學流體動力與機電系統(tǒng)國家重點實驗室啟爾團隊所承擔的高端半導體制造裝備核心分系統(tǒng)之一的超潔凈流控系統(tǒng)，自2004年以來在國家863計劃和國家02專項支持，聚焦超潔凈流控系統(tǒng)基礎(chǔ)研究、技術(shù)攻關(guān)和產(chǎn)品研發(fā)，攻克了影響光刻分辨率、良品率與產(chǎn)率的1mk級溫度測控、5ppt級金屬離子測控、20μm級氣泡測控、50nm級殘留液膜測控等關(guān)鍵核心技術(shù)，完成了超潔凈流控系統(tǒng)九大組件的研制和集成測試，為半導體制造設(shè)備掃描速度與產(chǎn)能的提高提供基礎(chǔ)理論與方法依據(jù)，同時自主研發(fā)的半導體機臺核心超潔凈流控零部件實現(xiàn)了產(chǎn)品化，突破了國外技術(shù)的封鎖，為我國半導體制造的發(fā)展與自主創(chuàng)新提供了基礎(chǔ)支撐。

本發(fā)明屬于超材料設(shè)計相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域，其公開了一種適用于具有功能梯度及拉脹屬性的超材料的拓撲優(yōu)化方法，其包括以下步驟：(1)采用加權(quán)法建立每層的、同時考慮微觀結(jié)構(gòu)拉脹屬性及宏觀結(jié)構(gòu)剛度屬性的多目標優(yōu)化模型；(2)控制所述超材料結(jié)構(gòu)整體在一個方向上的拉脹屬性及剛度屬性呈梯度形式分布；(3)計算每層設(shè)計域上的微觀位移、宏觀位移、以及每層微結(jié)構(gòu)的等效彈性屬性；(4)基于計算獲得的敏度，采用優(yōu)化準則法更新設(shè)計變量，進而判斷所述目標函數(shù)是否收斂。上述拓撲優(yōu)化方法采用加權(quán)法建立同時考慮微觀結(jié)構(gòu)拉脹屬性及宏觀結(jié)構(gòu)剛度屬性的多目標優(yōu)化模型繼而進行優(yōu)化，使得優(yōu)化后的超材料同時具備拉脹屬性及足夠的剛度。

全三維粒子模擬軟件CHIPIC是國家*63計劃*03主題支持項目“***粒子模擬軟件研發(fā)”的主要研究內(nèi)容，其研究目的是在堅實理論基礎(chǔ)指導下，深入開展強波粒相互作用理論及HPM和HPMM相關(guān)理論研究，建立強流相對論互作用的理論體系，為高功率微波器件理論研究提供一款實用的粒子模擬軟件。 因為粒子模擬軟件在軍事領(lǐng)域有重大應用價值，國外的一些先進粒子模擬軟件對我國是禁運的（如美國的MAGIC），從而一些內(nèi)部技術(shù)對我國也是封閉的。本軟件是完全依靠國內(nèi)的自身條件研制完成的，是具有完全知識產(chǎn)權(quán)的軟件。由本軟件運算的準確性（與國外軟件比較驗證）可以證明本成果使用的技術(shù)線路是完全可與國外軟件媲美的。 該項目完成了三維電磁粒子模擬理論與算法、軟件設(shè)計、軟件測試等研究內(nèi)容，突破了高效并行計算、大尺度結(jié)構(gòu)建模、三維PIC/MCC混合算法等關(guān)鍵技術(shù)，設(shè)計了友好的圖形化輸入界面及多窗口輸出界面，形成了功能完整的CHIPIC3D模擬軟件。并最終應用于對高功率微波源、真空電子學太赫茲源、脈沖功率真空器件等進行三維粒子模擬。 該項目主要技術(shù)指標如下：1.CHIPIC3D全三維電磁粒子模擬軟件在直角及圓柱坐標系下實現(xiàn)了三維FDTD及粒子算法，能對各種對稱、非對稱結(jié)構(gòu)的高功率微波源及太赫茲波源器件進行三維粒子模擬，模擬結(jié)果與實驗吻合。2.采用基于消息交換與共享內(nèi)存相結(jié)合的并行計算方法，使加速比達到30以上;3.采用分段建模并行計算的方法，能對30米以上大尺度精細結(jié)構(gòu)進行三維粒子建模及模擬；4.將蒙特卡洛及Vaughan模型算法應用于三維粒子模擬軟件，使其能模擬介質(zhì)表面二次電子倍增、氣體放電及介質(zhì)表面擊穿等復雜物理問題；5.采取面向?qū)ο蟮姆椒ǎ芴峁┯押玫膱D形化的輸入界面及多窗口輸出界面。 目前該軟件已在中國工程物理研究院流體物理研究所、中國工程物理研究院應用電子學研究所、北京應用物理與計算數(shù)學研究所、國營第七七二廠、四川大學電子信息學院、西南交通大學等單位應用。從軍事應用角度來看，該軟件將縮短我國高功率微波源的研究周期，從而加快我國軍隊相關(guān)武器裝備的研究進程；從經(jīng)濟效益角度來看，該軟件避免了大量的重復加工及重復試驗，節(jié)約了大量的人力物力，從而為用戶單位帶來巨大的經(jīng)濟效益。

2-酮基-D-葡萄糖酸 (2-keto-D-gluconic acid，2KGA) 是工業(yè)上大規(guī)模生產(chǎn)的一種有機酸，主 要用于食品抗氧化劑D-異抗壞血酸及D-異抗壞血酸鈉的合成。本項目采用氧化葡萄糖酸桿菌 靜息細胞轉(zhuǎn)化法生產(chǎn)2-KGA。轉(zhuǎn)化反應體系中，底物葡萄糖濃度達到300g/l左右，2-KGA的產(chǎn) 率在95%以上，時空產(chǎn)率達到13.48g/l/h。國內(nèi)外報道的最高發(fā)酵生產(chǎn)水平是11.4g/l/h。 現(xiàn)有的2-KGA生產(chǎn)，主要通過熒光假單胞菌發(fā)酵葡萄糖或淀粉水解糖。工藝面臨的主要問 題是抗噬菌體菌株的篩選、連續(xù)發(fā)酵的周期長、菌體與CaSO4 的分離等。 本項目采用靜息細 胞轉(zhuǎn)化法生產(chǎn)2-KGA。本項目和發(fā)酵法比較，具有轉(zhuǎn)化反應簡單、易控制、時間短、后處理容 易等優(yōu)勢。

本發(fā)明公開了一種3D?MIMO多小區(qū)下行自適應傳輸方法，各基站采用均勻平面天線陣，各用戶設(shè)置一個優(yōu)先級。初始狀態(tài)時所有用戶優(yōu)先級設(shè)為1，隨后每一調(diào)度時隙，各小區(qū)利用用戶優(yōu)先級和已知統(tǒng)計信道信息選出本小區(qū)服務用戶集合并計算各用戶波束成形向量及發(fā)送功率，接著各小區(qū)對服務用戶利用大尺度衰落因子劃分與相鄰小區(qū)的邊緣用戶，對各邊緣用戶與相鄰小區(qū)進行干擾協(xié)調(diào)。最后，將此調(diào)度時隙內(nèi)的服務用戶優(yōu)先級設(shè)為1，其余用戶優(yōu)先級加1直至達到最高優(yōu)先級，各小區(qū)僅對其服務用戶集合中的用戶進行預編碼傳輸。本發(fā)明具有所需信息量小、計算復雜度低的優(yōu)點，可靈活設(shè)置門限滿足不同的用戶服務質(zhì)量，有效提升邊緣用戶服務質(zhì)量和用戶公平性。

"磷脂酶 D （PLD）是一類具有水解作用和磷酰基轉(zhuǎn)移作用的酶, 在磷脂改性方面發(fā)揮著重要作用。它可以將大量磷脂酰膽堿(PC) 催化合成為自然界稀有的磷脂質(zhì)，如磷脂酰乙醇胺(PE)、磷脂酰絲氨酸(PS)和磷脂酰甘油(PG)等，合成的磷脂質(zhì)在醫(yī)藥和食品工業(yè)具有很大的應用前景。但由于來源不足和價格高，PLD的工業(yè)應用一直受到限制。本項目通過基因工程和微生物發(fā)酵技術(shù)，解決了PLD工業(yè)化應用中難表達和表達量不足的難題，利用重組大腸桿菌發(fā)酵實現(xiàn)了PLD的高水平表達，其酶活為106 U?L-1，產(chǎn)量為748 mg?L-1，分別比目前報道的最高水平提高了100倍和20倍；同時，本項目還建立了一種簡單有效提取重組PLD的方法，可望大大降低PLD的生產(chǎn)成本。本技術(shù)先進，應用前景看好，如按106 U?L-1的發(fā)酵水平生產(chǎn)，成本約100元人民幣/1000 U，目前市場售價在3000-6000元/1000 U，利潤空間很大。 "

該項目主要技術(shù)指標如下：1.CHIPIC3D全三維電磁粒子模擬軟件在直角及圓柱坐標系下實現(xiàn)了三維FDTD及粒子算法，能對各種對稱、非對稱結(jié)構(gòu)的高功率微波源及太赫茲波源器件進行三維粒子模擬，模擬結(jié)果與實驗吻合。2.采用基于消息交換與共享內(nèi)存相結(jié)合的并行計算方法，使加速比達到30以上;3.采用分段建模并行計算的方法，能對30米以上大尺度精細結(jié)構(gòu)進行三維粒子建模及模擬；4.將蒙特卡洛及Vaughan模型算法應用于三維粒子模擬軟件，使其能模擬介質(zhì)表面二次電子倍增、氣體放電及介質(zhì)表面擊穿等復雜物理問題；5.采取面向?qū)ο蟮姆椒ǎ芴峁┯押玫膱D形化的輸入界面及多窗口輸出界面。