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本發(fā)明公開(kāi)了一種核殼結(jié)構(gòu)CuO@γ?Al2O3復(fù)合粒子的制備方法，其先將十二水硫酸鋁鉀和尿素按摩爾比為1：2加入去離子水中攪拌，得溶液A；在葡萄糖水溶液中逐滴加入乙酸銅溶液攪拌，得溶液B；將溶液A逐滴滴加至溶液B中攪拌，并加熱反應(yīng)得沉淀物，沉淀物經(jīng)過(guò)濾、干燥；置于馬弗爐中，以升溫速率為2～3°C/min升溫至500～600°C，并保持2～4h，得到CuO為內(nèi)核、γ?Al2O3為殼層的核殼結(jié)構(gòu)CuO@γ?Al2O3復(fù)合粒子。本發(fā)明采用水熱法一步合成技術(shù)，未采用有機(jī)溶劑、不產(chǎn)生工業(yè)廢水，綠色環(huán)保；且制備

針對(duì)我國(guó)低 C/N 比污水現(xiàn)狀和深度脫氮除磷的要求，本項(xiàng)目全面開(kāi)發(fā)適用于低 C/N 比污水處理的A2/O+BAF（曝氣生物濾池）深度脫氮除磷工藝技術(shù)，以解決我國(guó)污水深度脫氮除磷碳源缺乏的問(wèn)題。本項(xiàng)目基于反硝化除磷技術(shù)和雙污泥理論，構(gòu)建 A2/O+BAF 系統(tǒng)，從工藝設(shè)計(jì)上解決傳統(tǒng)工藝中脫氮和除磷污泥齡的矛盾，并建立起強(qiáng)化 A2/O+BAF 工藝反硝化除磷性能的過(guò)程控制方法，使污水處理在不外加碳源的條件下能夠達(dá)標(biāo)排放，并且能夠節(jié)省曝氣能耗和降低污泥產(chǎn)量，是一種具有廣泛應(yīng)用價(jià)值的新型污水處理技術(shù)。

一、項(xiàng)目進(jìn)展 創(chuàng)意計(jì)劃階段 二、負(fù)責(zé)人及成員 姓名 學(xué)院/所學(xué)專(zhuān)業(yè) 入學(xué)/畢業(yè)時(shí)間 學(xué)號(hào) 馮疇境 化學(xué)化工學(xué)院環(huán)境工程 2019-2023 201931043101 李暄 化學(xué)化工學(xué)院環(huán)境工程 2019-2023 201931043116 羅雨欣 化學(xué)化工學(xué)院環(huán)境工程 2019-2023 201931043111 黃品杰 化學(xué)化工學(xué)院環(huán)境工程 2019-2023 201931043110 張一丹 化學(xué)化工學(xué)院環(huán)境工程 2019-2023 201931043105 三、指導(dǎo)教師 姓名 學(xué)院/所學(xué)專(zhuān)業(yè) 職務(wù)/職稱(chēng) 研究方向 周家斌 化學(xué)化工學(xué)院 教授 環(huán)境材料與污染控制 劉丹 化學(xué)化工學(xué)院 講師 環(huán)境材料與污染控制 四、項(xiàng)目簡(jiǎn)介 工業(yè)生產(chǎn)當(dāng)中產(chǎn)生大量的有機(jī)廢水需要凈化處理，對(duì)此問(wèn)題，本課題準(zhǔn)備采用光催化耦合基于硫酸根自由基的快速降解水中有機(jī)污染物。制備出磁性好、易回收且具有良好催化性能的Z型CuFe2O4/MnO2復(fù)合材料來(lái)活化PMS。PMS在復(fù)合催化材料表面會(huì)迅速反應(yīng)生成硫酸根和羥基的自由基，同時(shí)在光照下實(shí)現(xiàn)電子空穴的有效分離。通過(guò)光催化和高級(jí)氧化產(chǎn)生的強(qiáng)氧化性的活性物種會(huì)爭(zhēng)奪有機(jī)物的最外層電子來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)有機(jī)廢水的高效降解。 因?yàn)镃uFe2O4具有磁性好、易回收、可重復(fù)使用、低毒、化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定、可見(jiàn)光催化活性等優(yōu)點(diǎn)，可減少二次污染，且能夠高效的活化PMS，此外，PMS可作為電子受體快速轉(zhuǎn)移和消耗光生電子，實(shí)現(xiàn)電子和空穴的有效分離，提高其光催化活性。同時(shí)，通過(guò)摻雜MnO2顆粒進(jìn)一步提高CuFe2O4催化劑比表面積，在反應(yīng)體系中能夠進(jìn)一步活化PMS產(chǎn)生氧化自由基，從而有效地降解有機(jī)物。

產(chǎn)品詳細(xì)介紹

集成電路是微電子技術(shù)的核心，與國(guó)防和國(guó)民經(jīng)濟(jì)現(xiàn)代化, 乃至人們的文化生活都息息相關(guān)。集成電路由芯片和框架經(jīng)封裝而成, 其中框架既是骨架又是半導(dǎo)體芯片與外界的聯(lián)接電路, 是芯片的散熱通道, 又是連結(jié)電路板的橋梁, 因此框架在集成電路器件和各組裝程序中占有極其重要的地位，目前，由于集成電路向高密度, 高集成化方向發(fā)展, 芯片的散熱問(wèn)題已成為突出矛盾。集成電路大規(guī)模和超大規(guī)模的迅速推進(jìn)，對(duì)集成電路框架及材料提出了高、精、尖、短、小、輕、薄的要求，過(guò)去廣泛使用的鐵鎳42合金已不能滿(mǎn)足要求。而銅合金框架材料, 利用銅合金優(yōu)良的傳熱性能, 加入少量強(qiáng)化元素, 通過(guò)固溶強(qiáng)化和彌散強(qiáng)化提高其強(qiáng)度, 同時(shí)僅稍微損失導(dǎo)熱性能。目前，銅合金框架已成為主體，形成了中強(qiáng)中導(dǎo)、高強(qiáng)中導(dǎo)、高強(qiáng)高導(dǎo)合金系列。以前，由于在合金的熔煉工藝、軋制和熱處理工藝以及板型控制等關(guān)鍵技術(shù)與國(guó)外先進(jìn)水平有較大差距，我國(guó)所使用的大規(guī)模集成電路引線框架材料長(zhǎng)期以來(lái)都是依靠進(jìn)口。目前，本課題組通過(guò)一系列研究，開(kāi)發(fā)了具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的Cu-Ni-Si系合金，并實(shí)現(xiàn)了Cu-Fe-P 系合金銅帶和異型帶的國(guó)產(chǎn)化大規(guī)模生產(chǎn)。 一、Cu-Ni-Si系銅合金主要性能指標(biāo) 1.抗拉強(qiáng)度σb：650～750MPa； 2.延伸率>8%； 3.導(dǎo)電率：45～60%IACS。 二、Cu-Fe-P系銅合金主要性能指標(biāo) 1.抗拉強(qiáng)度σb：450～600MPa； 2.延伸率>7%； 3.導(dǎo)電率：60～80%IACS。

集成電路是微電子技術(shù)的核心，與國(guó)防和國(guó)民經(jīng)濟(jì)現(xiàn)代化，乃至人們的文化生活都息息相關(guān)。集成電路由芯片和框架經(jīng)封裝而成，其中框架既是骨架又是半導(dǎo)體芯片與外界的聯(lián)接電路，是芯片的散熱通道，又是連結(jié)電路板的橋梁，因此框架在集成電路器件和各組裝程序中占有極其重要的地位，目前，由于集成電路向高密度，高集成化方向發(fā)展，芯片的散熱問(wèn)題已成為突出矛盾。集成電路大規(guī)模和超大規(guī)模的迅速推進(jìn)，對(duì)集成電路框架及材料提出了高、精、尖、短、小、輕、薄的要求，過(guò)去廣泛使用的鐵鎳42合金已不能滿(mǎn)足要求。而銅合金框架材料，利用銅合金優(yōu)良的傳熱性能，加入少量強(qiáng)化元素，通過(guò)固溶強(qiáng)化和彌散強(qiáng)化提高其強(qiáng)度，同時(shí)僅稍微損失導(dǎo)熱性能。目前，銅合金框架已成為主體，形成了中強(qiáng)中導(dǎo)、高強(qiáng)中導(dǎo)、高強(qiáng)高導(dǎo)合金系列。以前，由于在合金的熔煉工藝、軋制和熱處理工藝以及板型控制等關(guān)鍵技術(shù)與國(guó)外先進(jìn)水平有較大差距，我國(guó)所使用的大規(guī)模集成電路引線框架材料長(zhǎng)期以來(lái)都是依靠進(jìn)口。目前，本課題組通過(guò)一系列研究，開(kāi)發(fā)了具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的Cu-Ni-Si系合金，并實(shí)現(xiàn)了Cu-Fe-P 系合金銅帶和異型帶的國(guó)產(chǎn)化大規(guī)模生產(chǎn)。

（專(zhuān)利號(hào)：ZL 201510578249.5） 簡(jiǎn)介：本發(fā)明公開(kāi)了一種Mg2Ni型三元Mg?Ni?Cu可逆儲(chǔ)氫材料及其制備方法，屬于儲(chǔ)氫技術(shù)領(lǐng)域。該儲(chǔ)氫材料成分范圍為：Mg占合金原子百分比為66.7％，Ni+Cu占合金原子百分比為33.3％，Cu在Ni+Cu中的原子百分比為0～12％，原料的純度均不低于99.5％。該儲(chǔ)氫材料制備的關(guān)鍵在于首先制備高化學(xué)穩(wěn)定性的Ni(Cu)固溶體粉末，然后將固溶體粉末和Mg粉按比例混合燒結(jié)得到高純Mg2Ni型三元Mg20Ni10?xCux(0<x≤1.2)可逆儲(chǔ)氫合金。本發(fā)明涉及的材料具有高的儲(chǔ)氫容量(3.5wt％以上)和良好的低溫放氫動(dòng)力學(xué)等特性，Cu替代貴金屬Ni降低了材料的使用成本。本發(fā)明涉及的制備方法具有工藝溫和、簡(jiǎn)單、易控，生產(chǎn)設(shè)備投資少，生產(chǎn)過(guò)程無(wú)污染，易于工業(yè)化大規(guī)模生產(chǎn)的顯著優(yōu)點(diǎn)。

所屬領(lǐng)域：新能源與節(jié)能環(huán)保成果介紹：這是一種鈉離子導(dǎo)體的固體電解質(zhì)，是一種導(dǎo)電陶瓷材料，可應(yīng)用于鈉硫電池、Zebra電池等領(lǐng)域。創(chuàng)新要點(diǎn)：該技術(shù)提供一種在于添加過(guò)渡金屬原子

研發(fā)階段/n本發(fā)明提供了一種鋁合金表面反應(yīng)噴涂Ａｌ2Ｏ3／Ａｌ－Ｓｉ復(fù)合涂層及其制法，采用熱噴涂方法，在鋁合金表面反應(yīng)合成Ａｌ2Ｏ3／Ａｌ－Ｓｉ復(fù)合涂層，熱噴涂粉末組成的質(zhì)量百分比為：６０％～９５％共晶成分的Ａｌ－Ｓｉ合金粉末、５％～４０％ＳｉＯ2粉末，各組分之和為１００％；粉末粒度５～２０μｍ。涂層經(jīng)過(guò)激光或等離子重熔后，使涂層中熔化的金屬原子和基體表面的金屬原子具有足夠的能量沖破界面上的Ａｌ2Ｏ3薄膜層，原子之間發(fā)生劇烈的混合作用，生成一個(gè)冶金結(jié)合區(qū)，形成冶金結(jié)合界面。獲得的Ａｌ2Ｏ3／Ａｌ－Ｓ