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一種核殼結構CuO@γ-Al2O3復合粒子的制備方法
本發明公開了一種核殼結構CuO@γ?Al2O3復合粒子的制備方法，其先將十二水硫酸鋁鉀和尿素按摩爾比為1：2加入去離子水中攪拌，得溶液A；在葡萄糖水溶液中逐滴加入乙酸銅溶液攪拌，得溶液B；將溶液A逐滴滴加至溶液B中攪拌，并加熱反應得沉淀物，沉淀物經過濾、干燥；置于馬弗爐中，以升溫速率為2～3°C/min升溫至500～600°C，并保持2～4h，得到CuO為內核、γ?Al2O3為殼層的核殼結構CuO@γ?Al2O3復合粒子。本發明采用水熱法一步合成技術，未采用有機溶劑、不產生工業廢水，綠色環保；且制備
安徽建筑大學
2021-01-12
低 C/N 比污水A2/O+BAF 深度脫氮除磷工藝技術
針對我國低 C/N 比污水現狀和深度脫氮除磷的要求，本項目全面開發適用于低 C/N 比污水處理的A2/O+BAF（曝氣生物濾池）深度脫氮除磷工藝技術，以解決我國污水深度脫氮除磷碳源缺乏的問題。本項目基于反硝化除磷技術和雙污泥理論，構建 A2/O+BAF 系統，從工藝設計上解決傳統工藝中脫氮和除磷污泥齡的矛盾，并建立起強化 A2/O+BAF 工藝反硝化除磷性能的過程控制方法，使污水處理在不外加碳源的條件下能夠達標排放，并且能夠節省曝氣能耗和降低污泥產量，是一種具有廣泛應用價值的新型污水處理技術。
北京工業大學
2021-04-13
低C/N比污水A2/O+BAF深度脫氮除磷工藝技術
北京工業大學
2021-04-14
CuFe2O4復合材料催化氧化有機污染物的性能與機理
一、項目進展
創意計劃階段
二、負責人及成員
姓名
學院/所學專業
入學/畢業時間
學號
馮疇境
化學化工學院環境工程
2019-2023
201931043101
李暄
化學化工學院環境工程
2019-2023
201931043116
羅雨欣
化學化工學院環境工程
2019-2023
201931043111
黃品杰
化學化工學院環境工程
2019-2023
201931043110
張一丹
化學化工學院環境工程
2019-2023
201931043105
三、指導教師
姓名
學院/所學專業
職務/職稱
研究方向
周家斌
化學化工學院
教授
環境材料與污染控制
劉丹
化學化工學院
講師
環境材料與污染控制
四、項目簡介
工業生產當中產生大量的有機廢水需要凈化處理，對此問題，本課題準備采用光催化耦合基于硫酸根自由基的快速降解水中有機污染物。制備出磁性好、易回收且具有良好催化性能的Z型CuFe2O4/MnO2復合材料來活化PMS。PMS在復合催化材料表面會迅速反應生成硫酸根和羥基的自由基，同時在光照下實現電子空穴的有效分離。通過光催化和高級氧化產生的強氧化性的活性物種會爭奪有機物的最外層電子來實現對有機廢水的高效降解。
因為CuFe2O4具有磁性好、易回收、可重復使用、低毒、化學性質穩定、可見光催化活性等優點，可減少二次污染，且能夠高效的活化PMS，此外，PMS可作為電子受體快速轉移和消耗光生電子，實現電子和空穴的有效分離，提高其光催化活性。同時，通過摻雜MnO2顆粒進一步提高CuFe2O4催化劑比表面積，在反應體系中能夠進一步活化PMS產生氧化自由基，從而有效地降解有機物。
西南石油大學
2023-07-20
A、B、O血型演示模型
產品詳細介紹
福州九天智能科技有限公司
2021-08-23
大規模集成電路用引線框架Cu-Ni-Si系、Cu-Fe-P系合金
集成電路是微電子技術的核心，與國防和國民經濟現代化, 乃至人們的文化生活都息息相關。集成電路由芯片和框架經封裝而成, 其中框架既是骨架又是半導體芯片與外界的聯接電路, 是芯片的散熱通道, 又是連結電路板的橋梁, 因此框架在集成電路器件和各組裝程序中占有極其重要的地位，目前，由于集成電路向高密度, 高集成化方向發展, 芯片的散熱問題已成為突出矛盾。集成電路大規模和超大規模的迅速推進，對集成電路框架及材料提出了高、精、尖、短、小、輕、薄的要求，過去廣泛使用的鐵鎳42合金已不能滿足要求。而銅合金框架材料, 利用銅合金優良的傳熱性能, 加入少量強化元素, 通過固溶強化和彌散強化提高其強度, 同時僅稍微損失導熱性能。目前，銅合金框架已成為主體，形成了中強中導、高強中導、高強高導合金系列。以前，由于在合金的熔煉工藝、軋制和熱處理工藝以及板型控制等關鍵技術與國外先進水平有較大差距，我國所使用的大規模集成電路引線框架材料長期以來都是依靠進口。目前，本課題組通過一系列研究，開發了具有自主知識產權的Cu-Ni-Si系合金，并實現了Cu-Fe-P 系合金銅帶和異型帶的國產化大規模生產。 一、Cu-Ni-Si系銅合金主要性能指標 1.抗拉強度σb：650～750MPa； 2.延伸率>8%； 3.導電率：45～60%IACS。 二、Cu-Fe-P系銅合金主要性能指標 1.抗拉強度σb：450～600MPa； 2.延伸率>7%； 3.導電率：60～80%IACS。
上海理工大學
2021-04-11
大規模集成電路用引線框架Cu-Ni-Si系、 Cu-Fe-P系合金
集成電路是微電子技術的核心，與國防和國民經濟現代化，乃至人們的文化生活都息息相關。集成電路由芯片和框架經封裝而成，其中框架既是骨架又是半導體芯片與外界的聯接電路，是芯片的散熱通道，又是連結電路板的橋梁，因此框架在集成電路器件和各組裝程序中占有極其重要的地位，目前，由于集成電路向高密度，高集成化方向發展，芯片的散熱問題已成為突出矛盾。集成電路大規模和超大規模的迅速推進，對集成電路框架及材料提出了高、精、尖、短、小、輕、薄的要求，過去廣泛使用的鐵鎳42合金已不能滿足要求。而銅合金框架材料，利用銅合金優良的傳熱性能，加入少量強化元素，通過固溶強化和彌散強化提高其強度，同時僅稍微損失導熱性能。目前，銅合金框架已成為主體，形成了中強中導、高強中導、高強高導合金系列。以前，由于在合金的熔煉工藝、軋制和熱處理工藝以及板型控制等關鍵技術與國外先進水平有較大差距，我國所使用的大規模集成電路引線框架材料長期以來都是依靠進口。目前，本課題組通過一系列研究，開發了具有自主知識產權的Cu-Ni-Si系合金，并實現了Cu-Fe-P 系合金銅帶和異型帶的國產化大規模生產。
上海理工大學
2021-04-13
一種Mg2Ni型三元Mg-Ni-Cu可逆儲氫材料及其制備方法
（專利號：ZL 201510578249.5） 簡介：本發明公開了一種Mg2Ni型三元Mg?Ni?Cu可逆儲氫材料及其制備方法，屬于儲氫技術領域。該儲氫材料成分范圍為：Mg占合金原子百分比為66.7％，Ni+Cu占合金原子百分比為33.3％，Cu在Ni+Cu中的原子百分比為0～12％，原料的純度均不低于99.5％。該儲氫材料制備的關鍵在于首先制備高化學穩定性的Ni(Cu)固溶體粉末，然后將固溶體粉末和Mg粉按比例混合燒結得到高純Mg2Ni型三元Mg20Ni10?xCux(0<x≤1.2)可逆儲氫合金。本發明涉及的材料具有高的儲氫容量(3.5wt％以上)和良好的低溫放氫動力學等特性，Cu替代貴金屬Ni降低了材料的使用成本。本發明涉及的制備方法具有工藝溫和、簡單、易控，生產設備投資少，生產過程無污染，易于工業化大規模生產的顯著優點。
安徽工業大學
2021-04-11
一種高強度beta-Al2O3固體電解質的制備方法
所屬領域：新能源與節能環保成果介紹：這是一種鈉離子導體的固體電解質，是一種導電陶瓷材料，可應用于鈉硫電池、Zebra電池等領域。創新要點：該技術提供一種在于添加過渡金屬原子
南京工業大學
2021-01-12
鋁合金表面反應噴涂Al2O3/Al-Si復合涂層及其制法
研發階段/n本發明提供了一種鋁合金表面反應噴涂Ａｌ2Ｏ3／Ａｌ－Ｓｉ復合涂層及其制法，采用熱噴涂方法，在鋁合金表面反應合成Ａｌ2Ｏ3／Ａｌ－Ｓｉ復合涂層，熱噴涂粉末組成的質量百分比為：６０％～９５％共晶成分的Ａｌ－Ｓｉ合金粉末、５％～４０％ＳｉＯ2粉末，各組分之和為１００％；粉末粒度５～２０μｍ。涂層經過激光或等離子重熔后，使涂層中熔化的金屬原子和基體表面的金屬原子具有足夠的能量沖破界面上的Ａｌ2Ｏ3薄膜層，原子之間發生劇烈的混合作用，生成一個冶金結合區，形成冶金結合界面。獲得的Ａｌ2Ｏ3／Ａｌ－Ｓ
湖北工業大學
2021-01-12