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產品詳細介紹迷你型氧氣傳感器O2S-XX-T3   一、產品簡介： 氧氣傳感器采用兩個氧化鋯盤，在其中間是一個密封空間。其中一個盤起的功能是可逆氧氣泵，依次充滿樣品氣和抽空此小空間。另一個盤用于測量氧分壓差比率，得到相對應的傳感電壓。氧化鋯盤作為氧氣泵運行時，需要的700 °C 的溫度由加熱元件產生。氧氣泵使小空間范圍內達到額定的最小和最大壓力所花的時間和環境中氧分壓值具有對應關系。   二、產品特性： 1)       非消耗性的氧化鋯傳感元件 2)       氧壓范圍 2 mbar...3 bar 3)       高穩定性和精度，可測量0…100% 氧 4)       對于其他氣體無交叉干擾 5)       無需溫度穩定 6)       內置加熱元件 7)       加熱器電壓： 4.35 ±0.1 VDC (1.85 A) 8)       允許氣體溫度： -100...250 °C ；   三、產品參數 特性 最小 典型 最大 單位 氧壓范圍 2   3000 mbar 精度      5 操作溫度（O2S-T3）   700（4.00V）   °C 操作溫度（O2S-FR-T3）   700（4.35V）     響應時間(10-90%，O2S-T3)      15 S 響應時間(10-90%，O2S-FR-T3)     4 預熱時間(s)      100 預熱時間（從準備開始s）      20   四、典型應用： 排放控制 - 柴油機/鍋爐/加熱系統；生物能源/生物氣；醫療；空氣質量監控MOT 車檢排放測試設備；堆制肥料；農業；水果或氧氣敏感型食物運輸；OBOGS(機上氧氣發生器)； OBIGGS(機上惰性氣體發生器)；儀器儀表生產商    

重磅實力，精湛高亮G系列，激光 3DLP 高亮工程投影機。

本發明公開了一種基于憶阻器的非易失 D 觸發器電路；包括憶阻器 ME、定值電阻 R、第一 MOS 管、第二 MOS 管、第三 MOS 管、第一反相器 N1、第二反相器 N2 和第三反相器 N3 以及將憶阻器與定值電阻串聯構成的分壓電路模塊。主要是利用了憶阻的非易失和阻值隨流經本身的電荷大小改變的特性，實現了觸發器的鎖存以及觸發功能。本發明所構建 D 觸發器不僅具有傳統觸發器的功能，而且具備響應速度快以及非易失性的特點

本發明公開了一種源于東洋參的新化合物(2S,3S,4R,9E)  2 [(2′R) 2′ 羥基 二十九碳酰胺] 十八碳 1,3,4 三醇，其結構式為該化合物對膽固醇酰基轉移酶具有選擇性抑制的作用，能夠有效用于預防和治療血脂、動脈粥樣硬化、冠心病等疾病，具有良好的研究開發和應用前景；該化合物的制備方法步驟少及操作簡便，得到的化合物天然無毒性。

東南大學分析測試中心大口徑核磁共振分析與成像系統采購項目招標項目的潛在投標人應在中招聯合招標采購平臺（以下簡稱平臺）網址為：http://www.365trade.com.cn/獲取招標文件，并于2022年06月14日09點30分（北京時間）前遞交投標文件。

本實用新型涉及一種燃煤煙氣SO3梯級深度脫除系統，所述系統包括SCR脫硝裝置、堿性吸收劑噴射裝置、空預器、調溫增效裝置、靜電除塵器、脫硫塔和濕式靜電除塵器，所述調溫增效裝置包括降溫段和升溫段，所述SCR脫硝裝置、空預器、調溫增效裝置降溫段、靜電除塵器、脫硫塔、濕式靜電除塵器、調溫增效裝置升溫段沿煙氣脫除方向順次設置；所述堿性吸收劑噴射裝置設置的位置為SCR脫硝裝置之前，SCR脫硝裝置之后、空預器之前，或空預器之后、調溫增效裝置降溫段之前。本實用新型通過各污染物控制裝備對煙氣中的SO3進行梯級深度脫除，實現SO3的排放濃度小于5mg/Nm3。

本發明屬于納米薄膜材料制備技術領域，涉及一種Fe2O3納米薄膜卷曲管的制備方法，利用電子束沉積鍍膜技術和納米膜卷曲技術，先制備單質Fe的納米膜卷曲管結構，然后在空氣氣氛下退火得到Fe2O3納米膜卷曲管；其制備工藝簡單，操作方便，原理科學，無污染，環境友好，能夠有效控制卷曲管的管壁厚度，制備的納米膜卷曲管長度能達到幾百微米。本發明在新能源、氣敏、催化、等領域具有重要用途。

小試階段/nβ-Sialon材料常用的工業合成方法是以高純的Si3N4、Al2O3、AlN和SiO2位原料通過高溫固相法合成，但由于該方法中原料價格昂貴導致過高的生產成本，進而限制β-Sialon材料的廣泛使用。目前合成β-Sialon材料的溫度較高和產品中雜質較多。本專利旨在克服以上技術缺陷，目的是提供一種合成溫度低、工藝簡單和產品純度高的β-Sialon/Al2O3復合粉體的制備方法。本專利技術采用工業上易得的氧化鋁粉、硅粉和鋁粉為原料，通過一定的混合處理后，在1100-1300℃溫度下即可得到

本發明是關于半導體材料領域，旨在提供InVO4/g-C3N4復合材料的制備方法。本發明包括如下步驟：將H2SO4水溶液逐滴加入三聚氰胺水溶液中形成白色懸浮液；80℃下攪拌2h后獲得沉淀，過濾，并用蒸餾水和無水乙醇洗滌，干燥處理后獲得三聚氰胺硫酸鹽；獲得g-C3N4顆粒；將g-C3N4顆粒分散到無水乙醇中得到分散體系，將偏釩酸銨水溶液逐滴加入該混合溶液中形成黃色澄清溶液；攪拌獲得沉淀，過濾、洗滌，加入表面活性劑并進行水熱反應；所得沉淀過濾，獲得InVO4/g-C3N4復合材料。本發明的有益效果是：解決了InVO4納米晶的形核、生長問題，促使InVO4納米晶在疏松g-C3N4顆粒表面原位生長。