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衛(wèi)星在軌運(yùn)行和返回過程中需經(jīng)歷極端高低溫環(huán)境，構(gòu)件尺寸的穩(wěn)定是保證衛(wèi)星在軌高精度、返回高安全、任務(wù)高可靠的關(guān)鍵。針對(duì)衛(wèi)星搭載的某寬帶微波載荷與衛(wèi)星本體材料之間熱膨脹系數(shù)不匹配極易導(dǎo)致的載荷在軌及返回過程中載荷接收精度不穩(wěn)定、信息傳輸不連續(xù)等問題。我校陳駿教授團(tuán)隊(duì)以原創(chuàng)的負(fù)熱膨脹技術(shù)研發(fā)了具有輕質(zhì)、熱膨脹系數(shù)低、力學(xué)性能優(yōu)異、尺寸穩(wěn)定性好的高性能低膨脹鋁基復(fù)合材料，并研制了系列關(guān)鍵連接內(nèi)置件、環(huán)件等高性能低膨脹構(gòu)件，首次將負(fù)熱膨脹技術(shù)應(yīng)用到我國的衛(wèi)星上，填補(bǔ)了高性能低膨脹金屬構(gòu)件在工程應(yīng)用領(lǐng)域的空白。該技術(shù)使得某寬帶微波載荷與衛(wèi)星本體之間熱膨脹匹配性增強(qiáng)、界面應(yīng)力大幅度減小，保證了衛(wèi)星在軌與返回過程中信號(hào)高精度傳輸與接收，助力衛(wèi)星成功返回。 圖1 實(shí)踐十九號(hào)衛(wèi)星成功返回（圖片來源國家航天局） 圖2 高性能低膨脹鋁基復(fù)合材料及構(gòu)件應(yīng)用于全球首顆可重復(fù)使用返回式技術(shù)試驗(yàn)衛(wèi)星（圖片來源央視新聞?lì)l道）

梯狀有機(jī)半導(dǎo)體是一類非常重要的半導(dǎo)體材料， 這類半導(dǎo)體具有剛性結(jié)構(gòu)、高共面性及載流子高度離域等特性，從而有利于實(shí)現(xiàn)高遷移率的晶體管器件，　因此梯狀有機(jī)半導(dǎo)體對(duì)材料的基本物理化學(xué)性質(zhì)研究和高性能有機(jī)半導(dǎo)體的開發(fā)都具有重要意義。梯狀有機(jī)半導(dǎo)體材料通常富有電子，在電子器件中作為p-型半導(dǎo)體使用。由于合成挑戰(zhàn)和同時(shí)拉電子基團(tuán)帶來的空間位阻，缺電子的梯狀n－型有機(jī)半導(dǎo)體材料非常稀缺，難以合成，相對(duì)于p-型半導(dǎo)體載流子遷移率要低、器件穩(wěn)定性要差。酰亞胺高分子半導(dǎo)體是有機(jī)電子領(lǐng)域最為重要的半導(dǎo)體材料之一，由于酰亞胺的強(qiáng)拉電子效應(yīng)，迄今為止高性能的n-型有機(jī)半導(dǎo)體材料通常都帶有酰亞胺或酰胺基團(tuán)。郭旭崗從博士期間在國際上率先并系統(tǒng)性地研究了各類酰亞胺高分子半導(dǎo)體材料及其在有機(jī)場效應(yīng)晶體管和有機(jī)太陽能電池中的應(yīng)用，并實(shí)現(xiàn)了突出的器件性能（Chem. Rev. 2014, 114, 8943-9021）。 雙噻吩酰亞胺是一個(gè)重要的梯狀有機(jī)半導(dǎo)體構(gòu)建單體， 前期工作中郭旭崗以雙噻吩酰亞胺為單體成功構(gòu)建一系列高性能有機(jī)半導(dǎo)體材料（Nature Photonics, 2013, 7, 825-833; J. Am. Chem. Soc. 2011, 133, 1405-1418; J. Am. Chem. Soc. 2012, 134, 18427-18439; J. Am. Chem. Soc. 2015, 137, 12565-12579; Adv. Mater. 2012, 24, 2242-2248）。 郭旭崗課題組結(jié)合梯狀有機(jī)半導(dǎo)體的優(yōu)勢，對(duì)雙噻吩酰亞胺進(jìn)行了拓展，合成了一系列具有可調(diào)控共軛長度的梯狀n-型有機(jī)半導(dǎo)體材料。這一系列材料具有精確的化學(xué)結(jié)構(gòu)、易溶液加工、高共面性、良好的結(jié)晶度、可調(diào)控的光電性質(zhì)及半導(dǎo)體能級(jí)結(jié)構(gòu)。當(dāng)用于有機(jī)場效應(yīng)晶體管中實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的n-型半導(dǎo)體器件性能， 電子遷移率達(dá)到0.05 cm2 V-1 s-1。這一系列材料為基礎(chǔ)的物理化學(xué)性質(zhì)研究和高性能的有機(jī)半導(dǎo)體開發(fā)提供了良好的平臺(tái)。

產(chǎn)品詳細(xì)介紹

序號(hào) 規(guī)格項(xiàng)目 指標(biāo) 1 外觀 無色透明液體 2 色度 ≤ 200 3 純度 ≥ % 15 4 水 份≤ % 85 包 裝：塑料內(nèi)膽鐵桶包裝。凈重：170Kg。 用 途：可作為速止劑、阻聚劑、除氧劑等使用。

一、產(chǎn)品簡介 捷宇科技柜面雙目攝像頭N1330造型簡潔，簡單實(shí)用，機(jī)身采用小巧、折疊式的設(shè)計(jì)，讓用戶收納攜帶更為方便。300萬主攝像頭，輔助130萬紅外攝像頭，90度視野，3M寬動(dòng)態(tài)設(shè)置，自動(dòng)識(shí)別光線環(huán)境，呈現(xiàn)高質(zhì)量的人臉圖像，配合人臉識(shí)別軟件，可作為人臉比對(duì)驗(yàn)證終端。適用于需要人臉比對(duì)驗(yàn)證的政府辦事窗口，金融窗口，以及零售支付柜臺(tái)等。 二、產(chǎn)品特點(diǎn) 1.人像采集 同時(shí)擁有300萬主攝像頭和130萬紅外攝像頭采集圖像，主動(dòng)近紅外攝像頭能為認(rèn)識(shí)別提供不受環(huán)境光線影響，高質(zhì)量的圖像 2.比對(duì)速度快 比對(duì)速度，400萬次/秒，30幀（MJPG），無拖影 3.適應(yīng)多場景 外觀簡潔小巧，不占空間，配合吸盤，可吸附在玻璃上，適合帶玻璃的柜面窗口，配合三角支架，適用于柜面低的辦事窗口，同時(shí)適合移動(dòng)攜帶。 4.便攜設(shè)計(jì) 折疊式便攜設(shè)計(jì)，可折疊攝像頭以保護(hù)鏡頭，可以放心將攝像頭放入手提包、錢包甚至口袋中。 三、產(chǎn)品尺寸圖 四、應(yīng)用領(lǐng)域

產(chǎn)品詳細(xì)介紹

"本發(fā)明公開一種有效抵抗電力線窄帶和脈沖噪聲的置換碼構(gòu)造 方法與碼字序列發(fā)生器。置換碼構(gòu)造方法是指碼長為 n 最小距離為 n-1 的置換碼(n,n-1)PC 代數(shù)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)方法，所述碼字序列發(fā)生器是指碼長 n 為素?cái)?shù)、碼集合勢為 Pn,d＝n(n-1)的置換碼發(fā)生器原理電路。所述 (n,n-1)PC 在 n！個(gè)置換的特定 n-RPGCF 排序規(guī)則約束下，由 n-1 個(gè) tn 軌道構(gòu)成，每個(gè) tn 軌道的首置換構(gòu)成軌道首陣列，該陣列的每一個(gè)置 換由等差數(shù)列的不同公差和不同分段排序方式來設(shè)計(jì)，通過對(duì)該陣列 ·1024·中每一個(gè)置換使用 tn 操作 n-1 次，即生成(n,n-1)PC。所述碼字序列發(fā) 生器給每個(gè)元素分配 m 位，每個(gè)碼字占用 n×m 個(gè)存儲(chǔ)單元，其循環(huán) 移位寄存器組由 m 組 n 個(gè)觸發(fā)器構(gòu)成，執(zhí)行 m 位并行 n 位串行的左移 輸入、循環(huán)右移、左移輸出和循環(huán)左移一系列操作，完成從軌道首陣 列到 n(n-1)個(gè)置換碼字的生成過程。

小試階段/n本發(fā)明涉及一種Si3N4/SiCW復(fù)相結(jié)合SiC耐火材料及其制備方法。其技術(shù)方案是：以50~75wt%的碳化硅、18~36wt%的單質(zhì)硅和2~15wt%的碳為原料，外加所述原料3~7wt%的改性結(jié)合劑，攪拌均勻，機(jī)壓成型，成型后的坯體在220℃條件下干燥8~48小時(shí)；干燥后的坯體在氮?dú)鈿夥罩袩桑S爐自然冷卻至室溫，即得Si3N4/SiCW復(fù)相結(jié)合SiC耐火材料。所述燒成的溫度制度是：先升溫至890~920℃，保溫1~3小時(shí)；再升溫至1180~1350℃，保溫4~10小時(shí)；然后升溫至在1

在梯形雙噻吩酰亞胺小分子的基礎(chǔ)上，設(shè)計(jì)并成功合成了一系列具有半梯形結(jié)構(gòu)的全受體類型均聚物PBTIn（n = 1-5），并深入研究了這些材料的構(gòu)性關(guān)系。實(shí)驗(yàn)表明，均聚物的聚合方法選擇至關(guān)重要，通過Stille和Yamamoto偶聯(lián)方法對(duì)比發(fā)現(xiàn)，Stille聚合能夠得到高分子量、低缺陷態(tài)、高性能的高分子半導(dǎo)體；采用全受體結(jié)構(gòu)能夠有效拉低前沿軌道能級(jí)，基于這些均聚物材料的有機(jī)薄膜晶體管都表現(xiàn)出良好的單極性n-型性能，晶體管器件的關(guān)電流僅為10 ?9 -10 ?10 A，電流開關(guān)比高達(dá)10 6 ；晶體管遷移率性能與構(gòu)建單元長度反向關(guān)聯(lián)，PBTI1的最高電子遷移率為3.71 cm 2  V -1  s -1 ，該遷移率是全受體均聚物材料中的最高紀(jì)錄，比PBTI5的電子遷移率高出兩個(gè)數(shù)量級(jí)。? 通過深入表征發(fā)現(xiàn)，這一系列全受體類型均聚物表現(xiàn)出來的晶體管遷移率趨勢與其半導(dǎo)體薄膜結(jié)構(gòu)有序度直接相關(guān)。拉曼光譜表明，梯形構(gòu)建單元共軛長度的增加帶來較大的單體間扭轉(zhuǎn)角，影響聚合物骨架的平面性。同步輻射X射線衍射表明，梯形構(gòu)建單元的增長使得聚合物薄膜中π-π堆積方向的結(jié)晶性降低，不利于電子的分子間傳輸。這些結(jié)果表示，較長的單體結(jié)構(gòu)會(huì)對(duì)聚合物薄膜形貌和載流子傳輸造成負(fù)面影響，因此發(fā)展更長的梯形構(gòu)建單元對(duì)全受體類型均聚物遷移率的提升不會(huì)帶來幫助。該研究表明全受體結(jié)構(gòu)是實(shí)現(xiàn)高性能單極性n-型聚合物材料的有效途徑，同時(shí)為n-型梯形小分子和聚合物的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和發(fā)展提供重要參考依據(jù)。