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本方法以丙三醇作為溶劑及碳源快速制備大量粒徑小于 10 nm 的碳量子點(diǎn)。這種碳量子點(diǎn)的熒光量子產(chǎn)率能夠達(dá)到 30 %左右。制 備好的碳量子點(diǎn),不需要任何提純即可與成膜性較好的高聚物混合得 到熒光碳量子點(diǎn)薄膜。而且這種碳量子點(diǎn)毒性低，水溶性好，熒光量 子產(chǎn)率高，在細(xì)胞及活體成像方面表現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì)。總之，該制備方 法簡單易行，材料來源廣泛且廉價(jià)，產(chǎn)率大。所得的熒光碳量子點(diǎn)具 有熒光量子產(chǎn)率高、易成膜、低細(xì)胞毒性且耐光漂白等性質(zhì)，已經(jīng)作 為生物成像劑用于細(xì)胞的熒光共聚焦成像

本實(shí)用新型公開了一種基于光熱成像的圖像獲取裝置，包括支架橫梁、平動(dòng)電機(jī)、成像探頭、光發(fā)射器；平動(dòng)電機(jī)固定于橫梁的下側(cè)面，成像探頭垂直固定于平動(dòng)電機(jī)中的移動(dòng)塊；光發(fā)射器通過可調(diào)連接件連接至所述移動(dòng)塊，通過調(diào)節(jié)可調(diào)連接件使其發(fā)射的光經(jīng)試樣反射后進(jìn)入成像探頭；平動(dòng)電機(jī)中的移動(dòng)塊用于拖動(dòng)光發(fā)射器和成像探頭在試樣的正上方做徑向運(yùn)動(dòng)；光發(fā)射器用于發(fā)射光至試樣的上表面；所述成像探頭用于對(duì)試樣上表面的反射光進(jìn)行成像。本實(shí)用新型可以實(shí)現(xiàn)殘?jiān)w粒和空洞識(shí)別、材質(zhì)識(shí)別及微孔深度測(cè)量，檢測(cè)評(píng)估更可靠。

JIUS-II超聲成像檢測(cè)系統(tǒng)利用點(diǎn)探頭或相控陣探頭形成模擬超聲圖像，通過模數(shù)轉(zhuǎn)換器將其轉(zhuǎn)化成數(shù)字圖象，并利用現(xiàn)代化信號(hào)處理技術(shù)對(duì)材料、焊接構(gòu)件的表面及內(nèi)部缺陷進(jìn)行檢測(cè)、分析、存儲(chǔ)及打印等。系統(tǒng)采用集成思想，可完成A、B、C等多種掃描方式，在超聲圖象卡中設(shè)計(jì)了高精度聲速測(cè)量電路、三個(gè)高精度界面門確定電路及一個(gè)多通道高保真射頻切換電路，精密三維掃描平臺(tái)具有高

產(chǎn)品詳細(xì)介紹  多次反射成像實(shí)驗(yàn)器2 有四個(gè)梯形的平面鏡組成一個(gè)方錐體。在頂端放一個(gè)方圖，在另一端觀看就看到許多此圖組成了一個(gè)大球。

產(chǎn)品詳細(xì)介紹  多次反射成像實(shí)驗(yàn)器1 本實(shí)驗(yàn)前后有兩塊鏡子，中間點(diǎn)了兩盞電燈，同時(shí)掛了兩個(gè)小燈籠。當(dāng)接電源后，里面的燈就亮，而且看到里面是一條長廊，里面有許多電燈和燈籠。當(dāng)把電源關(guān)掉，就看不到里面的東西了，只是看到自己在照鏡子一樣，但這一鏡子比普通鏡子要暗一點(diǎn)。

本發(fā)明公開了一種智能光伏電站模擬儀的匯流箱電路.本發(fā)明包括控制電路,供電電路,接口電路,通信電路和外圍電路.本發(fā)明可以用于光伏發(fā)電系統(tǒng)與陣列板,采集板的通信,使得主控板可以控制采集板及陣列板.本發(fā)明可以實(shí)現(xiàn)8塊太陽能電池板的電壓以及電流匯總輸出.

近年來,半導(dǎo)體光源正以新型固體光源的角色逐步進(jìn)入照明領(lǐng)域。由于半導(dǎo)體照明具有高效、節(jié)能、環(huán)保、使用壽命長、響應(yīng)速度快、耐振動(dòng)、易維護(hù)等顯著優(yōu)點(diǎn),所以在國際上被公認(rèn)為最有可能進(jìn)入通用照明領(lǐng)域的新型固態(tài)冷光源。隨著其價(jià)格的不斷降低,發(fā)光亮度的不斷提高,半導(dǎo)體光源在照明領(lǐng)域中展現(xiàn)了廣泛的應(yīng)用前景。業(yè)界普遍認(rèn)為,半導(dǎo)體燈取代傳統(tǒng)的白熾燈和熒光燈,是大勢(shì)所趨。而半導(dǎo)體發(fā)光二極管（Light Emitting Diode , 簡稱LED）被認(rèn)為是最有可能進(jìn)入普通照明領(lǐng)域的一種綠色照明光源，按固體發(fā)光物理學(xué)原理,LED發(fā)光效率能近似100 % ,并具有工作電壓低、耗電量小、發(fā)光效率高、響應(yīng)時(shí)間極短、光色純、抗沖擊、性能穩(wěn)定可靠及成本低等優(yōu)點(diǎn),因此被譽(yù)為21 世紀(jì)新光源,有望成為繼白熾燈、熒光燈、高強(qiáng)度氣體放電燈之后的第四代光源。雖然LED具有以上的很多優(yōu)點(diǎn)，但是發(fā)光效率和使用壽命仍是制約其普及應(yīng)用的主要因素。 目前國內(nèi)大多致力于LED外部封裝結(jié)構(gòu)的研究，而公司里多采用進(jìn)口芯片，如cree芯片，再在現(xiàn)有基礎(chǔ)上進(jìn)行外部封裝結(jié)構(gòu)和設(shè)計(jì)。而即便是散熱好，壽命長，取光效率比較好的封裝結(jié)構(gòu)，國內(nèi)所能達(dá)到的水平也就是剛剛超出100lm/w。主要原因在于其封裝材料的選擇和封裝結(jié)構(gòu)的不合理性，浪費(fèi)了芯片的出射光，從而降低了取光效率。而國外LED不僅在外部封裝結(jié)構(gòu)，而且在芯片方向都明顯優(yōu)于國內(nèi)水平，所以基本壟斷國內(nèi)LED的市場(chǎng)，尤其對(duì)于功率型白光LED的壟斷相當(dāng)嚴(yán)重。而這些高亮度半導(dǎo)體LED芯片生產(chǎn)技術(shù)掌握在以美國Cree和Lumileds、日本的Nichia和Toyoda Gosei，以及歐洲的Osram等為首的少數(shù)大公司手中。 現(xiàn)在功率型白光LED 的光效已提高到80～100lmPW,而真正能夠取代白熾燈和熒光燈進(jìn)入通用照明市場(chǎng),其光效需要達(dá)到150lm/ W。這一方面要求在芯片的制作上不斷提高LED 的量子效率,同時(shí)還要求在LED 的封裝及燈具的設(shè)計(jì)制作過程中盡可能提高出光效率。現(xiàn)有的LED出光效率低的原因之一是，LED芯片的折射率較高，LED發(fā)出的光在出射芯片的時(shí)候，有相當(dāng)一部分光被芯片與外界（環(huán)氧樹脂）的界面反射。本產(chǎn)品是通過特殊鍍膜方法，使LED芯片出光效率提高了10%。可以有效的增加LED的使用壽命，達(dá)到2萬小時(shí)以上，而且可以使發(fā)光效率達(dá)到120lm/w到160lm/w。擁有這樣長壽命和高出光效率的白光LED，必將引領(lǐng)整個(gè)照明市場(chǎng)，必將產(chǎn)生豐厚的利潤，具有非常好的發(fā)展前景。