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產(chǎn)品詳細(xì)介紹 　　概述： 　　1.0625Gbps至4.25Gbps單芯片集成的低功耗SFP+多速率限幅 　　放大器和VCSEL驅(qū)動(dòng)器高速光收發(fā)芯片(EP110) 　　EP110為高度集成的限幅放大器和VCSEL驅(qū)動(dòng)器，設(shè)計(jì)用于數(shù)據(jù)傳輸速率高達(dá)8.5Gbps的1x/2x/4x/8x光纖通道傳輸系統(tǒng)以及10.3125Gbps數(shù)據(jù)傳輸速率的10GBASE-SR傳輸系統(tǒng)。器件采用+3.3V單電源供電，這款低功耗、集成限幅放大器、VCSEL驅(qū)動(dòng)器和微控制器三合一的高集成單芯片。平均光功率由平均功率控制環(huán)路(APC)控制，該控制環(huán)路通過(guò)連接至VCSEL驅(qū)動(dòng)器的3線數(shù)字接口控制、所有差分I/O為50歐姆傳輸線PCB設(shè)計(jì)提供最佳的背板短接。EP110集成一個(gè)微處理器，可以實(shí)現(xiàn)SFF8472協(xié)議的數(shù)字監(jiān)控接口要求，可通過(guò)固件實(shí)現(xiàn)高級(jí)Rx設(shè)置(模式選擇、LOS門(mén)限、LOS極性、CML輸出電平、信號(hào)通道極性)和Tx設(shè)置(調(diào)制電流、偏置電流、極性、眼圖交叉點(diǎn)調(diào)制)，無(wú)需外部微處理器和外部元件。 　　EP110采用無(wú)鉛、5mm*5mm、40引腳QFN封裝。 　　1.0625Gbps至10.32Gbps單芯片集成的低功耗SFP+多速率限幅 　　放大器和VCSEL驅(qū)動(dòng)器高速光收發(fā)芯片(EP112) 　　EP112為高度集成的限幅放大器和VCSEL驅(qū)動(dòng)器，設(shè)計(jì)用于數(shù)據(jù)傳輸速率高達(dá)8.5Gbps的1x/2x/4x/8x光纖通道傳輸系統(tǒng)以及10.3125Gbps數(shù)據(jù)傳輸速率的10GBASE-SR傳輸系統(tǒng)。器件采用+3.3V單電源供電，這款低功耗、集成限幅放大器、VCSEL驅(qū)動(dòng)器和微控制器三合一的高集成單芯片。平均光功率由平均功率控制環(huán)路(APC)控制，該控制環(huán)路通過(guò)連接至VCSEL驅(qū)動(dòng)器的3線數(shù)字接口控制、所有差分I/O為50歐姆傳輸線PCB設(shè)計(jì)提供最佳的背板短接。EP112集成一個(gè)微處理器，可以實(shí)現(xiàn)SFF8472協(xié)議的數(shù)字監(jiān)控接口要求，可通過(guò)固件實(shí)現(xiàn)高級(jí)Rx設(shè)置(模式選擇、LOS門(mén)限、LOS極性、CML輸出電平、信號(hào)通道極性)和Tx設(shè)置(調(diào)制電流、偏置電流、極性、眼圖交叉點(diǎn)調(diào)制)，無(wú)需外部微處理器和外部元件。 　　EP112采用無(wú)鉛、5mm*5mm、40引腳QFN封裝。 　　1.0625Gbps至14Gbps單芯片集成的低功耗SFP+多速率限幅 　　放大器和VCSEL驅(qū)動(dòng)器高速光收發(fā)芯片(EP116) 　　EP116是一款低功耗、集成限幅放大器、VCSEL驅(qū)動(dòng)器和微控制器三合一的16G SFP+高集成高速光收發(fā)芯片,工作在高達(dá)14Gbps的數(shù)據(jù)速率、非常適合以太網(wǎng)和光纖通道應(yīng)用。在EP116的發(fā)射和接收路徑上集成了CDR功能，解決了大多數(shù)高速系統(tǒng)存在的信號(hào)失真問(wèn)題。平均光功率由平均功率控制環(huán)路(APC)控制，該控制環(huán)路通過(guò)連接至VCSEL驅(qū)動(dòng)器的3線數(shù)字接口控制、所有差分I/O為50歐姆傳輸線PCB設(shè)計(jì)提供最佳的背板短接。EP116集成一個(gè)微處理器，可以實(shí)現(xiàn)SFF8472協(xié)議的數(shù)字監(jiān)控接口要求，可通過(guò)固件實(shí)現(xiàn)高級(jí)Rx設(shè)置(模式選擇、LOS門(mén)限、LOS極性、CML輸出電平、信號(hào)通道極性、去加重)和Tx設(shè)置(調(diào)制電流、偏置電流、極性、可編程去加重、眼圖交叉點(diǎn)調(diào)制)，無(wú)需外部微處理器和外部元件。 　　EP116采用無(wú)鉛、6mm*6mm、48引腳QFN封裝。 　　特點(diǎn)： 　　3.3供電時(shí)，功耗僅為500mW 　　工作速率高達(dá)10.32Gbps 　　10.32Gbps下，具有5mVp-p接收靈敏度 　　Rx和Tx極性選擇 　　可調(diào)節(jié)觸發(fā)LOS報(bào)警電平 　　LOS極性選擇 　　能夠向100歐姆差分負(fù)載提供高達(dá)12mA的調(diào)制電流 　　偏置電流高達(dá)19mA 　　Rx輸出可選擇去加重 　　支持SPI EEPROM和IIC EEPROM 　　可調(diào)節(jié)調(diào)制輸出的眼圖交叉點(diǎn) 　　工作溫度: -40度 到 90度

傳統(tǒng)的量子振蕩理論，包括考慮了塞曼劈裂的SdH振蕩，都無(wú)法解釋最新發(fā)現(xiàn)的對(duì)數(shù)周期現(xiàn)象。這預(yù)示著該工作為量子振蕩家族增加了一個(gè)新的成員。此外，相對(duì)于已知的量子極限以外的量子態(tài)，例如分?jǐn)?shù)量子霍爾態(tài)、魏格納晶體以及密度波相變等，該研究同時(shí)揭示了一種量子極限之外的新型量子態(tài)。? 進(jìn)一步分析表明，這一新奇發(fā)現(xiàn)中磁電阻振蕩的對(duì)數(shù)周期性實(shí)質(zhì)上是離散標(biāo)度不變性的明顯特征。標(biāo)度不變性指體系在任何尺度下都是自相似的，體系不存在特定的特征尺度。離散標(biāo)度不變性是連續(xù)標(biāo)度不變性破缺的結(jié)果，其顯著特征是體系的特征尺度滿足等比數(shù)列。對(duì)數(shù)周期振蕩是離散標(biāo)度不變性的典型特征，這一特征在動(dòng)物學(xué)、金融危機(jī)、地震、湍流等多種研究領(lǐng)域中都有所體現(xiàn)。在經(jīng)典物理體系里，離散標(biāo)度不變性存在于非線性方程導(dǎo)致的分形結(jié)構(gòu)中。譬如著名數(shù)學(xué)物理學(xué)家龐加萊提出的龐加萊圓盤(pán)模型就是一種滿足自相似性的分形結(jié)構(gòu)，參見(jiàn)荷蘭著名畫(huà)家埃舍爾的畫(huà)作Circle Limit III （圖2A）。對(duì)于量子體系，目前已知的只有Efimov三體束縛態(tài)表現(xiàn)出離散標(biāo)度不變的行為。近年來(lái)，Efimov三體束縛態(tài)在冷原子實(shí)驗(yàn)中得到了觀測(cè)，進(jìn)而激發(fā)了相關(guān)領(lǐng)域極大的研究熱情。

本項(xiàng)目研發(fā)的新型量子吸藍(lán)光材料，用于防藍(lán)光眼鏡，防藍(lán)光護(hù)眼貼膜等產(chǎn)品。可用于防護(hù)液晶（LCD）和有機(jī)電致發(fā)光（OLED）手機(jī)，電腦顯示器等電子產(chǎn)品顯示器屏幕發(fā)出的高能藍(lán)光，實(shí)現(xiàn)健康護(hù)眼的目的。該種新型量子吸藍(lán)光材料具有超強(qiáng)的光波過(guò)濾功能，比市面現(xiàn)有主流吸藍(lán)光材料效果高10－100倍，處于世界領(lǐng)先水平。在技術(shù)層面優(yōu)于市場(chǎng)上現(xiàn)有產(chǎn)品。依托于先進(jìn)的新型量子技術(shù)制備防藍(lán)光護(hù)眼鏡片和護(hù)眼貼膜，可高效吸收藍(lán)光，從根本上解決電子產(chǎn)品藍(lán)光傷害這一社會(huì)痛點(diǎn)問(wèn)題。本項(xiàng)目量子防藍(lán)光眼鏡和貼膜產(chǎn)品的生產(chǎn)有兩條技術(shù)路線，主要步驟如下：1、無(wú)機(jī)吸藍(lán)光材料分散在聚合物基材（如聚碳酸酯,聚丙烯酸酯）中直接成型；2、無(wú)機(jī)吸藍(lán)光材料分散在紫外光固化膠水中，采用涂布技術(shù)制作鏡片或者可貼合膜片。

量子材料與量子相變是本世紀(jì)凝聚態(tài)物理與材料領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。量子相變與傳統(tǒng)的熱力學(xué)相變不同，是在絕對(duì)零度下調(diào)節(jié)非熱力學(xué)參量而發(fā)生的相變，相變點(diǎn)附近量子漲落而非熱漲落起了重要作用。作為量子相變的經(jīng)典范例，二維超導(dǎo)-絕緣體相變以及超導(dǎo)-金屬相變研究獲得了2015年美國(guó)凝聚態(tài)物理最高獎(jiǎng)巴克利獎(jiǎng)。在量子相變過(guò)程中，除超導(dǎo)基態(tài)和絕緣基態(tài)外，量子金屬態(tài)是否存在于二維超導(dǎo)體系一直是理論與實(shí)驗(yàn)上爭(zhēng)論的焦點(diǎn)（Rev. Mod. Phys.91, 11002 (2019)）。根據(jù)安德森標(biāo)度理論，由于量子干涉效應(yīng)以及相位相干長(zhǎng)度在零溫下發(fā)散的特性，載流子在趨于絕對(duì)零度時(shí)會(huì)表現(xiàn)出局域化效應(yīng)，因此理論上不存在二維量子金屬基態(tài)。盡管實(shí)驗(yàn)上在各種二維電子體系發(fā)現(xiàn)了量子金屬態(tài)的可能跡象，但受低臨界溫度的制約以及外界高頻噪聲的影響（Science Advances 5, 3826 (2019)），二維量子金屬態(tài)的存在與否仍存在著巨大爭(zhēng)議，是近三十年來(lái)國(guó)際學(xué)術(shù)界一直懸而未決的重要物理問(wèn)題。 最近，北京大學(xué)物理學(xué)院量子材料中心王健教授、博雅博士后劉易與合作者在高溫超導(dǎo)納米多孔薄膜中首次完全證實(shí)了量子金屬態(tài)的存在。通過(guò)調(diào)節(jié)反應(yīng)離子刻蝕的時(shí)間，研究團(tuán)隊(duì)在高溫超導(dǎo)釔鋇銅氧（YBCO）多孔薄膜中實(shí)現(xiàn)了超導(dǎo)-量子金屬-絕緣體相變。量子金屬態(tài)存在的直接證據(jù)是體系的電阻隨著溫度降低表現(xiàn)出飽和特性，在高溫超導(dǎo)體YBCO薄膜中，該電阻飽和溫度高達(dá)5K，這一溫度相比于傳統(tǒng)超導(dǎo)體系提高了1-2個(gè)數(shù)量級(jí)，大大提升了量子金屬態(tài)的穩(wěn)定性和實(shí)驗(yàn)結(jié)果的可信度。通過(guò)高頻濾波器極低溫對(duì)照實(shí)驗(yàn)表明，是否添加濾波器對(duì)體系的電阻在低溫下的飽和規(guī)律沒(méi)有明顯的作用，有效地排除了外界高頻噪聲對(duì)實(shí)驗(yàn)的影響，為量子金屬態(tài)的存在提供了可靠的實(shí)驗(yàn)證據(jù)。實(shí)驗(yàn)還揭示了量子金屬態(tài)的霍爾電阻為零歐姆，意味著量子金屬態(tài)具有與超導(dǎo)體類(lèi)似的粒子空穴對(duì)稱(chēng)性（particle-hole symmetry）。 此外，實(shí)驗(yàn)表明量子金屬態(tài)在低溫下滿足歐姆定律且具有巨磁阻效應(yīng)，這些發(fā)現(xiàn)也與理論上對(duì)量子金屬態(tài)的預(yù)期吻合。 研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)系統(tǒng)的極低溫電輸運(yùn)測(cè)試發(fā)現(xiàn)，超導(dǎo)，金屬與絕緣這三個(gè)量子基態(tài)都有與庫(kù)珀電子對(duì)相關(guān)的h/2e周期的超導(dǎo)量子磁通振蕩，這表明量子金屬態(tài)與傳統(tǒng)金屬不同，是玻色金屬態(tài)，揭示了庫(kù)珀對(duì)玻色子對(duì)量子金屬態(tài)的形成起到了主導(dǎo)作用。（注：傳統(tǒng)金屬中導(dǎo)電是電子，也即費(fèi)米子）實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，對(duì)于超導(dǎo)態(tài)的樣品，量子振蕩振幅隨溫度的降低迅速增加而發(fā)散; 對(duì)于絕緣態(tài)的樣品，振幅隨溫度的降低先迅速增加然后在低溫下衰減; 而對(duì)于量子金屬態(tài)的樣品，振幅隨溫度的降低先迅速增加然后在低溫下飽和。進(jìn)一步分析揭示出振蕩振幅飽和對(duì)應(yīng)于相位相干長(zhǎng)度飽和，是量子金屬形成的一種可能機(jī)制。有意思的是通過(guò)調(diào)控正常態(tài)電阻僅兩個(gè)數(shù)量級(jí)，量子振蕩振幅從超導(dǎo)態(tài)樣品到最絕緣的樣品變化了九個(gè)數(shù)量級(jí)，這意味著多孔高溫超導(dǎo)體系具備很好的相位相干調(diào)控性。 該工作于2019年11月14日在線發(fā)表于學(xué)術(shù)期刊《Science》上。（DOI: 10.1126/science.aax5798；https://science.sciencemag.org/content/early/2019/11/13/science.aax5798）。北京大學(xué)王健教授、布朗大學(xué)James M. Valles Jr 教授、電子科技大學(xué)熊杰教授是本文的共同通訊作者，電子科技大學(xué)博士生楊超和北京大學(xué)博士后劉易為文章共同第一作者，北京大學(xué)為第一通訊作者單位。這一工作的主要合作者還包括布朗大學(xué)Jimmy Xu教授，北京大學(xué)林熙研究員，北京師范大學(xué)劉海文研究員，清華大學(xué)姚宏教授，電子科技大學(xué)李言榮院士等。該工作得到了國(guó)家自然科學(xué)基金、國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃、中央高校基本科研業(yè)務(wù)費(fèi)、量子物質(zhì)科學(xué)協(xié)同創(chuàng)新中心、中科院卓越創(chuàng)新中心、低維物理國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室開(kāi)放基金、北京市自然科學(xué)基金、北京市交叉科學(xué)與技術(shù)基金、博士后科學(xué)基金等支持。 二維高溫超導(dǎo)體系中量子玻色金屬態(tài)的證實(shí)是王健研究組與合作者繼量子格里菲斯奇異性發(fā)現(xiàn)以來(lái)（Science 350, 509 (2015)); Nature Communications 10, 3633 (2019)），在二維超導(dǎo)量子相變領(lǐng)域的又一重要突破。該工作為國(guó)際上爭(zhēng)論了三十多年的量子金屬態(tài)的存在提供了有力的證據(jù)，并為研究量子金屬態(tài)提供了新思路。該工作也得到了美國(guó)科學(xué)院院士斯坦福大學(xué)Steven A. Kivelson教授的高度評(píng)價(jià)，評(píng)論文章發(fā)表在Journal Club for Condensed Matter Physics（凝聚態(tài)物理期刊俱樂(lè)部）上。Kivelson教授指出：“這一工作對(duì)量子材料的理解具有基礎(chǔ)性的重要意義”。圖一， 釔鋇銅氧（YBCO）納米多孔薄膜中的超導(dǎo)-量子金屬-絕緣體量子相變。(A)用多孔氧化鋁（AAO）模板蝕刻法制備YBCO納米多孔薄膜的工藝示意圖。(B) YBCO納米多孔薄膜掃描電鏡（SEM）圖像。(C) YBCO納米多孔薄膜的幾何結(jié)構(gòu)示意圖。(D)不同刻蝕時(shí)間下YBCO納米多孔薄膜的電阻對(duì)溫度的依賴(lài)關(guān)系。超導(dǎo)態(tài)(SC)、反常金屬態(tài)(AM1)、過(guò)渡態(tài)(TS)和絕緣態(tài)(INS)四種典型薄膜的電阻溫度曲線用黑色表示。圖二,量子金屬態(tài)證據(jù)。(A)量子金屬態(tài)薄膜和超導(dǎo)薄膜的輸運(yùn)曲線。其中低溫下電阻的飽和行為為量子金屬態(tài)的特征。(B) 量子金屬態(tài)薄膜極低溫輸運(yùn)曲線。是否采用高頻濾波器并不改變量子金屬態(tài)飽和電阻的特征。插圖: 量子金屬態(tài)薄膜的I-V曲線，符合歐姆定律，亦為量子金屬態(tài)的證據(jù)。(C)典型量子金屬態(tài)薄膜的霍爾電阻和縱向電阻隨溫度的變化圖。霍爾電阻(Rxy)在低溫下趨于零，而縱向電阻不為零，表現(xiàn)出量子金屬態(tài)的特征。插圖: 量子金屬態(tài)薄膜不同溫度下的霍爾電阻(Rxy)。(D) 量子金屬態(tài)薄膜的巨磁阻效應(yīng)，與理論上對(duì)量子金屬態(tài)的預(yù)期相符。圖三，庫(kù)柏對(duì)在量子相變過(guò)程中的相干性衍變 (A)超導(dǎo)態(tài)、(B) 量子金屬態(tài)、(C)絕緣態(tài)的磁導(dǎo)振蕩圖。 (D) 不同溫度下，所有YBCO薄膜的磁導(dǎo)振蕩的振幅。對(duì)于量子金屬態(tài)薄膜，磁導(dǎo)振蕩的振幅隨溫度的降低在5 K左右而飽和。而超導(dǎo)態(tài)薄膜磁導(dǎo)振蕩的振幅在低溫下發(fā)散，絕緣態(tài)薄膜磁導(dǎo)振蕩的振幅隨著溫度降低先增加后減小。(E) 通過(guò)相位相干的近似模型，計(jì)算得到量子金屬態(tài)的相位相干長(zhǎng)度在低溫下飽和。揭示了量子金屬形成的一種可能機(jī)制。

實(shí)驗(yàn)裝置簡(jiǎn)圖，原子能級(jí)以及與原子相互作用的光脈沖序列復(fù)旦大學(xué)物理學(xué)系精密測(cè)量物理與量子光學(xué)團(tuán)隊(duì)開(kāi)展國(guó)際合作研究，在突破標(biāo)準(zhǔn)量子極限的精密測(cè)量研究中取得系列重要進(jìn)展。團(tuán)隊(duì)利用預(yù)測(cè)和回溯測(cè)量的方法，實(shí)現(xiàn)了迄今含原子數(shù)最多的原子自旋壓縮以及突

本項(xiàng)目開(kāi)發(fā)了一種量子保密通信保障信息傳輸安全條件下的量子安全云智慧考場(chǎng)作弊防控新技術(shù)，并成功地開(kāi)發(fā)了量子安全云智慧偵測(cè)器屏蔽、量子安全偵測(cè)等終端產(chǎn)品， 所開(kāi)發(fā)完成的量子安全云智慧考場(chǎng)技防平臺(tái)，確保考試安全和公平公正”的明確指示，針對(duì)當(dāng)前無(wú)線電作弊的現(xiàn)狀和未來(lái)趨勢(shì)，實(shí)施有效的考場(chǎng)電子防衛(wèi)。該系統(tǒng)偵測(cè)范圍涵蓋當(dāng)前已知的幾乎所有無(wú)線電作弊設(shè)備（包括語(yǔ)音通信、字符通信以及手機(jī)/對(duì)講機(jī)等），兼具實(shí)時(shí)偵測(cè)、作弊信號(hào)識(shí)別、作弊信號(hào)內(nèi)容探測(cè)、作弊信號(hào)還原取證、對(duì)作弊信號(hào)實(shí)施阻斷等多種能力。功能全面強(qiáng)大，易于部署，且能夠接入考務(wù)綜合管理平臺(tái)，通過(guò)數(shù)據(jù)接口鏈接支持與巡查指揮等其他系統(tǒng)的互聯(lián)互通和協(xié)同工作，是目前業(yè)內(nèi)最先進(jìn)最完整的高科技作弊防控解決方案。 

超高的遷移率、超低載流子濃度，以及單個(gè)費(fèi)米口袋特性是整個(gè)實(shí)驗(yàn)成功的關(guān)鍵所在。他們研究了多種高品質(zhì)的ZrTe5晶體，該材料在2014年被中科院物理所翁紅明、戴希和方忠等人預(yù)測(cè)可能具有非平庸的拓?fù)湫浴Ｔ诘蜏睾托〈艌?chǎng)條件下，通過(guò)量子振蕩輸運(yùn)測(cè)量和分析手段，可以重構(gòu)出一個(gè)非常清晰的閉合費(fèi)米面拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。這種封閉的三維費(fèi)米面可以與準(zhǔn)二維體系明確分開(kāi)，在量子極限

針對(duì)生化芯片加工新技術(shù),根據(jù)生化樣品特征，按照整體、高效設(shè)計(jì)，制備 出生化芯片，具有適應(yīng)面廣、直觀，無(wú)創(chuàng)，高效等優(yōu)點(diǎn)，在生物醫(yī)學(xué)、食品安全 生化芯片加工等方面都具有廣泛的應(yīng)用前景。

成果介紹人體器官芯片的成功研發(fā)將有力推動(dòng)我國(guó)生物醫(yī)療用芯片制造技術(shù)的發(fā)展，建立全新的生命科學(xué)實(shí)驗(yàn)方法；能夠有效減少新藥研發(fā)等對(duì)動(dòng)物和臨床實(shí)驗(yàn)的依賴(lài)，加速新藥研發(fā)的流程并減少研發(fā)投入技術(shù)創(chuàng)新點(diǎn)及參數(shù)微縮人工器官，以實(shí)現(xiàn)對(duì)人體器官功能的模擬。器官芯片高內(nèi)涵裝置的設(shè)計(jì)和制造，開(kāi)發(fā)了標(biāo)準(zhǔn)芯片系統(tǒng)及器官特異性生物材料市場(chǎng)前景疾病模型，藥物評(píng)估，個(gè)性化醫(yī)療。

一、領(lǐng)航一號(hào) JFM7101 基帶處理集成電路采用 SOC 設(shè)計(jì),支持 10 路獨(dú)立接收通道和 1 路發(fā)送通道,內(nèi)部集成高性能 16 位數(shù)字信號(hào)處理器,支持多種通信接口,可實(shí)現(xiàn)北斗一代衛(wèi)星 信號(hào)的接收與發(fā)送、出入站協(xié)議處理及接口通信等功能; 二、領(lǐng)航二號(hào) JFM7201 基帶處理集成電路 支持北斗二號(hào)B3、B1頻點(diǎn)/GPS-L1頻點(diǎn)信號(hào)的捕獲跟