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5月28日，作為2023年中關村論壇國際技術交易大會板塊重點活動之一，世界知名高校技術轉移發展大會于中關村軟件園國際會議中心成功舉辦。教育部科學技術與信息化司司長雷朝滋在致辭中表示，我們將持續推進高校技術轉移體系和能力的建設，推動高校科技成果加快轉化為現實生產力，更好服務經濟社會高質量發展。  教育部科學技術與信息化司司長 雷朝滋 在“2023中關村論壇”世界知名高校技術轉移發展大會上的致辭  尊敬的各位來賓，女士們、先生們、朋友們： 大家上午好！很高興參加世界知名高校技術轉移發展大會，與各位共同交流高校科技成果轉移轉化工作。我謹代表教育部科學技術與信息化司向與會各位嘉賓表示誠摯的歡迎。 5月25日，習近平主席專門向中關村論壇發來賀信，充分體現了中國政府對科技創新和國際合作的高度重視。創新是引領發展的第一動力。新時代十年，中國把科技創新擺在國家現代化建設全局的核心地位，推動科技事業發展取得顯著成就，進入創新型國家行列。世界知識產權組織全球創新指數排名顯示，2022年中國名列第11位，連續10年穩步提升。 高校作為科技第一生產力、人才第一資源、創新第一動力的重要結合點，是國家創新體系的重要組成部分，是科技成果的重要供給側。近年來，中國高校堅持面向世界科技前沿、面向經濟主戰場、面向國家重大需求、面向人民生命健康，不斷加強創新體系建設，加速匯聚創新資源，積極開展國際科技交流合作，科技創新綜合實力實現躍升，取得一批重大科技突破，培養了一大批高質量創新人才，為經濟社會高質量發展提供了有力支撐。據統計，2021年度高校專利授權數量超過30萬項，通過轉讓、許可等方式轉化專利的合同金額達88.9億元。 在新的起點上，中國政府提出“教育、科技、人才是全面建設社會主義現代化國家的基礎性、戰略性支撐”。面臨新的要求和任務，我們認為與世界高水平大學相比，中國高校科技創新支撐服務產業發展的整體水平仍存在不小的差距，科技創新賦能經濟社會發展的潛力還有待進一步發揮。 為此，教育部出臺《關于加強高校有組織科研 推動高水平自立自強的若干意見》，與科技部、國家知識產權局等部門合作，聯合出臺了《關于提升高等學校專利質量 促進轉化運用的若干意見》，完善高校知識產權全流程管理體系，推行專利申請前評估和職務科技成果披露制度；加強高校有組織科研，推動企業主導的產學研深度融合，加強高質量科技成果創造，加快實現產業化；聯合開展高校專業化國家技術轉移機構建設，持續提升高校成果轉化和技術轉移專業化水平；聯合推進國家大學科技園建設，探索布局未來產業科技園，推動高校科技成果與產業更好對接，培育新的經濟增長點。 今后，我們將持續推進高校技術轉移體系和能力的建設，推動高校科技成果加快轉化為現實生產力，更好服務經濟社會高質量發展。 一是深化產學研協同創新。支持高校瞄準經濟社會發展需要特別是產業的需要，強化與龍頭企業、中小企業的產學研合作，加強科學研究系統布局，推動科技創新與應用需求更加緊密結合，加快創新鏈產業鏈深度融合，實現科技創新與市場需求的緊密聯系，加強高質量科技成果創造，支撐推動產業高質量發展。 二是提升技術轉移效率。積極借鑒國外高校技術轉移先進經驗做法，探索高校科技成果轉化的新模式新機制，大膽創新技術轉移機制、大力強化專業化技術轉移機構和人才隊伍建設，加快促進高校科技創新成果向現實生產力轉移轉化。 三是加強國際交流合作。希望通過此次大會，搭建起技術轉移交流合作的橋梁，持續深入推動促進國內外高校開展交流合作，相互借鑒、相互促進，積極吸納更多國內外技術成果在中國市場轉移轉化，也推動中國高校的科技成果為更多國家和人民所享、所用，共同造福人類。 最后，預祝大會取得圓滿成功！也歡迎更多的國內外高校積極參與世界知名高校技術轉移發展大會，加強交流，共享經驗，共同發展。謝謝大家！

銅氧化物超導體自從1986年被發現以來，其超導機理一直被本領域科學家高度關注。具有庫侖排斥的兩個電子，為什么在高達160多開爾文（約等于零下113度）下仍然能夠相互吸引形成電子配對，并凝聚成為宏觀的量子相干態，這是橫亙在凝聚態物理領域的一個重大科學問題。2008年至今，鐵基超導體家族的發現和壯大也為超導機理的研究注入了新的活力。隨著研究的深入，從僅有的兩大非常規超導家族出發，實際上人們很難直接得到普遍的規律和共識。如果出現一個除銅基，鐵基之外的第三家族的超導體，這一情況可能得到很大的改善。2019年，美國斯坦福大學小組在介于鐵、銅之間的鎳元素所形成的氧化物Nd1-xSrxNiO2薄膜中發現了9-15 K左右的超導電性，它似乎具有與銅氧化物超導體類似的3d9最外層電子軌道，這為非常規超導機理的研究提供了一個嶄新的平臺。科學界非常關心它的超導形成與銅氧化物超導體有何異同，因此在學界迅速掀起了對鎳基超導體研究的熱潮。 超導體內部的單粒子激發需要一定的能量即為超導能隙，這也是超導態為什么能夠在一定溫度下穩定存在的原因。而兩個電子形成配對的內在因素直接決定著超導能隙函數的表現形式。因此探測非常規超導體的機理問題的首要任務是知道超導能隙的函數形式。就鎳基超導體實驗而言，得到Nd1-xSrxNiO2超導薄膜樣品似乎比較困難，因此國際上關于Nd1-xSrxNiO2薄膜的相關實驗還不是很多，許多實驗并不能直接反映超導的能隙函數。最近南京大學聞海虎團隊和聶越峰、潘曉晴團隊通力合作，成功在Nd1-xSrxNiO2超導薄膜樣品中測量到高質量的掃描隧道譜，證明了Nd1-xSrxNiO2中存在兩類超導能隙，一類是V型隧道譜即典型的d波超導能隙，能隙最大值為3.9meV，這一點與銅氧化物超導體及其類似；而另一類是完全能隙形式（full gap）的隧道譜，能隙值為2.35meV，這一點又與銅氧化物不一致，而與鐵基超導體相似。聶越峰實驗組利用分子束外延（MBE）技術制備出高質量的Nd1-xSrxNiO3 (113)薄膜及具有初步超導轉變的Nd1-xSrxNiO2 (112)薄膜，聞海虎小組進行了后續的氫化處理，進一步優化了Nd1-xSrxNiO2 (112)鎳基薄膜的超導轉變溫度及表面平整度，這是實驗能夠獲得成功的關鍵因素之一。這一結果揭示了Nd1-xSrxNiO2超導體的能隙函數，發現與銅氧化物之間既有相似之點也有不同之處，并為接下來繼續對鎳基超導體開展深入研究奠定了堅實的實驗基礎。