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該研究開發(fā)了一種低成本高性能的n型PbS基熱電材料，其成本只有傳統(tǒng)商用PbTe基材料的20%，而熱電性能則相當，本研究還基于所開發(fā)的熱電材料制備了熱電發(fā)電器件，實現(xiàn)了廢熱到電能11.2%的能量轉換效率。該項成果能夠極大地推動低成本熱電材料的開發(fā)，加速熱電發(fā)電技術的商用化進程。

受體-受體型高分子半導體相對于給體-受體型高分子在實現(xiàn)n型器件性能上具有更優(yōu)異的電子結構，但由于受體-受體型高分子半導體通常難以合成，因此高性能的n型高分子半導體通常具有交替的給體-受體主鏈結構。而給體單元的引入使得給體-受體型高分子同時呈現(xiàn)p型性能，因此這類聚合物難以實現(xiàn)單一n型性能而具有雙極性性能。郭旭崗課題組通過對高對缺電子的雙噻吩酰亞胺單體進行錫化，得到了單體BTI-Tin, 該單體具有很高的純度、很小的空間位阻、很高的聚合活性。

山東百特新材料有限公司成立于2009年，專注于生產高端硅溶膠、納米分散液。   　　我們生產大粒徑硅溶膠、小粒徑硅溶膠、陽離子硅溶膠、酸性硅溶膠、中性硅溶膠、高純度硅溶膠、表面改性硅溶膠、彩噴紙硅溶膠、蓄電池硅溶膠、納米拋光液等三十多種產品，應用于電子、拋光、催化劑、蓄電池、造紙、紡織、耐火材料、精密鑄造、涂料等行業(yè)，年產能20000噸。   　　我們可在粒徑范圍3-160nm內實現(xiàn)精確控制（小粒徑±1nm、大粒徑±5nm），可在粒徑大小、濃度、pH值、離子類型等方面為客戶定制產品。公司擁有研發(fā)中心，致力于新產品研發(fā)，獲得了多項專利。公司通過了ISO9001、ISO14001等認證，擁有高性能檢驗設備，確保產品品質。   　

廠拌熱再生技術強調原路面 RAP 的不均勻性進行改善和控制，通過對原路面材料特性的聚類分析，從源頭上降低 RAP 不均勻性，并據(jù)此動態(tài)調整銑刨、篩分和材料組成設計的策略，可將提高 RAP 摻量提高至 50%，節(jié)省材料成本 30%以上。此外，通過控制 RAP 預熱溫度、拌合工藝、再生劑用量等參數(shù)，提高 RAP 顆粒中舊礦料的遷移程度、促進新舊瀝青融合進程，減少再生混合料體系中的復雜、薄弱界面，從而使得再生路面的使用壽命較當前水平提高 30%以上。 

高密度高性能并行計算平臺是將CPU刀片、DSP卡、GPU卡通過高速總線進行互聯(lián)；采用異構并行計算框架，實現(xiàn)多機、多卡、多核的資源分配和負載均衡；提供適合大規(guī)模并行計算的算法平臺。用戶在該平臺上采用傳統(tǒng)的串行思路編程即可實現(xiàn)大規(guī)模的并行計算。 該計算平臺相對于傳統(tǒng)的服務器系統(tǒng)具有體積小、重量輕、功耗低、計算能力強的優(yōu)點。由于CPU適合邏輯業(yè)務、DSP適合粗粒度的并行計算、GPU適合規(guī)整數(shù)據(jù)的細粒度計算，所以通過CPU刀片、DSP卡、GPU卡數(shù)目的組合配置，可適合多種、不同類型的計算業(yè)務。 1. 硬件環(huán)境 硬件環(huán)境為6U高標準的服務器，最多可支持三類（CPU/DSP/GPU/）、9張板卡。在板卡間提供網絡和PCIE的高速數(shù)據(jù)總線，示意圖如圖1所示。 平臺硬件包括一個主控板和8個擴展插槽。主控板集成1片Intel i7的CPU；8個擴展插槽可插CPU刀片、DSP板卡、GPU板卡及其任意組合。因此即可組成小型的PC集群，也可以組成高性能的GPU服務器、DSP服務器，或它們之間的組合。該硬件平臺還可通過InfiniBand高速網絡進行擴展，最大可形成20個服務器互聯(lián)的統(tǒng)一的軟硬件系統(tǒng)。 2. 軟件環(huán)境： 平臺中的CPU主要起控制作用，計算任務主要由DSP和GPU承擔。針對高密度計算資源，通過軟件框架屏蔽硬件差異。軟件框架如圖2所示。 平臺提供動態(tài)鏈接庫，封裝任務的調度、CPU與DSP之間的通信、CPU與GPU之間的通信等功能。用戶在動態(tài)鏈接庫基礎之上進行二次開發(fā)，實現(xiàn)自己的業(yè)務邏輯。 3. 參數(shù)指標： ？ 單臺計算能力：插8張DSP卡，做快速傅里葉變換（FFT），相當于40臺8核Intel i7計算機的計算能力；插4張GPU卡，做場強計算，相當于50臺Intel i7計算機的計算能力; ？ 尺寸：6U標準高度，（420±0.6）mm×（256±1）mm×（≤500）mm（寬×高×深）；重量：<35公斤；功耗：<1000瓦。 圖1高密度高性能并行計算平臺硬件示意圖 圖2高密度高性能并行計算平臺軟件框架

環(huán)氧樹脂具有良好的耐腐蝕性、固化收縮率低、機械性能和電性能優(yōu)異等特點,因而廣泛用于涂料、膠黏劑、復合材料(^及電子封裝材料等領域。然而傳統(tǒng)雙酷A型環(huán)氧材料存在質脆、耐熱性不足和使用溫度低等問題,限制了它的應用。針對上述問題,本項目的研究工作主要從分子設計出發(fā)制備了一系列結構可控的多官能環(huán)氧樹脂,FF其中包括超支化環(huán)氧聚合物W及四官能度環(huán)氧樹脂,并將它們添加到雙酷A型環(huán)氧樹脂(DGEBA)中改性。經超支化環(huán)氧聚合物改性后,FF材料的拉伸強度、沖擊強度及玻璃化轉變濕度(Tg)等性能得到同F(xiàn)F時改善;經四官能度環(huán)氧樹脂改性后,材料能夠在Tg大于250°C的同F(xiàn)F時還兼具優(yōu)異的強度和初性。基于這些改性效果,深入研究了結構與FF性能的關系,并討論了改性機理。本項目的主要內容如下: 提出了一種超支化可控聚合的新方法,即利用競爭反應得到分子量可控及支化度不變的超支化聚合物。制備了一種可控Tg的超支化聚合物體系。利用競爭聚合反應制備了端基為環(huán)氧基的聚厳型超支化聚合物EHBPE。利用競爭反應原理制備出四種不同結構的超支化環(huán)氧聚合物。制備了一種髙性能的環(huán)氧均聚材料。制備了一系列新結構四官能度環(huán)氧樹脂。

電池高性能低鉑電催化劑研究首先合成含有高指數(shù)面的Pt3Fe 多級納米線，再通過煅燒得到含有兩個原子層厚的 Pt-skin結構，并評估了該材料在酸性介質中的氧還原和醇氧化催化性能，最后基于 DFT 理論計算結果證明含有高指數(shù)面的 Pt-skin表面對反應中間體的吸附能優(yōu)化，有利于電催化反應的進行。該工作首次將 Pt-skin和高指數(shù)面結合，在催化劑活性和穩(wěn)定性方面有了很大提升，為高性能電催化材料的設計和開發(fā)指出了新方向。

通過對金屬液采用特殊變質處理技術，采用離心鑄造方法制備高性能銅合金、灰口鑄鐵、白口耐磨耐蝕鑄鐵漲圈、封嚴環(huán)系列產品。

鎂合金的腐蝕與防護是鎂合金應用中的全球性瓶頸問題，如何解決鎂合金的腐蝕問題是決定鎂合金應用前景的關鍵問題之一。上海交通大學輕合金精密成型國家工程研究中心是我國鎂合金材料和鎂合金制品的研究開發(fā)和產業(yè)化示范基地，在致力于鎂合金腐蝕與防護機理和方法近14年的系統(tǒng)、深入研究基礎上，開發(fā)出了一系列功能獨特、裝飾性好的鎂合金表面處理技術及其生產工藝。其中，技術成熟、性能優(yōu)異、應用效果和反應良好的“鎂合金耐磨、耐蝕高性能協(xié)合涂層技術”最為突出，已在我國的航空、航天、衛(wèi)星、雷達、通訊、汽車、紡織等領域獲得廣泛應用。 “協(xié)合涂層”不是傳統(tǒng)意義的涂層，而是采用特殊工藝將低摩擦系數(shù)的聚合物或者固體潤滑劑引入微弧氧化膜或者硬質鍍層之中，從而結合了原始膜層和引入物兩者的優(yōu)點。該種涂層與基體金屬的表層形成一個整體，而非僅一層表面覆蓋層，故其性能優(yōu)于原來的基體金屬和單一的涂層組分性能。本項目對鎂合金微弧氧化處理的“火花”大小和密度可進行調控，從而實現(xiàn)對氧化層微孔直徑、分布密度和膜層厚度的調控。協(xié)合涂層具有硬度高、強韌性好、耐磨耐蝕的優(yōu)點。 該項目擁有鎂合金超聲濕噴丸方法、鎂合金陽極氧化用離子交換膜電解槽及其氧化方法兩項 授權發(fā)明專利，可廣泛應用于航空、航天、衛(wèi)星、雷達、通訊、汽車、紡織等領域，具有很大的經濟和社會效益潛力。

高密度高性能并行計算平臺是將CPU刀片、DSP卡、GPU卡通過高速總線進行互聯(lián)；采用異構并行計算框架，實現(xiàn)多機、多卡、多核的資源分配和負載均衡；提供適合大規(guī)模并行計算的算法平臺。用戶在該平臺上采用傳統(tǒng)的串行思路編程即可實現(xiàn)大規(guī)模的并行計算。