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一種具有多靶點的抗菌多肽偶聯(lián)物及其二聚物的合成和 應(yīng)用
在人類發(fā)展的長河中，細(xì)菌感染曾經(jīng)奪去無數(shù)人的生命。自從青 霉素問世以來，大量的抗菌藥物不斷涌現(xiàn)，在細(xì)菌感染疾病的治療中 發(fā)揮了極大的作用。但是由于抗菌藥物的不合理應(yīng)用，導(dǎo)致細(xì)菌耐藥 頻繁發(fā)生，甚至耐藥傾向性產(chǎn)生的速度遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出抗菌藥物的研發(fā)速 度。細(xì)菌耐藥性已經(jīng)成為全球嚴(yán)重的公共衛(wèi)生問題。特別是―超級細(xì) 菌‖的出現(xiàn)，使人類面臨無藥可用的窘境。因此除了規(guī)范抗菌藥物的 使用外，迫切需要開發(fā)具有新作用機制并且不受傳統(tǒng)耐藥機制
蘭州大學(xué)
2021-04-14
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頁巖氣儲層超臨界二氧化碳復(fù)合壓裂關(guān)鍵技術(shù)及應(yīng)用
面向我國能源結(jié)構(gòu)調(diào)整的重大戰(zhàn)略需求，提出了利用二氧化碳高效開發(fā)頁巖氣的新理論與新方法，成功指導(dǎo)了我國首次陸相頁巖氣超臨界二氧化碳壓裂現(xiàn)場試驗，實現(xiàn)了頁巖氣高效開發(fā)與二氧化碳地質(zhì)封存一體化的突破。
武漢大學(xué)
2021-04-14
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一種基于激光測距傳感器的便攜式二維隨動激光測量裝置
本發(fā)明公開了一種基于激光測距傳感器的便攜式二維隨動激光 測量裝置，其包括水平移動組件、豎直移動組件和控制系統(tǒng)組件，水 平移動組件包括水平移動滑臺和驅(qū)動其作水平運動的步進(jìn)電機，水平 移動滑臺上安裝有水平光柵尺;豎直移動組件包括豎直升降滑臺和激 光測距傳感器，豎直升降滑臺固定在水平移動滑臺上，其由步進(jìn)電機 驅(qū)動作豎直運動，其上安裝有豎直光柵尺;激光測距傳感器固定在豎 直升降滑臺的運動端;控制系統(tǒng)組件用于控制水平移動滑臺和豎直升 降滑臺的運動，并處理激光測距傳感器、水平光柵尺和豎直光柵尺反 饋的距離數(shù)據(jù)。
華中科技大學(xué)
2021-04-14
含有二硫鍵和金剛烷的甲基丙烯酸酯單體及其制備方法
本發(fā)明公開了一種含有雙硫鍵和金剛烷的甲基丙烯酸酯單體及其制備方法。甲基丙烯酸羥乙酯經(jīng) N,N’-羰基二咪唑(CDI)活化后與胱胺反應(yīng)，得到一端雙鍵一端氨基的中間產(chǎn)物，繼續(xù)用 CDI 活化氨基， 再與金剛烷胺反應(yīng)得到含有雙硫鍵和金剛烷的甲基丙烯酸酯單體。該單體容易發(fā)生自由基聚合得到大分 子聚合物，也可以與其它的含有雙鍵的單體共聚得到功能性聚合物。所得到的聚合物含有雙硫鍵，在還 原劑存在的條件下能夠斷鏈降解，可用于制備氧化還原敏感功能高分子材料。
武漢大學(xué)
2021-04-14
一種納米二氧化鈦-液晶-丙烯酸酯分散液的制備方法
本發(fā)明公開了一種納米二氧化鈦-液晶-丙烯酸酯分散液的制備方 法，包括以下步驟：（1）將丙烯酸酯單體與液晶均勻混合，制得液晶 -丙烯酸酯溶液；加入去離子水，調(diào)節(jié) pH 值在 1 至 2 之間；然后加入 表面活性劑，均勻混合后形成乳濁液；（2）向其中添加二氧化鈦前驅(qū) 體，通過水解縮合反應(yīng)，生成納米二氧化鈦顆粒，均勻分散于混合液 中；（3）向其中加入硅烷偶聯(lián)劑，進(jìn)行硅烷偶聯(lián)改性，制得含表面改 性納米二氧化鈦的液晶-丙烯酸酯
華中科技大學(xué)
2021-04-14
二元或三元含氟磺酰亞胺的堿金屬鹽和離子液體及其應(yīng)用
本發(fā)明公開了一種制備二元或三元含氟磺酰亞胺堿金屬鹽和由 這些二元或三元含氟磺酰亞胺的堿金屬鹽制備離子液體的方法，以及 這些堿金屬鹽、離子液體作為電解質(zhì)在碳基超級電容器、二次鋰（離 子）電池等中的應(yīng)用。本發(fā)明提供的制備二元或三元含氟磺酰亞胺堿 金屬鹽的方法操作步驟簡短，產(chǎn)物易分離提純，其產(chǎn)物的產(chǎn)率和純度 都很高；本發(fā)明提供的二元或三元含氟磺酰亞胺鋰的熱穩(wěn)定性和耐水 解性好，其非水電解液具有較高的電導(dǎo)率和鋰離子遷移數(shù)，同
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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一種手性的1-（3,5-二氯吡啶-4-基）-乙醇的合成方法
本發(fā)明公開了一種1-（3,5-二氯吡啶-4-基）-乙醇的不對稱合成方法，包括以下步驟：（A）3,5-二氯吡啶（I）在胺基鋰的作用下與乙醛反應(yīng)生成（±）-1-（3,5-二氯吡啶-4-基）-乙醇（II）；（B）（±）-1-（3,5-二氯吡啶-4-基）-乙醇（II）在氧化劑的作用下生成1-（3,5-二氯吡啶-4-基）-乙酮（III）；（C）1-（3,5-二氯吡啶-4-基）-乙酮在手性配體存在下與硼烷試劑反應(yīng)，制得單一光學(xué)異構(gòu)體的1-（3,5-二氯吡啶-4-基）-乙醇（IV）。該法較傳統(tǒng)手性柱分離（±）-1-（3,5-二氯吡啶-4-基）-乙醇相比，優(yōu)點突出：（1）反應(yīng)簡單，易于操作，總收率高，光學(xué)純度大于98%；（2）工業(yè)制備周期明顯縮短，設(shè)備要求低；（3）制備成本低，是適合工業(yè)生產(chǎn)的方法。
四川大學(xué)
2017-12-28
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晶體材料國家重點實驗室在鈦基二維晶體材料應(yīng)用方面取得新成果
山東大學(xué)晶體材料國家重點實驗室陶緒堂教授團隊通過自主設(shè)計的“微爆炸法”獲得了無氧化MXene-Ti3C2Tx量子點，首次提出可將此類二維結(jié)構(gòu)鈦基晶體材料用于腫瘤治療，并與劉宏教授團隊合作發(fā)現(xiàn)其具有較強的類芬頓反應(yīng)特性，在抗腫瘤實驗中效果顯著，從而實現(xiàn)了更高效、更安全的納米催化治療方式。相關(guān)結(jié)果以“Nonoxidized MXene Quantum Dots Prepared by Microexplosion Method for Cancer Catalytic Therapy”為題，發(fā)表在材料類權(quán)威期刊Advanced Functional Materials（IF=15.621）上，陶緒堂教授和劉宏教授為通訊作者，晶體所博士研究生李雪松和劉鋒為共同第一作者，山東大學(xué)為獨立完成單位。 對于腫瘤治療，傳統(tǒng)的化學(xué)、物理療法都存在嚴(yán)重的副作用，限制了其在實際臨床治療中的應(yīng)用。最近，基于特殊的腫瘤微環(huán)境，利用腫瘤內(nèi)部催化反應(yīng)的納米催化治療成為前沿且備受關(guān)注。其中，研究最為廣泛的鐵基納米催化劑可特異性響應(yīng)腫瘤的弱酸性細(xì)胞微環(huán)境，釋放Fe2+并引發(fā)芬頓反應(yīng)，產(chǎn)生?OH自由基以觸發(fā)細(xì)胞凋亡，從而抑制腫瘤。然而，在弱酸性腫瘤環(huán)境中，F(xiàn)e2+催化的芬頓反應(yīng)速率較低，導(dǎo)致?OH自由基形成緩慢。此外，眾多抗腫瘤復(fù)合納米制劑的潛在毒性值得關(guān)注。因此，尋找更高催化活性和更安全的納米制劑是人們一直追求的目標(biāo)。晶體材料國家重點實驗室陶緒堂教授團隊與劉宏教授團隊合作發(fā)現(xiàn)所制備的鈦基無氧化MXene-Ti3C2Tx量子點具有較強的類芬頓反應(yīng)特性，其對正常細(xì)胞和組織器官均表現(xiàn)良好的生物相容性，并對宮頸癌和乳腺癌均有強烈的殺傷能力，體現(xiàn)出優(yōu)異的抗腫瘤效果。這種以鈦基類芬頓反應(yīng)為基礎(chǔ)的腫瘤治療方式潛力巨大，為實現(xiàn)腫瘤的高效、精準(zhǔn)治療提供了一條新的探索途徑。
山東大學(xué)
2021-04-11
“海南自貿(mào)港政策解讀”系列主題新聞發(fā)布會(第二場)——“重點人才政策”專場
介紹和解讀《海南自由貿(mào)易港全方位引進(jìn)培養(yǎng)用好人才的若干政策措施》《海南省支持人才發(fā)展“授權(quán)松綁”清單(2024)》《海南省省本級高層次人才周轉(zhuǎn)編制池使用辦法(試行)》3項人才政策的有關(guān)情況。
海南省新聞辦公室
2024-03-20
DT640硅二極管溫度傳感器低溫溫度測量裸片溫度計
DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專門適用于低溫溫度測量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復(fù)性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對高而易于測量等特點。所有此款溫度計都較好地遵循一個電壓-溫度（V-T）曲線，因而具有更好的可互換性。很多應(yīng)用中都不需要單獨的標(biāo)定。
DT640-BC型裸片溫度計，相比市場上的其它溫度計，具有尺寸更小、熱容更小、響應(yīng)時間更短的特點。在尺寸、熱容以及響應(yīng)時間有特殊要求的應(yīng)用中具有獨特的優(yōu)勢。
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特點：
※ 激勵電流小，因而具有很小的自熱效應(yīng)；
※ 符合標(biāo)準(zhǔn)曲線，具有良好的互換性；
※ 多種封裝，不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝；
※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內(nèi)，可提供較好的測量精度；
※ 遵循DT-640標(biāo)準(zhǔn)溫度響應(yīng)曲線；
※ 多種可選封裝方式。
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參數(shù)：
※ 溫度范圍：3K~500K；
※ 標(biāo)準(zhǔn)曲線：DT640
※ 推薦激勵電流：10µA±0.1%；
※ 可重復(fù)性：10mK@4.2K，16mK@77K，75mK@273K。
※ 反向電壓高達(dá)：75V；
※ 損壞前電流高達(dá)：長時間200mA 或瞬間1A；
※ 推薦激勵下的功率耗散：20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K；
※ BC封裝響應(yīng)時間：10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K；
※ 輻射影響：只推薦在低輻射場合下使用；
※ 磁場影響：不推薦在磁場環(huán)境下使用。
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北京錦正茂科技有限公司
2022-01-21