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高可靠憶阻器件及其視聽覺傳感應用
技術成熟度：技術突破
傳統CMOS工藝的圖形處理器通常是由探測、存儲、處理等多個分立系統構成，不可避免的增加了集成電路的復雜性、功耗和成本，憶阻器在新型信息存儲器件、存算一體化技術及人工神經網絡等領域有著巨大應用潛力。
研發團隊發展的感存算一體化新型光電憶阻材料與器件能夠解決傳統人工視聽覺系統在容量、集成度、速度等方面的技術瓶頸問題，是實現高效智能視聽覺傳感系統的基礎。研發團隊首次在基于氧化鎢材料憶阻突觸器件的視聽覺系統中模擬了速度檢測的多普勒頻移信息處理，進而實現高通濾波和處理具有相對時序和頻移的尖峰數據。這些結果為視聽覺運動感知的模擬提供了新機會，促進了其在未來神經形態傳感領域的應用。
意向開展成果轉化的前提條件：中試放大及產業化工藝開發資金支持
東北師范大學
2025-05-16
高COD高鹽廢水處理技術
上海交通大學
2021-04-13
微波/毫米波大功率計
微波毫米波大功率計主要完成微波/毫米波領域大功率測試，是監測微波毫米波器件性能的關鍵測試儀器/設備。 團隊研制的微波/毫米波大功率計可以完成平均功率20kW以上電磁波能量的測定。
電子科技大學
2021-04-10
小型表面貼裝磁屏蔽功率電感
功率電感廣泛應用于開關電源中，在電路中起濾波作用，其性能直接影響到開關電源的性能。例如，低的安裝高度、小的體積會很大程度上縮小開關電源的體積，提高其功率密度；高的電感值會減小開關電源的紋波大小；低的漏磁場不會干擾其他電子元器件的正常工作；耐大電流的能力使其能傳輸更大的功率。因此，功率電感必將朝著小型、高感值、耐大電流、磁屏蔽及表面貼裝的方向邁進。現有的功率電感，要滿足小型、高感值、耐大電流其中的兩者是容易實現的。如需滿足小型、高感值的要求，則采用線徑較細的漆包線繞制較多的匝數即可實現，但其額定電流值很小；如需滿足小型、耐大電流的要求，則采用較粗線徑的漆包線繞制較少的匝數即可實現，但其電感值小；如需滿足高電感值、耐大電流的要求，則可采用線徑較粗的漆包線繞制較多的匝數即可實現，但其體積將嚴重變大。除以上三大特性外，低電磁干擾及表面貼裝的設計也是發展潮流。因此，兼具以上五種性能的小型、大電流表面貼裝電感必將成為元器件市場爭奪的熱點。
電子科技大學
2021-04-10
微波/毫米波大功率計
微波毫米波大功率計主要完成微波/毫米波領域大功率測試，是監測微波毫米波器件性能的關鍵測試儀器/設備。
電子科技大學
2021-04-10
高速機床主軸、高速大功率電機
高速大功率電機主要應用于空氣壓縮機、制冷機、鼓風機、MVR 蒸發器(Mechanical Vapor Recompression) 和燃氣余熱發電等領域，由于采用“電機-葉輪”直驅結構，省去了傳統的增速箱等中間傳動環節，相比于“電動機-增速箱-葉輪”結構，具有結構緊湊、振動噪聲小、傳動效率高、易于實現自動調速等優點。液體靜壓（電）主軸主要應用于高速精密磨床領域，如軸承磨床、外圓磨床、內圓磨床、平面磨床、凸輪軸磨床、曲軸磨床、立式磨床等。其主要特點在于高速度、高精度、高剛性，支撐磨床實現高效精密加工。
湖南大學
2021-04-11
大功率氦氖激光器
氦氖激光器是應用最為廣泛的一種氣體激光器件，目前已有很多品種規格，滿足不同用途的需要。大功率氦氖激光器是指輸出功率大于5毫瓦的器件，可用于激光全息攝影、喇曼光譜、射散研究、激光通訊和激光印刷等方面，產品具有結構緊湊、單模輸出、功率大、壽命長、穩定性好、線偏振和防震性好等特點。
上海理工大學
2021-04-11
大功率LED照明燈具
本實用新型公開了一種大功率LED照明燈具，包括散熱銅基板、蓋板和透鏡，其特征在于：還包括覆銅板、LED芯片和散熱鰭片，在散熱銅基板上側開設有圓形凹槽，在圓形凹槽中橫向設置有覆銅板，在覆銅板內部對稱設置有兩個LED芯片，兩個LED芯片內部通過金線連接導通，兩個LED芯片的正負極分別與導線相連接，在兩個LED芯片上方分別豎向安裝有光學罩，在圓形凹槽的上方設置有將凹槽整個罩住的透鏡，透鏡的邊緣處用蓋板壓緊固定，所述散熱銅基板下側安裝有多層散熱鰭片。本實用新型解決了現有技術中LED照明燈具散熱和密封效果較差的問題，提供了一種結構簡單，具有較好散熱密封效果，且不易破裂損害的大功率LED照明燈具。
南京工程學院
2021-04-13
高壓大功率半導體器件IGCT
1. 痛點問題
功率半導體是支撐能源領域發展的核心部件。為實現3060雙碳目標，我國正在超常規推動新能源發電、大容量輸配電和電氣化交通等領域，對電壓等級4.5kV以上的功率器件需求急速增長。提高器件電壓和容量可以減少器件串并聯數量、縮減裝備體積和成本，是解決城市用地緊張、降低海上風電平臺建設成本的關鍵。然而，受工作機理和制備工藝限制，IGBT器件最大功率等級為4.5kV/3kA和6.5kV/0.75kA，已接近瓶頸，無法滿足能源發展需求。因此，亟需更高電壓、更大容量、更高可靠性和更低制造成本的功率半導體器件解決方案。
2020年，中國功率半導體市場規模達2000億元，但90%以上依賴進口，尤其是4.5kV以上器件，近乎全部進口。亟需尋求自主可控的功率半導體器件國產替代方案。
2. 解決方案
本技術面向新能源發電和輸配電領域大容量、高可靠的需求，提出了自主化IGCT器件（集成門極換流晶閘管）的設計、制備和驅動控制方案，可以提高阻斷電壓和關斷電流能力、降低器件運行損耗，且可以結合應用工況開展定制優化，如改善器件防爆特性、解決高壓裝置中的驅動供電問題等，從而實現大容量、高可靠、低成本、高效率的能量管理和功率變換。
目前團隊已研制出4.5kV/5kA和6.5kV/4kA的IGCT器件，功率等級全面覆蓋IGBT，且具有向更大容量發展的潛力。與IGBT、MOSFET等晶體管器件相比，本技術提出的IGCT具有通態損耗低、耐受電壓高、可靠性高、抗干擾能力強等突出優勢，符合能源發展趨勢，且制造工藝沿用基本沿用傳統的晶閘管路線，制造成本低，國內工藝基礎好。
清華大學
2021-10-26
一種光功率分束器
本發明公開了一種光功率分束器，包括襯底以及在襯底上自下 而上依次排列的包層、下導波層和上導波層；上導波層為圖形層，沿 水平面上向右方向依次刻蝕有輸入波導、準直透鏡、光束整形透鏡組、 相移光柵、傅里葉變換透鏡、第一相位補償結構、直流分量相移器、 第二相位補償結構和輸出波導陣列；其中，準直透鏡、光束整形透鏡 組、相移光柵、傅里葉變換透鏡、第一相位補償結構、直流分量相移 器和第二相位補償結構的厚度相同；輸入波導和輸出波導陣
華中科技大學
2021-04-14