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在過去的二十年里，磁電材料因其在磁傳感器、能量回收器、微機電系統(tǒng)、可調(diào)微波器件等工程領(lǐng)域的應(yīng)用潛力，一直以來得到了研究者的廣泛關(guān)注。為了實現(xiàn)強的磁電耦合，北京大學工學院的研究者們利用不同的壓電和壓磁材料制備了諸如0-3型、3-1型、2-2型和2-1型的磁電復合材料。 北京大學工學院實驗室通過激光處理壓磁材料FeBSi合金(Metglas)，提出了1-1型的磁電復合結(jié)構(gòu)。實驗測試得出：1-1型磁電材料具有超高的磁電系數(shù)（超過7000 V/cm Oe），相比于現(xiàn)有結(jié)果提高了接近7倍。當被測磁場頻率為復合材料的諧振頻率時，在室溫條件下測到了1.35×〖10〗^(-13)Tesla的微弱磁場，這是塊體磁電復合材料領(lǐng)域的重要突破。該研究還發(fā)現(xiàn)，激光快速退火處理可以顯著降低壓磁材料在諧振頻率點的交流損耗，從而提高1-1型磁電結(jié)構(gòu)的機械品質(zhì)因子。此外，1維（1D）的結(jié)構(gòu)也有利于降低退磁因子，并增強磁通聚集效應(yīng)。

項目簡介 在過去的二十年里，磁電材料因其在磁傳感器、能量回收器、微機電系統(tǒng)、可調(diào)微波器件等工程領(lǐng)域的應(yīng)用潛力，一直以來得到了研究者的廣泛關(guān)注。為了實現(xiàn)強的磁電耦合，北京大學工學院的研究者們利用不同的壓電和壓磁材料制備了諸如0-3 型、3-1 型、2-2 型和2-1型的磁電復合材料。北京大學工學院實驗室通過激光處理壓磁材料FeBSi 合金 (Metglas)，提出了1-1 型的磁電復合結(jié)構(gòu)。實驗測試得出：1-1 型磁電材料具有超高的磁電系數(shù)（超過7000 V/cm Oe），相比于現(xiàn)有結(jié)果提高了接近7 倍。當被測磁場頻率為復合材料的諧振頻率時，在室溫條件下測到了1.35×〖10〗^(-13)Tesla 的微弱磁場，這是塊體磁電復合材料領(lǐng)域的重要突破。該研究還發(fā)現(xiàn)，激光快速退火處理可以顯著降低壓磁材料在諧振頻率點的交流損耗，從而提高1-1 型磁電結(jié)構(gòu)的機械品質(zhì)因子。此外，1 維（1D）的結(jié)構(gòu)也有利于降低退磁因子，并增強磁通聚集效應(yīng)。應(yīng)用范圍基于磁電耦合效應(yīng)，該項研究課題組首次提出了磁電磁通門的結(jié)構(gòu)設(shè)計，旨在對微弱直流磁場進行探測。這個磁電磁通門具有梭形結(jié)構(gòu)，對于1nT 的直流磁場輸入，磁電磁通門輸出信號的相對變化相比現(xiàn)有的結(jié)果提高了4-5 倍，為磁異常探測在導航、醫(yī)學診斷等領(lǐng)域的應(yīng)用創(chuàng)造了可能。項目階段本課題組同內(nèi)窺鏡團隊合作，發(fā)展了基于磁電耦合原理的磁電傳感器陣列和磁成像系統(tǒng)，研制了國內(nèi)首臺磁電磁成像樣機。該樣機核心組成部分由56 路磁電傳感器、驅(qū)動電路、信號采集與處理、磁成像顯示等構(gòu)成。該磁成像系統(tǒng)不僅能夠檢測磁性金屬物的存在，而且還能準確判斷其位置、姿態(tài)，定位偏差縱向在1.2cm 以內(nèi)，橫向偏差在0.5cm 以內(nèi)。另外，通過對金屬棒掃描和采集信號的微分處理，還可以判斷金屬棒的長、徑比值。該項研究提出的磁成像系統(tǒng)在安檢、醫(yī)學上人體內(nèi)磁性藥囊實時監(jiān)測方面具有較大應(yīng)用價值。知識產(chǎn)權(quán)已申請相關(guān)專利。合作方式 技術(shù)轉(zhuǎn)讓、合作開發(fā)。

概述： FCP磁場控制平臺是根據(jù)磁控原理設(shè)計的理想磁測量系統(tǒng)，磁場范圍超過3T，利用TESTIK475高斯計穩(wěn)定磁場控制，適合各系列電磁鐵配置，連續(xù)可變的電磁氣隙，實心的和光學入口極帽，線型雙極，真實四象限電磁鐵電源。 您也可以在淘寶網(wǎng)首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業(yè)店鋪，聯(lián)系更加方便快速！ 錦正茂磁場控制平臺磁控原理磁測量系統(tǒng) FCP磁場控制平臺控制特征： TESTIK475型高斯計努力保持確切的磁場密度，用戶輸入的控制設(shè)定點，用G、T、Oe、A/m來表示。北京錦正茂的電磁鐵磁場控制平臺集成了硬件和控制部件來形成一個變化的磁場平臺，可以被獨立的被利用或做為用戶設(shè)計的測量系統(tǒng)的一個基礎(chǔ)。 您也可以在淘寶網(wǎng)首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業(yè)店鋪，聯(lián)系更加方便快速！ 錦正茂磁場控制平臺磁控原理磁測量系統(tǒng) ※ 磁場控制平臺包括錦正茂公司的電磁鐵、雙極電源、具有控制能力的DSP技術(shù)的高斯計、霍爾探頭及支架等。 錦正茂提供的磁場控制平臺具有不同的配制用來滿足在磁場強度、磁場均勻性、樣品尺寸、自定義測量要求等基礎(chǔ)之上的用戶要求。可以獨立的形成用戶所需要的不同磁場強度的可變磁場。廣泛用于磁光測量系統(tǒng)、VSM測量系統(tǒng)、在線退火、霍爾效應(yīng)、磁化率測量、自旋磁共振、B-H曲線測量和精準的傳感器校準等領(lǐng)域。 475高斯計從高斯計霍爾探頭得到反饋來計算并調(diào)整控制（模擬）輸出。為了更大程度實現(xiàn)控制的穩(wěn)定性，475型高斯計每33毫秒更新模擬輸出。結(jié)果是一個內(nèi)置的PI 控制器提供了峰值-到-峰值的0.5 G*的磁場穩(wěn)定性。 ※ 當設(shè)定點速率激活的時候，儀器會開始從當前磁場讀數(shù)加速而不是當前設(shè)定點，基于對P和I的設(shè)定。另外，475高斯計能設(shè)定速率來控制設(shè)定點，從當前磁場讀數(shù)到一個新的值，使用一個磁場中平滑線性變換而不是瞬態(tài)特性的PI控制。 ※ 開環(huán)磁場控制也可能用手動輸出來使用475模擬輸出，這意味著忽視了反饋并且模擬輸出停留在手動用戶調(diào)整。這個方法使磁體電源操作處于恒定電流模式。 ※ 475也包含了用戶可設(shè)定的控制斜率限制和模擬輸出電壓限制。這些軟件限制保證了磁體電源如果磁場控制系統(tǒng)遭到不合適的調(diào)整或開始擺動而不會損壞。 您也可以在淘寶網(wǎng)首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業(yè)店鋪，聯(lián)系更加方便快速！ FCP磁場控制平臺標準配置： TESTIK475有1個計算機接口：RS-232串口:。這個接口可以設(shè)置所有儀器參數(shù)和測量值得讀回。在磁場控制期間，接口的讀數(shù)率是額定每秒30個讀數(shù)。475的LabVIEW驅(qū)動是提供的（選配）。磁場控制平臺不含應(yīng)用軟件。    

本發(fā)明涉及一種低彈性模量高疲勞強度的醫(yī)用植入鈦合金及制備方法，所述合金的組份及重量百分比為：Nb：30wt％～33wt％；Zr：1wt％～6wt％；Mo：2wt％～4wt％；O：0.20wt％～0.40wt％，余量為Ti；合金制備的具體步驟是：采用真空非自耗電弧爐熔煉獲得成分均勻合金鑄錠，經(jīng)熱鍛成棒材后在850℃?950℃固溶處理，水冷至室溫；隨后冷軋變形加工，變形量為80％?90％；最后進行時效熱處理，其加熱溫度為400℃?500℃，保溫時間為1h?12h。本發(fā)明經(jīng)冷軋和熱處理后，強度顯著高于目前應(yīng)用最廣的醫(yī)用植入鈦合金Ti?6Al?4V，疲勞強度與Ti?6Al?4V相當，而彈性模量僅為Ti?6Al?4V的52％，生物相容性和力學相容性更優(yōu)異，可應(yīng)用于制備生物醫(yī)用植入體。

規(guī)格：6個操作鍵，內(nèi)置鋰電，具有LCD顯示、數(shù)據(jù)儲存功能，能脫離計算機進行采集、顯示、記錄數(shù)據(jù)。與計算機的連接支持兩種方式:（1）通過數(shù)據(jù)采集線直接與計算機USB相連；（2）通過藍牙與計算機相連。 測量范圍：0～30000μs/cm，分辨率：0.1μs/cm

量程：0～10mS/cm；分辨率：0.005mS/cm；用于測量水溶液的電導率，分析飲用水的純度等。

NELD-NPR163型氮氣滲透率測試儀，是耐爾得根據(jù)GB36900.2-2018《低、中水平放射性廢物高完整性容器——混凝土容器》標準，自主研發(fā)的產(chǎn)品。氮氣滲透率測試方法適用于以測定混凝土的氣體滲透率來確定混凝土抗氣體滲透性能。氮氣滲透率測試儀試件夾具采用304不銹鋼材質(zhì)，采集儀表高精度數(shù)顯，充氣橡膠囊高耐壓，皂膜流量計數(shù)字顯示，測量精度高。該產(chǎn)品支撐采用福馬輪，可水平調(diào)節(jié)、可支撐、可固定、可滾動、可防塵。產(chǎn)品設(shè)計巧妙科學，操作方便，是科研單位、質(zhì)檢機構(gòu)理想的試驗設(shè)備。

本發(fā)明提供的具有高單縱模成品率的脊波導分布反饋(DFB)半 導體激光器，是由自下而上依次排列的 N 型電極(1)、襯底(2)、下包層 (3)、下分別限制層(4)、應(yīng)變多量子阱有源層(5)、上分別限制層(6)、緩 沖層(7)、光柵層(8)、上包層(9)、第一脊條(10)、第二脊條(11)、第一 脊條上的 P 型電極(12)、第二脊條上的 P 型電極(13)組成。本發(fā)明通過 在單個半導體激光器管芯上制作端面反射率相位相差π/2 的兩個

260mm×160mm×270mm，記憶合金浸在熱水中可使飛輪連續(xù)轉(zhuǎn)動。