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一種單晶石榴石厚膜的間歇式液相外延生長方法
專利內容是本發明針對背景技術存在的缺陷，提出了一種單晶石榴石厚膜的間歇式液相外延生長方法，緩解了襯底與薄膜之間的應力產生，得到的單晶石榴石厚膜可作為磁光或微波厚膜應用，該方法制得的磁光厚膜的厚度可達100µm以上。
電子科技大學
2021-02-01
一種糖基/磺化改性親和聚合物中空纖維分離膜、其制備方法及用途
本發明公開一種糖基/磺化改性親和聚合物中空纖維分離膜及其制備方法。該膜由聚合物樹脂、磺化聚合物樹脂和糖類高分子組成，在優選的原料與比例下對LDL有良好的特異性吸附作用，且具有良好的穩定性和生物相容性，可重復使用，成本低廉，有望投入大規模臨床應用。其制備方法包括以下過程:將膜用聚合物樹脂、磺化聚合物樹脂、糖類高分子、致孔劑按一定比例溶于溶劑，制成均一的紡絲制膜液，將紡絲制膜液過濾、真空脫泡后，通過浸沒沉淀相轉化法紡絲制備中空纖維成膜，然后將所制得的中空纖維膜依次在去離子水和超純水充分漂洗。本發明采用的共混溶解制備法具有操作簡便安全、原材料廉價易得等優點。
浙江大學
2021-04-11
超晶格結構的納米晶Cr2N/非晶WC超硬膜及其制備方法
簡介：本發明提供一種超晶格結構的納米晶Cr2N/非晶WC超硬膜及其制備方法,屬于材料表面技術領域。本發明該超硬膜是由電弧離子鍍的納米晶體相Cr2N和磁控濺射鍍的非晶體相WC層交替沉積而成,并且,超晶格的調制周期為10～20nm,Cr2N單層和WC單層的厚度分別為8～14nm和2～6nm。本發明的優點在于:Cr2N層與WC層交替分布實現了Cr-N基膜成分多元化和結構多層化,解決了抗氧化性較強的Cr-N基膜獲得超高硬度的難題,同時非晶WC層進一步提高了Cr-N基膜的抗氧化和耐腐蝕性能,滿足不能熱處理的
安徽工業大學
2021-04-14
復極式離子膜電解槽極網自動化激光焊接成套技術裝備
北京工業大學
2021-04-14
低能耗低污染膜/生物反應器（MBR） 污水處理技術與設備
技術特點及優勢 1、對現有的用于污水處理的膜進行改性，提高膜通量，減小跨膜壓力。膜通量較現有膜提高2倍以上，跨膜壓力只有1米左右水柱。 2、突破了以往MBR膜都是與泥水直接接觸的固有形式，對MBR結構進行了改進，減少膜與污泥、胞外聚合物（EPS）等膜污染關鍵物質的接觸，可以極大緩解膜污染問題； 3 、采用的廉價耐污染膜材料，延長膜的使用壽命，降低運行成本； 4 、控制反應器微生物處于內源呼吸期，反應器中能有效建立細菌—原生動物—后生動物微生態系
哈爾濱工業大學
2021-04-14
一種燃料電池膜電極熱壓頭上表面貼片的糾偏補償方法
本發明公開了一種燃料電池膜電極熱壓頭上表面貼片的糾偏補償方法。傳統的機器視覺采圖后擺動氣缸翻轉，然后貼片，不能保證GDL 的貼裝精度，另外，由于 GDL 料盒比 GDL 本身尺寸稍大，不能保證每次真空拾取機構吸取 GDL 的中心軸線都與旋轉軸的中心軸線重合，因此翻轉后也會有誤差。本發明主要解決這兩個誤差的計算和補償方法，實現熱壓頭上表面的準確貼片。本發明基于現有的 GDL 熱壓裝備實現，首先對相機進行標定，標定兩個相機各自的像素坐標系和世界坐標系的關系，分別根據是由安裝誤差引起的貼片糾偏或者是由軸線
華中科技大學
2021-04-14
一種納米氫氧化鈷-石墨烯復合膜、其制備方法及應用
本發明公開了一種納米氫氧化鈷-石墨烯復合膜、其制備方法及 應用。所述復合膜，包括納米石墨烯底層和納米氫氧化鈷表層，所述 納米石墨烯底層厚度在 4000nm 至 6000nm 之間，所述納米氫氧化鈷表 層厚度在 50nm 至 100nm 之間，所述納米氫氧化鈷表層均勻沉積在所 述納米石墨烯底層上。其制備方法，包括以下步驟：將氧化石墨烯均 勻分散于水中，涂敷在片狀導電基底上，干燥得到納米氧化石墨烯膜； 組建三電極體系采用
華中科技大學
2021-04-14
適用于對移動中的柔性膜執行標識的多自由度打標裝置
本發明屬于柔性膜質量檢測設備相關領域，并公開了一種適用 于對移動中的柔性膜執行標識的多自由度打標裝置，包括支撐組件、 傳動組件、動力組件、打標針組件和記號筆組件，其中支撐組件可實 現打標裝置的機械連接，同時還具有導向和位置調節的功能；動力組 件為打標裝置提供可控的動力，傳動組件可適于在運動中多自由度地 驅動打標針組件和記號筆組件，并提供高精度的打標操作；打標針組 件和記號筆組件分別可在柔性膜上打出針孔和顏色標記，并檢測標記 是否成功完成。通過本發明，在高速運動過程中也能夠高精度、穩定 可靠地執行打標操作，而且反應靈敏度高，因而尤其適用于 RFID 標 簽之類對表面標識質量高的運用場合。
華中科技大學
2021-04-11
一種高效選擇性捕獲三價鉻離子的復合膜及其制備方法
本發明涉及一種高效選擇性捕獲三價鉻離子的復合膜及其制備方法。所述復合膜由聚醚砜（PES）基膜、鋅離子與生物分子自組裝層以及ZIF?8金屬有機框架層組成。其制備方法包括：通過鄰苯三酚與氨基酸協同改性PES基膜表面，形成穩定的負電荷層；利用靜電作用將鋅離子與生物分子自組裝于改性膜表面，并以此為基底原位生長ZIF?8層。該復合膜通過ZIF?8的孔隙限域效應及表面官能團配位作用，實現對Cr3+的高效捕獲，吸附容量提升，截留率超過99%，且在復雜共存離子體系中表現出優異的選擇性吸附性能。
南京工業大學
2021-01-12
高穩定金屬膜電阻器用磁控濺射中高阻靶材及制備技術
成果與項目的背景及主要用途：
Cr-Si 中高阻膜電阻器具有精度高、噪聲低、溫度系數小、耐熱性和穩定性好等優點，在精密電子設備和混合集成電路中大量采用。對于濺射制備電阻膜來說，靶材是至關重要的，它制約著金屬膜電阻器的電阻率、精度、可靠性、電阻溫度系數（Temperature Coefficient of Resistance, TCR）等性能。電阻溫度系數(TCR)是金屬膜電阻器的一個重要性能技術指標之一，較大的 TCR 在溫度變化時會造成電阻值漂移，從而影響電阻器的精度和穩定性。目前國內外生產的金屬膜電阻器用高阻靶材，其性能不能滿足低 TCR（≤25ppm/℃）要求。
技術原理與工藝流程簡介： 靶材煉制工藝如下圖所示所制備的靶材(382 mm ×128 mm ×14 mm)在濺射成電阻器薄膜后, 電阻溫度系數小(≤25 ×10-6 / ℃), 電阻值高(要求不刻槽數量級為千歐, 刻槽后數量級為兆歐)且穩定(隨時間變化小), 因此, 在本靶材研究中, 將選擇 Cr 、Si 作為高阻靶材的主體材料。由于 C r 、Si 熔點高, 原子移動性低, 因此由其所組成的薄膜穩定性高。通過在金屬 C r 中引入半導體材料 Si 來提高電阻器合金膜的阻值。C r 是很好的吸收氣體的金屬元素, 在電阻器薄膜濺射過程中, 可通過通入微量的氧來提高薄膜的電阻率, 同時調節電阻溫度系數。技術指標如下：溫度沖擊實驗后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 過載實驗后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 壽命實驗后ΔR/R ≤±1 .0 %,電阻溫度系數 TCR ≤±20 ×10-6 / ℃。
應用領域：
集成電路、電子元器件
合作方式及條件：具體面議
天津大學
2021-04-11