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一個新的上皮性腫瘤干細胞特異表達的唾液酸化IgG作為上皮性腫瘤細胞共有靶點在腫瘤免疫治療中的應用
項目簡介目前，隨著腫瘤免疫治療的快速發展，惡性腫瘤的治療已經逐漸由傳統外科手術、化療、放療等破壞性治療轉向微創介入及無創性免疫治療時代。腫瘤免疫治療的模式旨在不傷害正常組織細胞，對腫瘤細胞實現精準殺傷，其中包括利用治療性抗體及免疫細胞（如CART及TCRT細胞）靶向腫瘤特異性抗原，實現特異性殺傷，即過繼免疫療法；以及利用腫瘤疫苗激活體內免疫細胞的殺傷效應或阻斷腫瘤患者免疫細胞上特有的免疫抑制信號轉導（如PD-1/PD-L1），以解除腫瘤患者免疫細胞的免疫無能狀態，即主動免疫療法。可見無論是過繼免疫還是主動免疫治療都嚴格依賴特異性的腫瘤靶點分子及特異性免疫調控分子。然而，目前腫瘤免疫治療領域的最大挑戰之一是缺乏新的腫瘤靶點及免疫調控分子。北京大學基礎醫學院免疫學邱曉彥課題組，從30年前的偶然發現開始，追蹤至今，已經證明原本作為重要免疫分子的免疫球蛋白（Immunoglobulin,Ig）在多種惡性腫瘤細胞中大量表達，促進腫瘤的發生及轉移。近期的研究發現上皮譜系來源的腫瘤（90%腫瘤屬于上皮性腫瘤）普遍表達一種異常唾液酸化IgG, 其唾液酸修飾發生在IgG Fab上一個新的N-糖基化位點, 而在正常組織細胞及B細胞來源的IgG很少或沒有這種修飾。重要的是，異常唾液酸化IgG主要表達在上皮來源的腫瘤干/祖細胞上，其表達水平直接涉及腫瘤發生、轉移、腫瘤的化療耐藥及不良預后。用特異性識別該唾液酸相關表位的中和抗體，可明顯抑制腫瘤生長（包括PDX模型）。提示異常唾液酸化IgG是上皮性腫瘤細胞潛在的共同靶點，尤其是其高表達在腫瘤干/祖細胞上，可能是更理想的腫瘤治療靶點。目前，該靶點已經獲得國家知識產權專利保護（201510776518.9），國際專利正在審批中。
北京大學
2021-04-13
天津大學化工學院單四級桿液相色譜質譜聯用儀采購項目競爭性磋商公告
天津大學化工學院單四級桿液相色譜質譜聯用儀采購項目競爭性磋商
天津大學
2022-06-10
低溫恒溫器4K/10K單級雙級GM脈沖管PT無液氦極低溫制冷機
北京錦正茂科技有限公司
2022-05-06
進展 | 清華大學醫學院林欣教授團隊聯合研發的雙靶點STAR-T細胞免疫治療產品完成I期臨床試驗首例患者入組
近日，由清華大學醫學院林欣教授科研團隊與華夏英泰公司聯合研發的雙靶點CD19/CD20 STAR-T候選產品HXYT-001細胞注射液的中國I期臨床試驗在北京大學腫瘤醫院完成了首例受試者知情同意簽署。
清華大學
2022-12-12
利用超高效液相色譜-質譜聯用技術和化學模糊識別研究中藥復雜成分配伍相互作用的方法
【發 明 人】唐于平；段金廒；沈娟；陶偉偉 【摘要】 本發明公開了一種超高效液相色譜-質譜聯用(UPLC-PDA-MS)技術和“化學模糊識別”對中藥復雜成分配伍相互作用進行研究的方法。本發明通過大量實驗對色譜條件與質譜條件、TQ-MS和PDA檢測條件等進行了系統優化，確定了最佳的檢測方法，方法學檢測結果表明該方法具有靈敏度高，精密度和準確度高，重復性好，穩定可靠的優點法，該方法可以克服中藥復雜成分鑒
南京中醫藥大學
2021-04-14
云南大學化學科學與工程學院陳建華副研究員在Nature Materials發表有效免疫應力影響的可拉伸有機電化學晶體管文章
該項研究成果指出了一種能有效免疫復雜應力影響的可拉伸OECT及其傳感器的新方法，通過結合有序蜂窩狀半導體聚合物制備方法與雙向預拉伸技術，成功研制了最高可拉伸至140%的OECT，且其輸出特性在可拉伸范圍內保持了高度穩定。
云南大學
2022-06-09
蘇州大學機電工程學院孫立寧教授團隊研制磁液滴機器人相關成果發表在《Science Advances》期刊
近日，我校機電工程學院孫立寧教授、楊湛教授課題組，哈爾濱工業大學謝暉教授課題組以及德國馬克斯普朗克智能系統研究所的Metin Sitti教授課題組，聯合研制出能自由穿梭在極端變化環境中的尺度可調控磁液滴機器人SMFR。
蘇州大學
2022-10-12
南京大學余林蔚、徐駿教授課題組在柔性襯底上“激光-液滴”自加熱驅動納米線超高速生長集成新突破
在大面積柔性襯底上直接生長集成高品質晶硅納米線溝道是突破高性能柔性電子邏輯、可穿戴傳感和顯示等應用的關鍵技術難點。然而，高品質晶體溝道的獲得往往依賴高溫生長過程（>800 ℃）-- 這恰恰是柔性聚合物襯底（熔點<150 ℃）所無法承受的！為此，南京大學電子科學與工程學院余林蔚教授、徐駿教授課題組基于自主創新的平面固-液-固（IPSLS）納米線生長模式（近期工作Refs. 1-4），探索了一種全新的“激光-液滴”自聚焦局域加熱生長策略，突破了傳統環境加熱技術的限制，利用柔性聚合物襯底（聚酰亞胺，PI）和金屬銦催化劑顆粒對特定激光（808 nm）輻照的高選擇性吸收差異，實現僅在液滴/納米線生長界面附近范圍的高效局部加熱，以驅動晶硅納米線在柔性襯底上的超高速度生長：在不需要環境加熱的室溫“冷”環境下，其生長速度可以高達3.5 μm/s，比傳統加熱方式納米線生長速度提高了3個數量級。值得一提的是，即便在此高速生長過程中，IPSLS納米線的生長路徑依然可以被精確引導定位，并成功展示了豐富的線形調控能力。此外，由于納米金屬液滴具有極小的熱熔，通過調控激光照射時序，可以對納米線生長動態過程進行前所未有的精確調控（例如，對生長液滴實現瞬間“激活和冷卻”等操作），從而實現對超長納米線的精準形貌/直徑編碼。基于此技術，成功在柔性PI襯底上生長高品質納米線溝道，并制備了納米線場效應晶體管（FET）器件，其電流開關比和亞閾值擺幅分別為>104和386 mV/dec。此“激光-液滴”選擇性加熱生長策略有望推廣應用于：在各類大面積、低成本柔性襯底上的“冷”環境中，直接定位生長和集成高品質晶硅納米線陣列，為推動各種高性能柔性電子器件的規模化應用提供關鍵的材料支撐和全新的技術路線。
南京大學
2021-02-01