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產品詳細介紹磁光效應系統(tǒng)是研究磁性薄膜、磁性微結構以及樣品磁化強度和樣品各向異性最理想的測量工具。是一種基于磁光效應原理設計的超高靈敏度磁強計.具有測量精度高、測量時間短等優(yōu)點。可以產生平滑、穩(wěn)定的受控磁場，并且磁場平滑過零。可以逐點測量也可以掃描測量，方便易懂的測量軟件以及友好的交互界面為測量提供了有力保障。本套磁光效應系統(tǒng)是廣大科研工作者的有利工具.磁光克爾系統(tǒng)功能和特點：測量靈敏度高，準確度高。非接觸式測量，是一種無損測量。可以測量同一樣品厚度不等的楔形磁性薄膜。可以將樣品放到真空中原位測量。可以測量同一樣品不同部位的磁化情況。

程1：-30mT～30mT，分辨率：0.02mT；量程2：-10mT～10mT，分辨率：0.01mT；撥鈕選擇，系統(tǒng)自動識別量程；可以測量磁體周圍以及通電閉合線圈周圍的磁場大小和方向。

利用磁場外推發(fā)現(xiàn)90%的事件在耀斑發(fā)生前存在磁繩結構，并且磁繩的三維結構比理論模型復雜得多。進一步的研究發(fā)現(xiàn)，當磁繩的torus不穩(wěn)定性參數(shù)（即衰減因子）大于1.3或者kink不穩(wěn)定性參數(shù)（即磁力線纏繞度）大于2時，90%以上的事件是爆發(fā)型耀斑；而且在所有事件中，利用以上兩個參數(shù)可以成功判斷70%耀斑事件的類型。因此，這兩個參數(shù)及其閾值可以為預報耀斑是否爆發(fā)提供重要參考。?  大氣科學學院周振軍副研究員及合作者通過分析2010年7月至2013年2月的16個失敗太陽暗條爆發(fā)的磁場和三維爆發(fā)形態(tài)，給出了控制磁繩爆發(fā)的關鍵參量，除了經(jīng)典的衰減因子以外，暗條頂部的旋轉也是其中的一個重要影響因素。通過構建衰減因子和旋轉角度的相空間分布，他們發(fā)現(xiàn)達到或超過衰減因子之后，所有的爆發(fā)都具有強的旋轉（50°到130°）。這種旋轉可能引發(fā)內部或者外部的磁場重聯(lián)，進而破壞磁繩的結構，并最終導致失敗爆發(fā)。這一成果說明磁場重聯(lián)在決定磁繩是否爆發(fā)中起到了重要作用，突破了原有的單一控制因素決定磁繩爆發(fā)的理論。

本項目將巨霍爾效應這一納米體系的新效應應用于器件領域，以納米鐵磁金屬顆粒薄膜替代現(xiàn)有霍爾器件的摻雜半導體活性層材料，是一個全新的技術，取得了多項具有原始創(chuàng)新性的技術成果，進一步推進了納米材料在新材料技術、電子信息技術等領域的應用。相關成果已獲國家發(fā)明專利授權九項。 納米鐵磁金屬顆粒薄膜霍爾器件具有的工作溫度寬、溫度穩(wěn)定性能優(yōu)異、抗核輻射等優(yōu)點，在微弱磁場探測、航天器的精確定位、導航以及軍事裝備等方面都具有十分重要的用途，市場前景廣闊。

本實用新型公開了一種多通道多參數(shù)雙極性恒流低頻經(jīng)皮刺激儀，主要包括單片機、觸屏顯示模塊、電源管理模塊、升壓模塊、恒流模塊、雙極性控制電路、DA轉換電路；其中恒流模塊包括負反饋調節(jié)電路；觸屏顯示模塊、雙極性控制電路、DA轉換電路分別與單片機連接，電源管理模塊分別與升壓模塊、單片機、觸屏顯示模塊連接，雙極性控制電路與恒流模塊、升壓模塊分別連接。該刺激儀采用多個通道互不干擾獨立工作，包括獨立升壓、獨立產生不同參數(shù)不同波形組合的電刺激；采用雙極性對稱電刺激，避免了單極性電刺激在人體表面產生的極化現(xiàn)象；將產生的受控制的多種單純波和組合波以及兩種不同頻率的疏密方尖波轉換成電刺激，可以較逼真的模擬出針灸、捶擊、按摩、火罐、推拿等不同的刺激效果。

化學與化工學院陸楊研究員課題組與中國科學技術大學俞書宏院士團隊以及華南理工大學楊顯珠教授課題組合作，以具有粘流態(tài)內核的mPEG-b-PHEP膠束作為納米載體，包載磁性納米立方體和具有腫瘤殺傷效果的中成藥有效成分大黃素，實現(xiàn)惡性腫瘤的核磁共振造影成像（MRI）引導的磁熱-化療聯(lián)合治療。該研究提供了一種有效增強磁熱治療效果的方案，相關成果以“Ferrimagnetic mPEG-b-PHEP copolymer micelles loaded with iron oxide nanocubes and emodin for enhanced magnetic hyperthermia-chemotherapy”為題發(fā)表在《國家科學評論》（National Science Review 2020, 7, 723-736）期刊上，論文的共同第一作者是化學與化工學院博士生宋永紅和華南理工大學博士生李冬冬。磁熱療是指通過將磁性介質遞送到目標病灶區(qū)域，在交變磁場中磁性介質產生的局部高熱可以迅速殺死腫瘤細胞。由于磁熱療具備非侵入性以及無治療穿透深度限制等優(yōu)勢，已經(jīng)在深層腫瘤的臨床治療展現(xiàn)出潛力。但是臨床中使用的磁性材料熱轉換效率低，為達到足夠的腫瘤殺傷效果需要高劑量的磁性介質。此外，基于磁性納米材料的磁致發(fā)熱的加熱速度一般較慢，限制了基于磁熱響應的藥物釋放。針對上述難題，該科研團隊制備的鐵磁性納米膠束的飽和磁化強度是目前商業(yè)化造影劑的2倍。在交變磁場的作用下，該鐵磁性納米膠束能夠產生高熱，其熱轉化效率遠高于臨床上使用的磁性納米材料。同時，在磁熱刺激下，化療藥物大黃素可以從膠束的粘流態(tài)PHEP內核迅速釋放，其釋放速度顯著優(yōu)于傳統(tǒng)的聚乳酸為內核的膠束(非粘流態(tài))。因此，在外磁場的引導下，該磁性納米載體能夠高效地靶向到腫瘤部位，促進腫瘤細胞的攝取；進而在交變磁場的刺激下，該磁性納米膠束能夠通過磁熱與化療協(xié)同，在極低的劑量即可顯著殺傷腫瘤細胞。鐵磁性載藥膠束的制備及其磁熱療與化療協(xié)同的示意圖該研究工作得到了國家自然科學基金、國家重點基礎研究發(fā)展計劃、廣東省生物醫(yī)學工程重點實驗室開放基金、中央高校基本科研業(yè)務費專項資金、安徽省自然科學基金、合肥大科學中心卓越用戶基金等項目的資助。論文鏈接：https://academic.oup.com/nsr/article/7/4/723/5708950

本發(fā)明涉及磁遺傳學領域。具體而言，本發(fā)明涉及響應于外部磁刺激的磁感應受體(magnetoreceptor)，和調節(jié)神經(jīng)元活動、擾動生物過程和治療疾病的非侵入性方法。本發(fā)明提供了調節(jié)細胞活性的非侵入性方法，其包括將MAR基因遞送至所述細胞中的步驟并向所述細胞施加磁刺激的步驟。本發(fā)明還提供了磁遺傳學用于治療疾病的醫(yī)療用途。

本發(fā)明公開了一種曲面自適應磁吸附裝置。其電機的外殼與支架固定連接；電機的輸出軸與第一磁輪和第二磁輪固定連接，使得電機能夠同時驅動第一磁輪和第二磁輪同軸轉動；第一磁塊、第二磁塊和第三磁塊與支架固定連接，第一磁輪和第二磁輪位于第一磁塊和第二磁塊之間，第三磁塊位于第一磁輪和第二磁輪之間；所述曲面自適應磁吸附裝置在使用時，第一磁輪和第二磁輪的輪面與壁面直接接觸，而第一磁塊、第二磁塊和第三磁塊與壁面間存在間隙。本發(fā)明所述吸附裝置在不同曲率壁面運動時，第一磁輪、第二磁輪、第一磁塊、第二磁塊和第三磁塊與壁面之間的吸附力的變化量互補，總吸附力能保持在一個較小的范圍內變化，具有良好的曲面自適應能力。

在信息產業(yè)飛速發(fā)展的今天，為了滿足人們對于手機、計算機、便攜式數(shù)碼設備等電子產品進一步輕便、小巧等的使用需求，必須使其核心的電磁元器件向微型化、薄膜化、集成化等方向發(fā)展。隨著電路中的射頻磁器件的體積不斷縮小，使用頻率不斷提高，傳統(tǒng)的鐵氧體材料由于其飽和磁化強度低，使其在GHz使用頻率下無法保持高的磁導率，這就迫切需要開發(fā)一種能夠應用于GHz頻率范圍的高頻軟磁薄膜材料。目前國內外的科研人員采用不同方法研究并制備了多種軟磁薄膜材料，如CoPdAlO（Sharp公司）、CoZrTa（Intel公司）、Co

電抗器在電力系統(tǒng)中有廣泛的應用。串聯(lián)電抗器可限制短路電流；并聯(lián)電 抗器可限制過電壓；電抗器與電容聯(lián)合可構成濾波電路。在一部分應用領域， 電抗器的電抗值固定不變；在許多應用領域，需要電抗值能隨著電力系統(tǒng)運行 方式的變化而改變。磁控電抗器(magnetically controllable reactor，MCR)是一種 電抗值可以連續(xù)調節(jié)的電抗器。磁控電抗器通過連續(xù)調節(jié)閉環(huán)鐵芯上直流線圈 中直流電流的大小，連續(xù)調節(jié)閉環(huán)鐵芯的飽和程度，實現(xiàn)連續(xù)調節(jié)閉環(huán)鐵芯上 交流線圈（電抗線圈）電抗值的大小。磁控電抗器應用于電力系統(tǒng)無功潮流連 續(xù)調節(jié)與控制，工頻過電壓抑制，消弧線圈電抗值連續(xù)自動調節(jié)等領域。現(xiàn)有 的自勵式磁控電抗器只能用于 110kV 以下電力系統(tǒng)，110kV 及其以上電力系統(tǒng) 的磁控電抗器都是它勵式磁控電抗器。它勵式磁控電抗器的運行管理不方便。 且現(xiàn)有自勵式磁控電抗器存在以下缺點：（1）自勵式磁控電抗器需要四個 線圈，其中兩個線圈還有抽頭；制造工藝復雜。（2）輸出電流波形不穩(wěn)定，在 平均值周圍隨機變化；即存在有界不確定現(xiàn)象。（3）晶閘管連接在交流線圈中 部，晶閘管對地電壓等于磁控電抗器額定電壓的一半，耐壓要求高；制造成本 高。（4）現(xiàn)有磁控電抗器只能在最小電抗值與最大電抗值這兩個特定電抗值跳 躍調節(jié)時，暫態(tài)響應時間比較小。其他任意不同兩點電抗值的調節(jié)暫態(tài)響應時 間很長。