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本發明公開了一種非易失性三維半導體存儲器的柵電極及其制 備方法；柵電極包括 n 個依次成階梯狀排列的柵電極單元，每個柵電 極單元為柱狀結構，由連通電極和包圍在連通電極周圍的絕緣側壁構 成；所述連通電極的上表面用于連接柵層，下表面用于連接字線。本 發明適用于在字線等前道工藝完成后制備連接柵層的電極結構。此電 極結構呈階梯狀連接不同堆疊層且相對應的柵層，對疊層中非相對應 的柵層與柵電極之間通過絕緣層隔離

本發明公開了一種非易失性高密度三維半導體存儲器件及其制 備方法，包括由多個垂直方向的三維 NAND 存儲串構成的存儲串陣列； 每個三維 NAND 存儲串包括半導體區域以及圍繞半導體區域的四層包 裹結構；半導體區域包括溝道以及分別與溝道兩端連接的源極和漏極； 源極與漏極串聯連接；溝道為方柱形結構；四層包裹結構從里到外依 次為隧穿電介質層、電荷存儲層、阻隔電介質層以及控制柵電極；阻 隔電介質層在不同的方向具有不同的厚度，

1.項目簡介：目前，我省的非煤礦山受國家整體生產力水平落后的制約，存在著設備落后、人員素質差、安全投入少等狀況，加上其中非國有的中小型礦山占95%以上，非煤礦山企業整體安全生產形勢令人堪憂。 國家安全生產監督管理局規定，非煤礦山企業必須做安全評價。通過對非煤礦山企業做安全現狀評價，可解決企業在管理、設備、生產工藝方面的安全問題，對提高企業安全管理水平大有幫助。 我院于2004年12月依托湖北華邦安全科技有限公司成立了非煤礦山安全評價部，對省內非國有的非煤礦山企業做安全評價。

成果簡介： 在2016年8月份國務院最新發布的《“十三五”國家科技創新規劃》中，重點提及發展先進結構材料技術，重點是高溫合金、高品質特殊鋼、先進輕合金、特種工程塑料、高性能纖維及復合材料、特種玻璃與陶瓷等技術及應用。技術團隊能提供非晶軟磁材料相關制品的全套技術方案，具體包括非晶合金、非晶帶材、納米晶超薄帶、非晶磁芯、非晶器件等，可以滿足市場的多方

定單信息 TES-5600CE 發卡器 TES-5600CE …………………………………………………………………………………………………………… 發卡器 ? TES-5600K 非接觸式IC卡 TES-5600K …………………………………………… 非接觸式IC卡（支持ISO1443A協議，白卡100張，86×54 mm）

1. 高壓IGBT器件封裝絕緣測試系統 針對高壓IGBT器件內部承受的正極性重復方波電壓以及高溫工況，研制了針對高壓IGBT器件、芯片及封裝絕緣材料絕緣特性的測試系統（如圖1所示），可實現電壓波形參數、溫度和氣壓的靈活調控，用于研究電壓類型（交、直流、重復方波電壓）、波形參數、氣體種類、氣體壓力等因素對絕緣特性，具備放電脈沖電流測量、局部放電測量、放電光信號測量、漏電流測量及紫外光子測量等功能（如圖2所示），平臺相關參數：頻率：DC~20kHz，電壓：0~20kV，上升沿/下降沿：150ns可調，占空比：1%~99%，溫度：25℃~150℃，氣壓：真空~3個大氣壓。  2.壓接型IGBT器件并聯均流實驗系統 針對高壓大功率壓接型IGBT器件內部的芯片間電流均衡問題，研制了針對壓接型IGBT器件的多芯片并聯均流實驗系統（如圖3所示），平臺具有靈活調節IGBT芯片布局，柵極布線，溫度和壓力分布的能力，可開展芯片參數、寄生參數以及壓力和溫度等多物理量對壓接型IGBT器件在開通/關斷過程芯片-封裝支路瞬態電流分布影響規律的研究，以及瞬態電流不均衡調控方法的研究；平臺相關參數：電壓：0~6.5kV，電流：0~3kA，溫度：25℃~150℃，壓力：0~50kN。   圖3 壓接型IGBT多芯片并聯均流實驗 3.高壓大功率IGBT器件可靠性實驗系統 隨著高壓大功率 IGBT 器件容量的進一步提升，對其可靠性考核裝備在測量精度、測試效率等方面提出了挑戰。針對柔性直流輸電用高壓大功率 IGBT 器件的測試需求，自主研制了 90 kW /3 000 A 功率循環測試裝備和100V/200°C高溫柵偏測試裝備（如圖4所示）。功率循環測試裝備可針對柔性直流輸電中壓接型和焊接式兩種不同封裝形式的IGBT開展功率循環測試，最多可實現12個IGBT器件的同時測試。電流等級、波形參數、壓力均獨立可調，功率循環周期為秒級，極限測試能力可達 300 ms，最高壓力達220 kN，虛擬結溫測量精度達±1°C，導通壓降測量精度達±2mV。高溫柵偏測試裝備可實現漏電流和閾值電壓的實時在線監測，最多可實現32個IGBT器件的同時測試。 4. 壓接器件內部并聯多芯片電流及結溫測量方法及實現 高壓大功率壓接型IGBT器件內部芯片瞬態電流及結溫測量是器件多物理量均衡調控及狀態監測的基本手段，針對器件內部密閉封裝以及密集分布鄰近支路引起的干擾問題，提出了PCB羅氏線圈互電感的等效計算方法，實現了任意形狀PCB羅氏線圈繞線結構設計，設計了針對器件電流測量的方形PCB羅氏線圈（如圖5所示），實現臨近芯片電流造成的測量誤差小于1%；針對器件內部多芯片并聯芯片結溫測量，提出了壓接型IGBT器件結溫分布測量的時序溫敏電參數法，通過各芯片柵極的時序單獨控制（如圖6所示），在各周期分別進行單顆IGBT芯片結溫的測量，進而等效獲得一個周期內各IGBT芯片的結溫分布。在此基礎上，完成了集成于高壓大功率器件內部的多芯片并聯電流測試PCB羅氏線圈以及時序溫敏電參數測量驅動板的設計（如圖7所示）。 5. 自主研制高壓大功率電力電子器件 面向電力系統用高壓大功率電力電子器件自主研制的需求，開展了芯片建模與篩選、芯片并聯電流均衡調控、封裝絕緣特性及電場建模以及器件多物理場調控等方面工作，相關成果支撐了國家電網公司全球能源互聯網研究院有限公司3.3kV/1500A、3.3kV/3000A以及4.5kV/3000A硅基IGBT器件的自主研制，并通過柔直換流閥用器件的應用驗證實驗，同時也支撐了世界首個18kV 壓接型SiC IGBT器件的自主研制。

本發明提供了一種基于神經網絡的超密集異構網絡負載均衡優化方法，將ART2型神經網絡和基于代價的分布式方法相結合的低復雜度超密集異構網絡下行用戶連接方法，聯合調整所有小站的代價偏置值，解決超密集異構網中的負載均衡問題。本發明采用ART2型神經網絡的分類設置初始值，可以大大降低迭代次數和計算復雜度，能提高基站邊緣和中間的用戶的吞吐量率，自動的均衡跨層和同層之間基站的負載，進一步顯著降低負載均衡迭代方法的迭代次數，更加適應快速復雜多變的實際情況。

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  距離的高精度實時測量在現代工業的各個領域中的應用越來越廣,工件的表面輪廓目標物體的相對位置、形狀描述等都離不開距離的高精度測量,非接觸、小型化、數字化、智能化成為距離測量系統發展的趨勢。隨著數字信號處理器(DSP)功能越來越強,光電耦合器CCD的日益普及,使符合實際工業生產要求的非接觸高精度在線距離測量系統的研制成為可能。    技術原理與工藝流程:    光學三角法檢測技術。光學三角法的測量原理就是使發光元件所發出的光束照射在被測物體表面上并被反射,部分反射光成像在位置敏感元件表面上(如CCD,PSD等),通過檢測光斑在敏感表面上的位置,由幾何關系即可計算出被測物體的距離。這類位移測量儀的基本組成是激光器、物鏡、光電接收器、信號處理及測量顯示系統。    圖像中心位置的識別算法。這是非接觸測量技術中的關鍵技術,當激光照射在被測物體表面散射,經透鏡會聚在cCD表面成像,所成像的模擬信號經過模擬數字轉換器(AD)被轉換為數字信號處理器可以處理的數字信號后,要經過圖像中心位置識別算法的處理確定所成像的中心點位置,根據激光三角法原理,由所成像的中心點位置就可以求出相應的被測量物體的距離信息。    為了保證系統可靠性和提高測量精度,用查表與細分相結合的方法根據線性CCD上像點的位置確定目標物體的距離。    主要技術性能指標：    測量范圍:50mm；    測量儀與被測物體距離:80mm；    測量精度:在全部測量范圍內,不小于01mm；    分辨率:25微米；    測量頻率:1KH    技術水平及用途：    在工業生產中有很多生產指標和工藝參數要實現測量和控制,非接觸距離測量可以為生產的調度指揮和工藝參數的監測提供準確、可靠、快捷的信息,是一種應用范圍很廣和非常有潛力的測量技術。    應用行業:1.教育2制造業

主要功能：1. 無感體征監測通過UWB雷達及多光譜相機即可實現較為準確的體溫心率呼吸血壓等參數，患者無需任何穿戴傳感器。多終端數據集成顯示，提高患者就診體驗。2. 輔助手環條件允許的情況下還可佩戴手環輔助其他模塊測量體征，內置定位芯片，第一時間掌握病人位置，可通過手環與AI語音助理進行交互。3. 意外預判多光譜相機和其他部件通過綜合參數檢測到用戶姿態異常、體征異常時，預警可能出現的意外與急癥4. 智能輔助診斷全病癥知識圖譜科學輔助診斷、指導用藥