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光具座
產品詳細介紹光具座
蕪湖縣易太教育設備有限公司
2021-08-23
光具座
產品詳細介紹
寧波賽特爾教學儀器有限公司(余姚市丈亭教學設備廠)
2021-08-23
華為光傳送
超大帶寬
高性能100G/200G/400G，單纖容量20T+；光電共平臺，大小卡靈活配置，1T/2T平滑演進
極簡運維
網絡多層次全方位實時監控及智能診斷，覆蓋業務，光波道，光纖故障距離達160km
智能運營
業務自助快速發放、帶寬/時延隨需，提升TTM60%
華為技術有限公司
2022-09-19
植物化學物在防治過敏性鼻炎及過敏性哮喘中的應用
項目所涉研究公開了大量植物化學物，如姜黃素及其代謝產物四氫姜黃素、花色苷及其代謝產物原兒茶酸、鞣花酸及其代謝產物尿石素A以及甜菜苷等于防治過敏性氣道疾病方面的良好改善效應。其中尿石素A與四氫姜黃素相關研究現已獲國家專利授權(專利號:ZL202210101559.8，ZL201810569066.0)。上述植物化學成分經研究均可緩解過敏性氣道疾病小鼠氣道病變程度，顯著改善氣道炎癥反應，并調節氧化應激及 Th細胞比例失衡狀態，表現出良好的防治過敏性氣道疾病效應，未來可應用于開發相關藥物或營養補充劑。
中山大學
2025-05-08
非煤礦山安全評價
1.項目簡介：目前，我省的非煤礦山受國家整體生產力水平落后的制約，存在著設備落后、人員素質差、安全投入少等狀況，加上其中非國有的中小型礦山占95%以上，非煤礦山企業整體安全生產形勢令人堪憂。 國家安全生產監督管理局規定，非煤礦山企業必須做安全評價。通過對非煤礦山企業做安全現狀評價，可解決企業在管理、設備、生產工藝方面的安全問題，對提高企業安全管理水平大有幫助。 我院于2004年12月依托湖北華邦安全科技有限公司成立了非煤礦山安全評價部，對省內非國有的非煤礦山企業做安全評價。
武漢工程大學
2021-04-11
非接觸式IC卡
定單信息
TES-5600CE 發卡器
TES-5600CE …………………………………………………………………………………………………………… 發卡器
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TES-5600K 非接觸式IC卡
TES-5600K …………………………………………… 非接觸式IC卡（支持ISO1443A協議，白卡100張，86×54 mm）
深圳市臺電實業有限公司
2021-08-23
一種柔性超疏水超疏油結構制備方法
本發明公開了一種柔性超疏水超疏油結構制備方法，該制備方 法包括如下步驟：(1)制作柔性超疏水超疏油結構底層：在基底上旋涂 一層負性光刻膠，不用掩膜進行曝光；(2)在步驟(1)曝光后的負性光刻 膠上旋涂一層負性光刻膠，利用陣列圖形掩膜進行曝光；(3)結構層光 刻膠第二次曝光：采用跟步驟(2)對應的掩模進行套刻曝光；(4)顯影： 將上述步驟中曝光后的結構進行顯影；(5)鍍保護層膜：在步驟(4)中得 到的結構表面形成一層保護膜；(6)剝離：將經過步驟(5)處理后得到的 結構從基底上剝離，得到所述柔性超疏水超疏油結構。按照本發明的 制備方法，工藝簡單，成本低廉，對該柔性超疏水超疏油結構的普及 應用具有極大的促進作用。
華中科技大學
2021-04-11
一種柔性超疏水超疏油結構制備方法
本發明公開了一種柔性超疏水超疏油結構制備方法，該制備方法包括如下步驟：(1)制作柔性超疏水超疏油結構底層：在基底上旋涂一層負性光刻膠，不用掩膜進行曝光；(2)在步驟(1)曝光后的負性光刻膠上旋涂一層負性光刻膠，利用陣列圖形掩膜進行曝光；(3)結構層光刻膠第二次曝光：采用跟步驟(2)對應的掩模進行套刻曝光；(4)顯影：將上述步驟中曝光后的結構進行顯影；(5)鍍保護層膜：在步驟(4)中得到的結構表面形成一層保護膜；(6)剝離：將經過步驟(5)處理后得到的結構從基底上剝離，得到所述柔性超疏水超疏油結構。按
華中科技大學
2021-04-14
一種非易失性三維半導體存儲器的柵電極及其制備方法
本發明公開了一種非易失性三維半導體存儲器的柵電極及其制 備方法；柵電極包括 n 個依次成階梯狀排列的柵電極單元，每個柵電 極單元為柱狀結構，由連通電極和包圍在連通電極周圍的絕緣側壁構 成；所述連通電極的上表面用于連接柵層，下表面用于連接字線。本 發明適用于在字線等前道工藝完成后制備連接柵層的電極結構。此電 極結構呈階梯狀連接不同堆疊層且相對應的柵層，對疊層中非相對應 的柵層與柵電極之間通過絕緣層隔離
華中科技大學
2021-04-14
一種非易失性高密度三維半導體存儲器件及其制備方法
本發明公開了一種非易失性高密度三維半導體存儲器件及其制 備方法，包括由多個垂直方向的三維 NAND 存儲串構成的存儲串陣列； 每個三維 NAND 存儲串包括半導體區域以及圍繞半導體區域的四層包 裹結構；半導體區域包括溝道以及分別與溝道兩端連接的源極和漏極； 源極與漏極串聯連接；溝道為方柱形結構；四層包裹結構從里到外依 次為隧穿電介質層、電荷存儲層、阻隔電介質層以及控制柵電極；阻 隔電介質層在不同的方向具有不同的厚度，
華中科技大學
2021-04-14