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本發(fā)明提供的具有高單縱模成品率的脊波導(dǎo)分布反饋(DFB)半 導(dǎo)體激光器，是由自下而上依次排列的 N 型電極(1)、襯底(2)、下包層 (3)、下分別限制層(4)、應(yīng)變多量子阱有源層(5)、上分別限制層(6)、緩 沖層(7)、光柵層(8)、上包層(9)、第一脊條(10)、第二脊條(11)、第一 脊條上的 P 型電極(12)、第二脊條上的 P 型電極(13)組成。本發(fā)明通過(guò) 在單個(gè)半導(dǎo)體激光器管芯上制作端面反射率相位相差π/2 的兩個(gè)

您也可以在淘寶網(wǎng)首頁(yè)搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業(yè)店鋪，聯(lián)系更加方便快速！ 錦正茂低溫控溫儀TESK301型低溫控溫儀是有北京錦正茂科技有限責(zé)任公司自主研發(fā)的高精度單回路低溫溫度控制系統(tǒng)，可以實(shí)現(xiàn)從20K-600K的溫度控制輸出。該溫控系統(tǒng)具有一路傳感器輸入和一路加熱輸出功能，傳感器輸入和加熱輸出組成了一個(gè)控制回路。TESK301單通道設(shè)計(jì)能滿足大部分實(shí)驗(yàn)室科研以及工業(yè)低溫控溫使用。配合適當(dāng)?shù)膫鞲衅鞯蜏囟葴y(cè)量低至1.4K，高溫達(dá)到600K以上，分辨率高達(dá)10mK。加熱輸出功率分為三檔可調(diào)節(jié)，低檔低至0.8W，可達(dá)80W，能滿足大部分低溫設(shè)備加熱需求。 您也可以在淘寶網(wǎng)首頁(yè)搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業(yè)店鋪，聯(lián)系更加方便快速！  TESK301內(nèi)置了一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)恒流電源向電阻溫度計(jì)供電,通過(guò)四線法測(cè)量溫度傳感器電壓信號(hào)，經(jīng)16位A/D轉(zhuǎn)換，自校準(zhǔn)，數(shù)字濾波，查分度表，修正計(jì)算后顯示實(shí)測(cè)溫度，經(jīng)與設(shè)定溫度比較后，實(shí)時(shí)PID運(yùn)算給出控制信號(hào)，通過(guò)機(jī)內(nèi)固態(tài)繼電器周期控制加熱電壓來(lái)實(shí)現(xiàn)溫度的控制。 您也可以在淘寶網(wǎng)首頁(yè)搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業(yè)店鋪，聯(lián)系更加方便快速！ 錦正科技以現(xiàn)代高科技產(chǎn)業(yè)和傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)為核心業(yè)務(wù)，對(duì)內(nèi)承接科研生產(chǎn)任務(wù)，對(duì)外以商務(wù)平臺(tái)方式實(shí)現(xiàn)軍民兩用技術(shù)成果轉(zhuǎn)換，形成了科學(xué)管理的現(xiàn)代化經(jīng)營(yíng)模式，專門從事物理、化學(xué)和材料等領(lǐng)域的科學(xué)儀器研發(fā)、銷售  各類型超低溫測(cè)試設(shè)備（液氮 液氦）制冷機(jī)系統(tǒng)集成 ，定制 ，高低溫真空磁場(chǎng)發(fā)生系統(tǒng)，Helmholtz線圈（全套解決方案），電磁鐵（全系列支持定制），螺線管，電子槍（高穩(wěn)定性雙極性磁鐵恒流電源1ppm），高低溫磁場(chǎng)真空探針臺(tái)，霍爾測(cè)試系統(tǒng)，電輸運(yùn)測(cè)量解決方案，磁光克爾效應(yīng)測(cè)量系統(tǒng)等產(chǎn)品種類齊全，性能可靠，至今已有近10余年的歷史，是國(guó)內(nèi)（較早）生產(chǎn)探針臺(tái)，電輸運(yùn)，電磁鐵的廠家之一。 您也可以在淘寶網(wǎng)首頁(yè)搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業(yè)店鋪，聯(lián)系更加方便快速！  

本發(fā)明公開了一種兼具 pH 值和離子強(qiáng)度響應(yīng)的光子晶體水凝膠 薄膜、其制備方法及應(yīng)用。所述光子晶體水凝膠薄膜包括 Fe3O4 納米 粒子和聚丙烯酰胺-甲基丙烯酸水凝膠；所述 Fe3O4 納米粒子均勻分散 于水凝膠中，呈一維鏈狀排列，納米粒子在薄膜中的濃度為 1～ 50mg/mL。所述的光子晶體水凝膠薄膜的制備方法，包括將 Fe3O4 納 米粒子和水凝膠單體均勻混合，通過(guò)紫外光使其發(fā)生固化反應(yīng)，最后 浸于可溶性碳酸鹽水

提供一種高分辨率光學(xué)推掃衛(wèi)星穩(wěn)態(tài)重成像傳感器校正方法及系統(tǒng)，包括構(gòu)建單片TDICCD非穩(wěn)態(tài)嚴(yán)密幾何模型和虛擬CCD穩(wěn)態(tài)成像嚴(yán)密幾何模型，根據(jù)虛擬CCD穩(wěn)態(tài)成像嚴(yán)密幾何模型得到有理函數(shù)模型，建立單片TDICCD影像與虛擬CCD重成像影像的一一映射關(guān)系，從而根據(jù)原始的單片TDICCD影像生成傳感器校正后影像。本發(fā)明技術(shù)方案結(jié)合虛擬CCD成像原理，利用多片TDICCD非穩(wěn)態(tài)幾何模型與虛擬單線陣CCD穩(wěn)態(tài)幾何模型定位的一致性，實(shí)現(xiàn)多片CCD影像的無(wú)縫拼接的同時(shí)，校正由平臺(tái)震顫引起的影像變形，提供用戶標(biāo)準(zhǔn)景影像和對(duì)應(yīng)高精度RPC參數(shù)，便于后續(xù)圖像應(yīng)用。

核孔復(fù)合物（nuclearporecomplex,NPC）是真核細(xì)胞的核膜上負(fù)責(zé)物質(zhì)雙向運(yùn)輸?shù)奈ㄒ煌ǖ溃瑫r(shí)也是真核細(xì)胞中最龐大、最復(fù)雜的分子機(jī)器之一。其功能異常與包括癌癥在內(nèi)的多種疾病的發(fā)生相關(guān)。

本發(fā)明公開了一種適用于 4.2K-4.5K 溫區(qū)的高分辨率超導(dǎo)溫度計(jì)，包括感應(yīng)線圈、隔離元件、超導(dǎo)體、互感線圈、超導(dǎo)量子干涉儀以及熱阻開關(guān)，其中感應(yīng)線圈為平面無(wú)骨架線圈的形式，并通過(guò)隔離元件與超導(dǎo)體予以分隔處理，互感線圈由初級(jí)線圈和次級(jí)線圈共同組成，并且該初級(jí)線圈用于與感應(yīng)線圈構(gòu)成第一回路,次級(jí)線圈則用于與超導(dǎo)量子干涉儀相連并構(gòu)成第二回路，并且在第一回路和第二回路中各自串聯(lián)有熱阻開關(guān)。通過(guò)本發(fā)明，可根據(jù)回路中電流的變化值反推溫度的變化，其在 4.2K-4.5K 溫區(qū)間的測(cè)量分辨率可達(dá) 0.5μK。&

本發(fā)明涉及用于同時(shí)檢測(cè)Cu2+,Pb2+,Cd2+的陣列式薄膜傳感器及基制備方法,以p型或n型Si片作基底,在基底上依次為SiO2層,對(duì)Cu2+,Pb2+,Cd2+敏感的三種薄膜;該薄膜傳感器是通過(guò)激光脈沖沉積技術(shù)在SiO2表面上制備三種敏感薄膜,采用激光沉積技術(shù)把三個(gè)敏感材料分別制備在SiO2表面上,最后形成三種陣列式薄膜傳感器.它對(duì)溶液中的Cu2+,Pb2+,Cd2+具有選擇性,能檢測(cè)出Cu2+,Pb2+,Cd2+的含量.本發(fā)明可在江河湖泊,生物醫(yī)學(xué)領(lǐng)域(如血液,體液),工業(yè)廢水,中藥,蔬菜,水果,茶葉等領(lǐng)域中對(duì)Cu2+,Pb2+,Cd2+同時(shí)進(jìn)行定性和定量檢測(cè).

本發(fā)明公開了一種用于薄膜太陽(yáng)能電池的碳基光子晶體背反射器，由兩種結(jié)構(gòu)不同的光子晶體疊加構(gòu)成，其結(jié)構(gòu)為[A/B]mAE[C/D]nC，其中A；B；C；D；E的厚度分別為d1=50nm，d2=100nm，d3=70nm，d4=140nm，d5=120nm，m；n為兩種光子晶體的周期數(shù)，m取3，n取4。其制備方法是：RF-PECVD法在普通載玻片上交替沉積a-Si:H和a-C薄膜。本發(fā)明的碳基光子晶體背反射器，具有一維光子晶體全角反射，可實(shí)現(xiàn)600—1300nm光波段平均75%的反射率，增加光波在太陽(yáng)能電池吸收層中的傳播光程，提高光子利用效率，增加光電流密度和光電轉(zhuǎn)換效率。制備工藝簡(jiǎn)單。

中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)合肥微尺度物質(zhì)科學(xué)國(guó)家研究中心的王凌飛、吳文彬教授課題組與西北大學(xué)物理學(xué)院的司良教授合作，在鈣鈦礦結(jié)構(gòu)過(guò)渡金屬氧化物薄膜的磁輸運(yùn)性質(zhì)研究中取得重要進(jìn)展。

本發(fā)明公開了一種 SnS2/SnS 異質(zhì)結(jié)薄膜太陽(yáng)能電池的一次性制 備方法，該方法包括以下步驟：基片預(yù)處理，混合原料備用，真空獲 得與基片加熱，氬氣等離子體清洗腔體和基片，等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣 相沉積法沉積異質(zhì)結(jié)，真空退火冷卻，制備 SnS2/SnS 異質(zhì)結(jié)薄膜太陽(yáng) 能電池，本方法中通過(guò)設(shè)置混合原料的比例，并設(shè)定反應(yīng)源加熱溫度 數(shù)值 T 與反應(yīng)沉積時(shí)間數(shù)值 t 的關(guān)系，就能在一次實(shí)驗(yàn)過(guò)程中先后沉 積出質(zhì)量比較優(yōu)異 SnS2 和 SnS 薄膜，從而直接一次性制備出太陽(yáng)能電 池的核心部件 p-n 結(jié)，大大