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硅基縫隙耦合式Ｔ型結(jié)的直接式毫米波信號(hào)檢測(cè)器
本發(fā)明的硅基縫隙耦合式Ｔ型結(jié)的直接式毫米波信號(hào)檢測(cè)器是由共面波導(dǎo)傳輸線、縫隙耦合結(jié)構(gòu)、移相器、單刀雙擲開(kāi)關(guān)、Ｔ型結(jié)功分器、Ｔ型結(jié)功合器以及直接式熱電式功率傳感器所構(gòu)成，該結(jié)構(gòu)是制作在高阻Ｓｉ襯底上，其上有四個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)，上方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)信號(hào)的頻率測(cè)量，下方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)信號(hào)的相位測(cè)量，在前后縫隙之間有一個(gè)移相器；Ｔ型結(jié)功分器和Ｔ型結(jié)功合器主要是由共面波導(dǎo)傳輸線、扇形缺陷結(jié)構(gòu)和空氣橋組成；直接式熱電式功率傳感器由共面波導(dǎo)傳輸線、熱電偶和隔直電容所構(gòu)成，熱電偶是由金屬臂和半導(dǎo)體臂串聯(lián)
東南大學(xué)
2021-04-14
硅基懸臂梁耦合間接加熱式未知頻率毫米波相位檢測(cè)器
本發(fā)明的硅基懸臂梁耦合間接加熱式未知頻率毫米波相位檢測(cè)器，結(jié)構(gòu)由懸臂梁耦合結(jié)構(gòu)、功率分配／合成器、間接加熱式微波功率傳感器和開(kāi)關(guān)構(gòu)成。懸臂梁耦合結(jié)構(gòu)上下左右對(duì)稱，包括兩組懸臂梁，每組懸臂梁由兩個(gè)對(duì)稱的懸臂梁構(gòu)成，兩個(gè)懸臂梁之間ＣＰＷ傳輸線的電長(zhǎng)度在中心頻率３５ＧＨｚ處為λ／４。為實(shí)現(xiàn)未知頻率毫米波相位的檢測(cè)，首先進(jìn)行頻率檢測(cè)，頻率檢測(cè)通過(guò)利用間接加熱式微波功率傳感器測(cè)量?jī)陕吩谥行念l率３５ＧＨｚ處相位差為９０度的耦合信號(hào)的合成功率實(shí)現(xiàn)；相位檢測(cè)通過(guò)將兩路相位差為９０度的耦合信號(hào)分別同兩路等分后的參考信
東南大學(xué)
2021-04-14
硅基懸臂梁耦合直接加熱式未知頻率毫米波相位檢測(cè)器
本發(fā)明的硅基懸臂梁耦合直接加熱式未知頻率毫米波相位檢測(cè)器，結(jié)構(gòu)主要包括懸臂梁耦合結(jié)構(gòu)、功率分配／合成器、直接加熱式微波功率傳感器和開(kāi)關(guān)。懸臂梁耦合結(jié)構(gòu)包括兩組懸臂梁，每組懸臂梁由兩個(gè)對(duì)稱的懸臂梁構(gòu)成，兩個(gè)懸臂梁之間ＣＰＷ傳輸線的電長(zhǎng)度在所測(cè)信號(hào)頻率范圍內(nèi)的中心頻率３５ＧＨｚ處為λ／４。為實(shí)現(xiàn)未知頻率毫米波相位的檢測(cè)，首先進(jìn)行頻率檢測(cè)。頻率檢測(cè)通過(guò)利用直接加熱式微波功率傳感器測(cè)量?jī)陕吩谒鶞y(cè)信號(hào)頻率范圍內(nèi)的中心頻率３５ＧＨｚ處相位差為９０度的耦合信號(hào)的合成功率實(shí)現(xiàn)；相位檢測(cè)通過(guò)將兩路在中心頻率３５ＧＨｚ
東南大學(xué)
2021-04-14
硅基縫隙耦合式Ｔ型結(jié)的直接式毫米波信號(hào)檢測(cè)儀器
本發(fā)明的硅基縫隙耦合式Ｔ型結(jié)的直接式毫米波信號(hào)檢測(cè)儀器是由傳感器、模數(shù)轉(zhuǎn)換和液晶顯示三大模塊組成，傳感器由共面波導(dǎo)傳輸線、縫隙耦合結(jié)構(gòu)、移相器、單刀雙擲開(kāi)關(guān)、Ｔ型結(jié)功分器、Ｔ型結(jié)功合器以及直接式熱電式功率傳感器所構(gòu)成，該結(jié)構(gòu)是制作在高阻Ｓｉ襯底上，上方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)信號(hào)的頻率測(cè)量，下方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)信號(hào)的相位測(cè)量；Ｔ型結(jié)功分器和Ｔ型結(jié)功合器是由共面波導(dǎo)傳輸線、扇形缺陷結(jié)構(gòu)和空氣橋組成；直接式熱電式功率傳感器由共面波導(dǎo)傳輸線、熱電偶和隔直電容所構(gòu)成。模數(shù)轉(zhuǎn)換部分由ＳＴＭ３２和ＡＤ６２０
東南大學(xué)
2021-04-14
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基于超材料的肖特基型毫米波多譜信號(hào)探測(cè)器和制備方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種基于超材料的肖特基型毫米波多譜信號(hào)探測(cè)器，包括自下而上依次設(shè)置的襯底層、N 型砷化鎵層、二氧化硅層與超材料層、歐姆電極和肖特基電極；其中超材料層為具有周期性微納米結(jié)構(gòu)的金屬開(kāi)環(huán)共振單元陣列，所述金屬開(kāi)環(huán)共振單元陣列包含了多種圖形及其特征尺寸參數(shù)，每個(gè)圖形對(duì)于特定電磁波具有完全吸收特性，通過(guò)改變金屬開(kāi)環(huán)共振單元的結(jié)構(gòu)和尺寸參數(shù)可以調(diào)控對(duì)應(yīng)的電磁波吸收頻段，通過(guò)改變 N 型砷化鎵的耗盡層寬度可以調(diào)控超材料
華中科技大學(xué)
2021-04-14
三角波激勵(lì)磁場(chǎng)下磁性納米粒子粒徑分布測(cè)量系統(tǒng)及方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種三角波激勵(lì)磁場(chǎng)下磁性納米粒子粒徑分布測(cè)量系統(tǒng)及方法，屬于納米測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明在準(zhǔn)確測(cè)量三角波激勵(lì)磁場(chǎng)和磁性納米粒子磁化強(qiáng)度信號(hào)的基礎(chǔ)上，得到磁性納米粒子的磁化曲線。再將磁化曲線在 Matlab 最優(yōu)化工具箱中進(jìn)行擬合，最終得到磁性納米粒子的粒徑分布。磁性納米粒子的磁化曲線可以在實(shí)驗(yàn)裝·747·置上獲取，不需要借助其他外部磁場(chǎng)測(cè)量設(shè)備,測(cè)量成本低。利用全局搜索等優(yōu)化算法可以從磁化曲線中
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種四分之一雙波片相位延遲器
本發(fā)明公開(kāi)了一種四分之一雙波片相位延遲器，可在紫外、可見(jiàn)及近紅外的波段范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)消色差，其特征在于，該雙波片相位延遲器由兩個(gè)同種材料或者不同材料的四分之一零級(jí)波片構(gòu)成，該兩零級(jí)波片沿光軸平行布置，且兩光軸夾角為 45°，其中，所述兩個(gè)四分之一零級(jí)波片的中心波長(zhǎng)在波段范圍內(nèi)，且滿足使得兩零級(jí)波片組成的 雙 波 片 在 該 波 段 范 圍 內(nèi) 各 波 長(zhǎng) 點(diǎn) 對(duì) 應(yīng) 的 相 位 延 遲 量 δ<sub>e</sub>(λ)與理想相位延遲量值π/2 之間差值的最大值取得最小值。與現(xiàn)
華中科技大學(xué)
2021-04-14
基于人工表面等離激元的微波渦旋波發(fā)生器及其實(shí)現(xiàn)方法
本發(fā)明公開(kāi)一種基于人工表面等離激元的微波渦旋波發(fā)生器。該結(jié)構(gòu)工作在微波頻段，由雙層人工表面等離激元波導(dǎo)實(shí)現(xiàn)對(duì)于電磁波的傳輸，上層波導(dǎo)和下層波導(dǎo)之間的連接通過(guò)一個(gè)金屬過(guò)孔實(shí)現(xiàn)。該微波渦旋波發(fā)生器的輻射部分主要由一系列放置在人工表面等離激元波導(dǎo)旁邊的圓形貼片實(shí)現(xiàn)，同時(shí)這些圓形貼片作為諧振器也提供了產(chǎn)生不同的渦旋波所需的相位。這種微波渦旋波發(fā)生器可以在不同頻率處實(shí)現(xiàn)具有不同軌道角動(dòng)量模式的渦旋波，而不需要在結(jié)構(gòu)上做出任何改變。
東南大學(xué)
2021-04-14
一種產(chǎn)生渦旋電磁波的單極子天線陣列及其饋電系統(tǒng)
本發(fā)明公開(kāi)了一種產(chǎn)生渦旋電磁波的單極子天線陣列及其饋電系統(tǒng)，屬于無(wú)線通信技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明包括介質(zhì)基板、接地面、饋電系統(tǒng)和單極子天線陣列。所述介質(zhì)基板是形狀為圓形的絕緣介質(zhì)基板，其表面上方是由金屬材料印刷而成的微帶電路。微帶電路主要分為兩個(gè)部分，一部分是 1 路分 N 路的饋電系統(tǒng)，另一個(gè)部分是由 1/4 波長(zhǎng)金屬貼片作為陣元組成的 N 陣元單極子天線陣列。本發(fā)明實(shí)現(xiàn)了一種體積小、易生產(chǎn)、具有平面結(jié)構(gòu)、易集成的產(chǎn)生渦旋電磁波的天線。同時(shí)還設(shè)計(jì)了一套完整的饋電系統(tǒng)，解決了陣列天線的饋電問(wèn)題，只需在輸入端口施加激勵(lì)即可得到所需的 OAM 模態(tài)，方便操作，使用簡(jiǎn)單。
華中科技大學(xué)
2021-04-11
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具有6.3T矯頑力的鈷-萘環(huán)氮氧自由基分子磁體材料及其制備方法
具有6.3T矯頑力的鈷?萘環(huán)氮氧自由基分子磁體材料及其制備方法，所述分子磁體化學(xué)式為[Co(hfac)2(EtONapNIT)]n，式中n為1到正無(wú)窮的自然數(shù)。其制備方法是將六氟乙酰丙酮鈷的正己烷懸浮液回流超過(guò)兩小時(shí)，降溫并加入EtONapNIT的二氯甲烷溶液反應(yīng)，室溫?fù)]發(fā)幾天后得到目標(biāo)產(chǎn)物。所述分子磁體材料的制備方法簡(jiǎn)單，反應(yīng)條件溫和，產(chǎn)率高，具有很好的空氣穩(wěn)定性。配合物在零場(chǎng)下展現(xiàn)出慢磁馳豫行為，2K時(shí)具有非常大的磁滯回環(huán)，矯頑場(chǎng)接近6.3T。這種具有大的矯頑場(chǎng)的分子磁體材料，可有效減少信息存儲(chǔ)器件在環(huán)境微擾下產(chǎn)生的信息丟失情況，因此在高密度信息存儲(chǔ)領(lǐng)域具有非常高的潛在應(yīng)用價(jià)值。
南開(kāi)大學(xué)
2021-04-10