|
搜索
搜 索
高等教育領(lǐng)域數(shù)字化綜合服務(wù)平臺
麥克風(fēng)話筒手機(jī)專用混音器
產(chǎn)品詳細(xì)介紹電源：使用9V電池產(chǎn)品重量：742g (26.1oz)產(chǎn)品尺寸: 9.5cm * 3.5cm * 29.8cm外包裝尺寸 26.7 * 14.3 * 6.8cm外包裝重量: 782g響應(yīng)頻率：20 bis 20.000 Hz (+/- 0.5 dB)信噪比：82 dB @ 1 Khz, bei -30dBuTHD：低於0.03％@ 1千赫，-36dBu擴(kuò)大範(fàn)圍：max. +15dB接通電源XLR輸入：48V bei max. 14 mA支援手機(jī)的最大/最小寬度：58~90mm支援iOS and Android的智慧型手機(jī)，也可用於有3.5mm插孔的相機(jī)上使用Saramonic SmartMixer 1臺，3.5mm插入式電容麥克風(fēng) 2個，鋁合金手把(海綿握柄) 1隻，鋁合金手機(jī)夾座(可調(diào)大小) 1個，1/4″螺絲轉(zhuǎn)熱靴底座，mini-XLR to standard-XLR cable included連結(jié)線 1條，3.5mm-3.5mm插頭連結(jié)線 2條
德維尼（北京）科技有限公司
2021-08-23
.jpg){kind=logo}
壓印法集成電路光刻技術(shù)
本項(xiàng)目提出一種創(chuàng)新的集成電路(IC)制造工藝路線，即壓印光刻(Imprint Lithography－IL)技術(shù)，并對該技術(shù)相關(guān)的壓印和脫模工藝機(jī)理、紫外光固化阻蝕膠材料的物化和工藝特性、與IC制造其它工藝的綜合集成和優(yōu)化、壓印光刻設(shè)備的關(guān)鍵技術(shù)等進(jìn)行研究和技術(shù)開發(fā)。其基本原理為：以電子束直寫刻蝕(或其它刻蝕技術(shù))生成IC圖型母板(模具)，以母板(模具)步
西安交通大學(xué)
2021-01-12
.jpg){kind=logo}
用于浸沒式光刻的浸液溫控裝置
本發(fā)明公開了一種用于浸沒式光刻的浸液溫控系統(tǒng)，包括：用 于浸液流動的浸液管路，待溫控的浸液通過一管路進(jìn)口進(jìn)入該浸液管 路，溫控處理后的具有穩(wěn)定溫度的浸液通過該浸液管路的出口輸出； 用于對所述浸液進(jìn)行冷卻的工藝?yán)鋮s液回路，工藝?yán)鋮s液在該回路中 循環(huán)流動；以及多個熱交換器，其沿流向依次布置，所述浸液管路和 工藝?yán)鋮s水回路同時流經(jīng)每個熱交換器，并利用各熱交換器分別依次 完成工藝?yán)鋮s液和浸液之間的熱交換，從而通過多次換熱獲得具有穩(wěn) 定溫度的浸液，實(shí)現(xiàn)對浸液的溫度控制。本發(fā)明的裝置系統(tǒng)采用內(nèi)部 回流結(jié)構(gòu)與多級熱交換器相結(jié)合，實(shí)現(xiàn)對浸液溫度的多級控制，可以 實(shí)現(xiàn)浸沒光刻中對浸液穩(wěn)定的精確穩(wěn)定的控制，提供溫控效率。
華中科技大學(xué)
2021-04-11
一種光刻掩模優(yōu)化設(shè)計方法
本發(fā)明公開了一種光刻掩模優(yōu)化設(shè)計方法，該方法首先依據(jù)表 征掩模的網(wǎng)格格點(diǎn)尺寸大小對掩模進(jìn)行分級，在粗網(wǎng)格上快速求解掩 模，然后對在粗網(wǎng)格上求解得到的掩模進(jìn)行插值傳播到下一級較細(xì)網(wǎng) 格上進(jìn)行細(xì)化校正，最終實(shí)現(xiàn)了掩模的快速優(yōu)化。
華中科技大學(xué)
2021-04-11
微納米壓印光刻工藝及裝備
微納米結(jié)構(gòu)成形是光電子制造中的核心工藝之一。壓印光刻克服了傳統(tǒng)光學(xué)光刻中光學(xué)衍射效應(yīng)的限制，是一種經(jīng)濟(jì)、高效、高分辨的結(jié)構(gòu)成形方法。 正在探索的壓印工藝方法包括：UV-NIL、模板電誘導(dǎo)自組裝納米成形、電潤濕驅(qū)動納米壓印等。 正在探討壓印光刻的應(yīng)用領(lǐng)域包括：集成電路(IC)、微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)、生物微流控、光波導(dǎo)、光或磁存儲、有機(jī)光電子、平板顯示等器件的制造。
西安交通大學(xué)
2021-04-11
超衍射極限納米光刻機(jī)技術(shù)
研發(fā)階段/n1、在該方向發(fā)表論文10余篇，Nature子刊，Science子刊各一篇。。2、申報和獲得該方向相關(guān)發(fā)明專利8項(xiàng)。其中1項(xiàng)授權(quán)轉(zhuǎn)讓給Facebook，Sony和中國一家企業(yè)。在華中科技大學(xué)申報5項(xiàng)發(fā)明專利，依托武漢舒博光電技術(shù)有限公司申報2項(xiàng)發(fā)明專利。。3、研發(fā)出2代超分辨納米光刻樣機(jī)。。4、配備光學(xué)裝備開發(fā)專門團(tuán)隊(duì)，初步建成光學(xué)精密制造和檢測平臺。
華中科技大學(xué)
2021-01-12
一種光刻掩模優(yōu)化設(shè)計方法
本發(fā)明公開了一種光刻掩模優(yōu)化設(shè)計方法，該方法首先依據(jù)表征掩模的網(wǎng)格格點(diǎn)尺寸大小對掩模進(jìn)行分級，在粗網(wǎng)格上快速求解掩模，然后對在粗網(wǎng)格上求解得到的掩模進(jìn)行插值傳播到下一級較細(xì)網(wǎng)格上進(jìn)行細(xì)化校正，最終實(shí)現(xiàn)了掩模的快速優(yōu)化。
華中科技大學(xué)
2021-04-14
用于浸沒式光刻的浸液溫控裝置
本發(fā)明公開了一種用于浸沒式光刻的浸液溫控系統(tǒng)，包括：用于浸液流動的浸液管路，待溫控的浸液通過一管路進(jìn)口進(jìn)入該浸液管路，溫控處理后的具有穩(wěn)定溫度的浸液通過該浸液管路的出口輸出；用于對所述浸液進(jìn)行冷卻的工藝?yán)鋮s液回路，工藝?yán)鋮s液在該回路中循環(huán)流動；以及多個熱交換器，其沿流向依次布置，所述浸液管路和工藝?yán)鋮s水回路同時流經(jīng)每個熱交換器，并利用各熱交換器分別依次完成工藝?yán)鋮s液和浸液之間的熱交換，從而通過多次換熱獲得具有穩(wěn)定溫度的浸液，實(shí)現(xiàn)對浸液的溫度控制。本發(fā)明的裝置系統(tǒng)采用內(nèi)部回流結(jié)構(gòu)與多級熱交換器相結(jié)合，
華中科技大學(xué)
2021-04-14
光刻膠及液體硅橡膠的開發(fā)
懸賞金額：50萬元
發(fā)榜企業(yè)：惠州市強(qiáng)達(dá)電子工業(yè)有限公司
需求領(lǐng)域：特種功能材料 LED前沿與核心技術(shù) 精細(xì)化工 電子材料、半導(dǎo)體材料高分子、復(fù)合材料
產(chǎn)業(yè)集群：先進(jìn)材料產(chǎn)業(yè)集群
技術(shù)關(guān)鍵詞：光刻樹脂; 光刻膠; 特種硅樹脂; 高性能硅橡膠; 紫外光固化技術(shù)
惠州市強(qiáng)達(dá)電子工業(yè)有限公司
2021-11-02
.jpg){kind=logo}
半導(dǎo)體光刻膠成膜樹脂制備技術(shù)
1.痛點(diǎn)問題
光刻膠作為集成電路制備中不可或缺的一部分，已成為國家的戰(zhàn)略資源之一。半導(dǎo)體光刻膠的核心在于成膜樹脂，受限于研發(fā)難度大、專利壁壘高、資金投入多、準(zhǔn)入門檻高，目前國內(nèi)企業(yè)尚難以突破KrF膠（248nm）或ArF膠（193nm），而EUV膠完全不能自主供給。
2.解決方案
本項(xiàng)技術(shù)采用了國際最前沿的納米氧化物團(tuán)簇材料的工藝路線，可以實(shí)現(xiàn)單2nm小分子的光刻膠成膜樹脂材料，攻克了材料合成和納米材料提純的難題，可滿足目前半導(dǎo)體3nm制程節(jié)點(diǎn)的技術(shù)要求，RLS分辨率、邊緣粗糙度、靈敏度三項(xiàng)關(guān)鍵性能指標(biāo)優(yōu)異，其曝光劑量遠(yuǎn)低于Intel公司提出的20mJ/cm2的成本線。此外，本項(xiàng)技術(shù)具有多種半導(dǎo)體光刻膠兼容性，可以生產(chǎn)248nm和193nm光源的半導(dǎo)體光刻膠成膜樹脂，以及電子束半導(dǎo)體掩膜用光刻膠成膜樹脂，具有廣闊的技術(shù)替代優(yōu)勢和市場應(yīng)用前景。
3.合作需求
本項(xiàng)技術(shù)已設(shè)立衍生企業(yè)，位于江蘇常州的3000m2研發(fā)生產(chǎn)中心正在建設(shè)中。
1）融資需求：本輪天使輪融資6000萬元。
2）資源對接需求：集成電路芯片制造、掩膜板生產(chǎn)企業(yè)，地方政府等。
清華大學(xué)
2022-07-12