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產品詳細介紹

產品特點： 產品優于國家學校教育照明標準 采用全光譜LED燈珠不傷眼，無藍光危害。 無光頻閃危害。 光源平均壽命高達5年 尺? ? ? 寸：595*595*10mm 功? ? ? 率：36W 功率因數：＞0.9 色? ? ? 溫：5000K 顯色指數：＞90

1、全光譜LED護眼燈采用自主研發的全光譜LED芯片，避開藍光448納米的有害藍光波段出光； 2、類太陽光照明，顯指Ra97，物體色彩還原力強； 3、逼真度高，RF1-15值均大于95，光譜為連續性，且增加了紫光、青光、紅光等，色彩更豐富，看書本更清晰，畫面更穩定，無晃眼現象； 4、采用結構防眩，出光均勻，眩光值小于16，有效護眼。? ? 技術參數 產品型號 CL5001-36 額定功率 36W 輸入電壓 200-240Vac 顯色指數（Ra） ≥95 色溫 5000K 功率因數 ≥0.95 總諧波失真（THD） ＜10% 眩光指數（UGR） ≤16 頻閃幅度（IRF） ≤3.2% 紅色指數（R9） ≥90 燈具藍光危害 RG0 燈具重量 1.33KG 燈具尺寸 964×95.5×67mm 應用范圍 學校、寫字樓、商場以及辦公場所照明 全光譜教室實拍圖 ? 了解更多產品詳情，請與我們聯系：021-6176 3333；15821024688

1、全光譜LED護眼燈采用自主研發的全光譜LED芯片，避開藍光488納米的有害藍光波段，無藍光危害，市場上均為有害藍光448納米波段發光； 2、類太陽光照明，顯指Ra97，物體色彩還原力強； 3、逼真度高，RF1-15值均大于95，光譜為連續性，且增加了紫光、青光、紅光等，色彩更豐富，看書本更清晰，畫面更穩定，無晃眼現象； 4、燈具輕薄，采用側發光模式，出光均勻，眩光值小于16，有效護眼。 ? 技術參數 產品型號 CL5002-36 額定功率 36W 輸入電壓 200-240Vac 顯色指數? ≥95 色溫 5000K 功率因數 ?≥0.95 總諧波失真（THD） ＜10% 眩光指數（UGR） ≤16 頻閃幅度（IRF） ＜3.2% 紅色指數（R9） ≥90 燈具藍光危害 RG0 燈具重量 2.65KG 燈具尺寸 1195×295×15mm 應用范圍 學校、寫字樓、商場以及辦公場所照明 全光譜教室實拍圖 了解更多產品詳情，請與我們聯系021-6176?3333；15821024688

【產品信息】 顯色：≥ 80 功率：36W 色溫： 4000K / 5700K 產品尺寸： 598*598*9mm 【產品優勢】 光線均勻，柔和不傷眼 專業護眼，綠色環保，節能省電

【產品信息】 顯色： ≥80 功率：36W 色溫： 4000K 產品尺寸： 1200*60*60mm 【產品優勢】 一體化散熱設計，延長使用壽命 光線均勻，柔和不傷眼 專業護眼，綠色環保，節能省電

微晶超薄防眩嵌裝教室燈 項目 星奧全護眼LED教室燈 國家標準GB7793-2010 功率36w 參數 中小學學校教室采光和照明衛生標準 教室照度（E） 417LX 優于國標 ≥300LX 教室照度均勻度（Uo） 0.8 專業照明設計 ≥0.7 黑白照度（E） 639.3LX 優于國標 ≥500LX 黑板照度均勻度（Uo） 0.81 專業照明設計 ≥0.8 眩光（UGR） 15.9 無眩光危害 ＜19 光頻閃（波動深度） ≤3.2% 無光頻閃危害 —— 顯色指數 ≥90 色彩還原能力強 ≥80 色溫（Tc） 4500K/5500k(可定制） 光線柔和 3300K-5500K 使用壽命 質保三年 壽命長 —— 總功率（P） 450W 消耗功率低 —— 年耗電量（Q） 720度 耗電量低 ——

        技術成熟度：技術突破         目前的潮流能發電機組以直驅液壓變槳及帶變速箱的液壓變槳為主，其發電機和變速箱均采取機械動密封方式進行密封防水處理，海洋環境下，機械動密封的可靠性和運行效率往往沖突，密封層級多運行阻力大，效率低，密封層級少，密封可靠性差，機組的運行可靠性大大降低。光伏、波浪、海流一體化集成發電，波浪能與海流能水輪機對轉并通過磁力耦合驅動發電機增速，具有多能互補、高效獲能、轉換效率高、結構簡單、運行可靠等特點，為規模化海洋能開發提供創新型設計。         意向開展成果轉化的前提條件：中試放大及產業化工藝開發資金支持

本成果包括系列基于硅基或SOI基材料的高壓集成技術，可用于700V AC-DC電源管理IC、600V/1200V高壓柵驅動IC、不同電壓需求的高壓開關IC、D類功率放大器、電機驅動IC等的研制，滿足照明、工業控制、汽車電子、電機驅動、消費電子等領域的需求。具體包括： 硅基：（1）超低比導通電阻700V單晶型BCD工藝；（2）600V外延型BCD工藝；（3）1200V外延型BCD工藝；（4）48V高功率BCD工藝；（5）40V高壓雙極型工藝。 SOI基：（1）600V 厚層SOI BCD工藝；（2）650V薄層SOI高壓CDMOS工藝；（3）300V薄層SOI高壓CDMOS工藝；（4）200V薄層SOI高壓CDMOS工藝；（5）100V薄層SOI高壓CDMOS工藝；（6）40V薄層SOI高壓CDMOS工藝；（7）-200V SOI高壓CDMOS工藝；（8）-100V SOI高壓CDMOS工藝。