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中國海洋大學(xué)集成電路多功能實(shí)驗(yàn)基礎(chǔ)平臺、電子學(xué)院教學(xué)終端等設(shè)備采購項(xiàng)目招標(biāo)項(xiàng)目的潛在投標(biāo)人應(yīng)在青島市市北區(qū)敦化路138號甲西王大廈24樓23A01室或者郵件報(bào)名獲取招標(biāo)文件，并于2022年06月23日14點(diǎn)00分（北京時(shí)間）前遞交投標(biāo)文件。

近日，我校楊莉研究員團(tuán)隊(duì)受邀在質(zhì)譜研究領(lǐng)域國際著名期刊Mass Spectrometry Reviews發(fā)表綜述文章，題為Advances in mass spectrometry imaging for toxicological analysis and safety evaluation of pharmaceuticals。文章系統(tǒng)總結(jié)了基于“空間辨析、原位表征”理念的質(zhì)譜成像分析技術(shù)在藥物安全性評價(jià)中的應(yīng)用進(jìn)展。

南京大學(xué)現(xiàn)代工學(xué)院徐飛教授、郝玉峰教授、陳燁副研究員、陸延青教授團(tuán)隊(duì)和物理學(xué)院詹鵬教授，聯(lián)合中國科技大學(xué)石孟竹博士、陳仙輝院士團(tuán)隊(duì)、廈門大學(xué)陳錦輝副教授和日本國家材料科學(xué)研究所Kenji Watanabe博士和Takashi Taniguchi博士團(tuán)隊(duì)，將三個(gè)由二維材料組成的透明光電功能單元串行集成，成功地在人頭發(fā)絲般粗細(xì)的光纖的端面制作出了一個(gè)大小約為人類頭發(fā)橫截面的 1/100，厚度為100 nm級的光偏振傳感器，能夠?qū)崿F(xiàn)快速、準(zhǔn)確、高效地檢測光的多種偏振態(tài)。

華中師范大學(xué)化學(xué)發(fā)光成像系統(tǒng)、數(shù)碼顯微鏡、研究級倒置熒光顯微鏡等設(shè)備項(xiàng)目競爭性磋商

此項(xiàng)工作進(jìn)一步展示了GCaMP-X優(yōu)于GCaMP的神經(jīng)元相容性，實(shí)現(xiàn)了離體培養(yǎng)神經(jīng)元（共聚焦）和活體小鼠大腦皮層（雙光子）的長時(shí)程GCaMP-X成像，定量揭示了自發(fā)鈣振蕩與神經(jīng)元形態(tài)發(fā)育的緊密關(guān)聯(lián)，為神經(jīng)科學(xué)及相關(guān)領(lǐng)域的長期鈣成像提供了簡便而有效的新方案。

在大面積柔性襯底上直接生長集成高品質(zhì)晶硅納米線溝道是突破高性能柔性電子邏輯、可穿戴傳感和顯示等應(yīng)用的關(guān)鍵技術(shù)難點(diǎn)。然而，高品質(zhì)晶體溝道的獲得往往依賴高溫生長過程（>800 ℃）-- 這恰恰是柔性聚合物襯底（熔點(diǎn)<150 ℃）所無法承受的！為此，南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院余林蔚教授、徐駿教授課題組基于自主創(chuàng)新的平面固-液-固（IPSLS）納米線生長模式（近期工作Refs. 1-4），探索了一種全新的“激光-液滴”自聚焦局域加熱生長策略，突破了傳統(tǒng)環(huán)境加熱技術(shù)的限制，利用柔性聚合物襯底（聚酰亞胺，PI）和金屬銦催化劑顆粒對特定激光（808 nm）輻照的高選擇性吸收差異，實(shí)現(xiàn)僅在液滴/納米線生長界面附近范圍的高效局部加熱，以驅(qū)動(dòng)晶硅納米線在柔性襯底上的超高速度生長：在不需要環(huán)境加熱的室溫“冷”環(huán)境下，其生長速度可以高達(dá)3.5 μm/s，比傳統(tǒng)加熱方式納米線生長速度提高了3個(gè)數(shù)量級。值得一提的是，即便在此高速生長過程中，IPSLS納米線的生長路徑依然可以被精確引導(dǎo)定位，并成功展示了豐富的線形調(diào)控能力。此外，由于納米金屬液滴具有極小的熱熔，通過調(diào)控激光照射時(shí)序，可以對納米線生長動(dòng)態(tài)過程進(jìn)行前所未有的精確調(diào)控（例如，對生長液滴實(shí)現(xiàn)瞬間“激活和冷卻”等操作），從而實(shí)現(xiàn)對超長納米線的精準(zhǔn)形貌/直徑編碼?；诖思夹g(shù)，成功在柔性PI襯底上生長高品質(zhì)納米線溝道，并制備了納米線場效應(yīng)晶體管（FET）器件，其電流開關(guān)比和亞閾值擺幅分別為>104和386 mV/dec。此“激光-液滴”選擇性加熱生長策略有望推廣應(yīng)用于：在各類大面積、低成本柔性襯底上的“冷”環(huán)境中，直接定位生長和集成高品質(zhì)晶硅納米線陣列，為推動(dòng)各種高性能柔性電子器件的規(guī)?；瘧?yīng)用提供關(guān)鍵的材料支撐和全新的技術(shù)路線。