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適用于具有功能梯度及拉脹屬性的超材料的拓?fù)鋬?yōu)化方法
本發(fā)明屬于超材料設(shè)計(jì)相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域，其公開了一種適用于具有功能梯度及拉脹屬性的超材料的拓?fù)鋬?yōu)化方法，其包括以下步驟：(1)采用加權(quán)法建立每層的、同時(shí)考慮微觀結(jié)構(gòu)拉脹屬性及宏觀結(jié)構(gòu)剛度屬性的多目標(biāo)優(yōu)化模型；(2)控制所述超材料結(jié)構(gòu)整體在一個(gè)方向上的拉脹屬性及剛度屬性呈梯度形式分布；(3)計(jì)算每層設(shè)計(jì)域上的微觀位移、宏觀位移、以及每層微結(jié)構(gòu)的等效彈性屬性；(4)基于計(jì)算獲得的敏度，采用優(yōu)化準(zhǔn)則法更新設(shè)計(jì)變量，進(jìn)而判斷所述目標(biāo)函數(shù)是否收斂。上述拓?fù)鋬?yōu)化方法采用加權(quán)法建立同時(shí)考慮微觀結(jié)構(gòu)拉脹屬性及宏觀結(jié)構(gòu)剛度屬性的多目標(biāo)優(yōu)化模型繼而進(jìn)行優(yōu)化，使得優(yōu)化后的超材料同時(shí)具備拉脹屬性及足夠的剛度。
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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一種單晶石榴石厚膜的間歇式液相外延生長(zhǎng)方法
專利內(nèi)容是本發(fā)明針對(duì)背景技術(shù)存在的缺陷，提出了一種單晶石榴石厚膜的間歇式液相外延生長(zhǎng)方法，緩解了襯底與薄膜之間的應(yīng)力產(chǎn)生，得到的單晶石榴石厚膜可作為磁光或微波厚膜應(yīng)用，該方法制得的磁光厚膜的厚度可達(dá)100µm以上。
電子科技大學(xué)
2021-02-01
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一種糖基/磺化改性親和聚合物中空纖維分離膜、其制備方法及用途
本發(fā)明公開一種糖基/磺化改性親和聚合物中空纖維分離膜及其制備方法。該膜由聚合物樹脂、磺化聚合物樹脂和糖類高分子組成，在優(yōu)選的原料與比例下對(duì)LDL有良好的特異性吸附作用，且具有良好的穩(wěn)定性和生物相容性，可重復(fù)使用，成本低廉，有望投入大規(guī)模臨床應(yīng)用。其制備方法包括以下過(guò)程:將膜用聚合物樹脂、磺化聚合物樹脂、糖類高分子、致孔劑按一定比例溶于溶劑，制成均一的紡絲制膜液，將紡絲制膜液過(guò)濾、真空脫泡后，通過(guò)浸沒(méi)沉淀相轉(zhuǎn)化法紡絲制備中空纖維成膜，然后將所制得的中空纖維膜依次在去離子水和超純水充分漂洗。本發(fā)明采用的共混溶解制備法具有操作簡(jiǎn)便安全、原材料廉價(jià)易得等優(yōu)點(diǎn)。
浙江大學(xué)
2021-04-11
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復(fù)極式離子膜電解槽極網(wǎng)自動(dòng)化激光焊接成套技術(shù)裝備
北京工業(yè)大學(xué)
2021-04-14
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低能耗低污染膜/生物反應(yīng)器（MBR） 污水處理技術(shù)與設(shè)備
技術(shù)特點(diǎn)及優(yōu)勢(shì) 1、對(duì)現(xiàn)有的用于污水處理的膜進(jìn)行改性，提高膜通量，減小跨膜壓力。膜通量較現(xiàn)有膜提高2倍以上，跨膜壓力只有1米左右水柱。 2、突破了以往MBR膜都是與泥水直接接觸的固有形式，對(duì)MBR結(jié)構(gòu)進(jìn)行了改進(jìn)，減少膜與污泥、胞外聚合物（EPS）等膜污染關(guān)鍵物質(zhì)的接觸，可以極大緩解膜污染問(wèn)題； 3 、采用的廉價(jià)耐污染膜材料，延長(zhǎng)膜的使用壽命，降低運(yùn)行成本； 4 、控制反應(yīng)器微生物處于內(nèi)源呼吸期，反應(yīng)器中能有效建立細(xì)菌—原生動(dòng)物—后生動(dòng)物微生態(tài)系
哈爾濱工業(yè)大學(xué)
2021-04-14
一種燃料電池膜電極熱壓頭上表面貼片的糾偏補(bǔ)償方法
本發(fā)明公開了一種燃料電池膜電極熱壓頭上表面貼片的糾偏補(bǔ)償方法。傳統(tǒng)的機(jī)器視覺(jué)采圖后擺動(dòng)氣缸翻轉(zhuǎn)，然后貼片，不能保證GDL 的貼裝精度，另外，由于 GDL 料盒比 GDL 本身尺寸稍大，不能保證每次真空拾取機(jī)構(gòu)吸取 GDL 的中心軸線都與旋轉(zhuǎn)軸的中心軸線重合，因此翻轉(zhuǎn)后也會(huì)有誤差。本發(fā)明主要解決這兩個(gè)誤差的計(jì)算和補(bǔ)償方法，實(shí)現(xiàn)熱壓頭上表面的準(zhǔn)確貼片。本發(fā)明基于現(xiàn)有的 GDL 熱壓裝備實(shí)現(xiàn)，首先對(duì)相機(jī)進(jìn)行標(biāo)定，標(biāo)定兩個(gè)相機(jī)各自的像素坐標(biāo)系和世界坐標(biāo)系的關(guān)系，分別根據(jù)是由安裝誤差引起的貼片糾偏或者是由軸線
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種納米氫氧化鈷-石墨烯復(fù)合膜、其制備方法及應(yīng)用
本發(fā)明公開了一種納米氫氧化鈷-石墨烯復(fù)合膜、其制備方法及 應(yīng)用。所述復(fù)合膜，包括納米石墨烯底層和納米氫氧化鈷表層，所述 納米石墨烯底層厚度在 4000nm 至 6000nm 之間，所述納米氫氧化鈷表 層厚度在 50nm 至 100nm 之間，所述納米氫氧化鈷表層均勻沉積在所 述納米石墨烯底層上。其制備方法，包括以下步驟：將氧化石墨烯均 勻分散于水中，涂敷在片狀導(dǎo)電基底上，干燥得到納米氧化石墨烯膜； 組建三電極體系采用
華中科技大學(xué)
2021-04-14
適用于對(duì)移動(dòng)中的柔性膜執(zhí)行標(biāo)識(shí)的多自由度打標(biāo)裝置
本發(fā)明屬于柔性膜質(zhì)量檢測(cè)設(shè)備相關(guān)領(lǐng)域，并公開了一種適用 于對(duì)移動(dòng)中的柔性膜執(zhí)行標(biāo)識(shí)的多自由度打標(biāo)裝置，包括支撐組件、 傳動(dòng)組件、動(dòng)力組件、打標(biāo)針組件和記號(hào)筆組件，其中支撐組件可實(shí) 現(xiàn)打標(biāo)裝置的機(jī)械連接，同時(shí)還具有導(dǎo)向和位置調(diào)節(jié)的功能；動(dòng)力組 件為打標(biāo)裝置提供可控的動(dòng)力，傳動(dòng)組件可適于在運(yùn)動(dòng)中多自由度地 驅(qū)動(dòng)打標(biāo)針組件和記號(hào)筆組件，并提供高精度的打標(biāo)操作；打標(biāo)針組 件和記號(hào)筆組件分別可在柔性膜上打出針孔和顏色標(biāo)記，并檢測(cè)標(biāo)記 是否成功完成。通過(guò)本發(fā)明，在高速運(yùn)動(dòng)過(guò)程中也能夠高精度、穩(wěn)定 可靠地執(zhí)行打標(biāo)操作，而且反應(yīng)靈敏度高，因而尤其適用于 RFID 標(biāo) 簽之類對(duì)表面標(biāo)識(shí)質(zhì)量高的運(yùn)用場(chǎng)合。
華中科技大學(xué)
2021-04-11
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一種高效選擇性捕獲三價(jià)鉻離子的復(fù)合膜及其制備方法
本發(fā)明涉及一種高效選擇性捕獲三價(jià)鉻離子的復(fù)合膜及其制備方法。所述復(fù)合膜由聚醚砜（PES）基膜、鋅離子與生物分子自組裝層以及ZIF?8金屬有機(jī)框架層組成。其制備方法包括：通過(guò)鄰苯三酚與氨基酸協(xié)同改性PES基膜表面，形成穩(wěn)定的負(fù)電荷層；利用靜電作用將鋅離子與生物分子自組裝于改性膜表面，并以此為基底原位生長(zhǎng)ZIF?8層。該復(fù)合膜通過(guò)ZIF?8的孔隙限域效應(yīng)及表面官能團(tuán)配位作用，實(shí)現(xiàn)對(duì)Cr3+的高效捕獲，吸附容量提升，截留率超過(guò)99%，且在復(fù)雜共存離子體系中表現(xiàn)出優(yōu)異的選擇性吸附性能。
南京工業(yè)大學(xué)
2021-01-12
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高穩(wěn)定金屬膜電阻器用磁控濺射中高阻靶材及制備技術(shù)
成果與項(xiàng)目的背景及主要用途：
Cr-Si 中高阻膜電阻器具有精度高、噪聲低、溫度系數(shù)小、耐熱性和穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn)，在精密電子設(shè)備和混合集成電路中大量采用。對(duì)于濺射制備電阻膜來(lái)說(shuō)，靶材是至關(guān)重要的，它制約著金屬膜電阻器的電阻率、精度、可靠性、電阻溫度系數(shù)（Temperature Coefficient of Resistance, TCR）等性能。電阻溫度系數(shù)(TCR)是金屬膜電阻器的一個(gè)重要性能技術(shù)指標(biāo)之一，較大的 TCR 在溫度變化時(shí)會(huì)造成電阻值漂移，從而影響電阻器的精度和穩(wěn)定性。目前國(guó)內(nèi)外生產(chǎn)的金屬膜電阻器用高阻靶材，其性能不能滿足低 TCR（≤25ppm/℃）要求。
技術(shù)原理與工藝流程簡(jiǎn)介： 靶材煉制工藝如下圖所示所制備的靶材(382 mm ×128 mm ×14 mm)在濺射成電阻器薄膜后, 電阻溫度系數(shù)小(≤25 ×10-6 / ℃), 電阻值高(要求不刻槽數(shù)量級(jí)為千歐, 刻槽后數(shù)量級(jí)為兆歐)且穩(wěn)定(隨時(shí)間變化小), 因此, 在本靶材研究中, 將選擇 Cr 、Si 作為高阻靶材的主體材料。由于 C r 、Si 熔點(diǎn)高, 原子移動(dòng)性低, 因此由其所組成的薄膜穩(wěn)定性高。通過(guò)在金屬 C r 中引入半導(dǎo)體材料 Si 來(lái)提高電阻器合金膜的阻值。C r 是很好的吸收氣體的金屬元素, 在電阻器薄膜濺射過(guò)程中, 可通過(guò)通入微量的氧來(lái)提高薄膜的電阻率, 同時(shí)調(diào)節(jié)電阻溫度系數(shù)。技術(shù)指標(biāo)如下：溫度沖擊實(shí)驗(yàn)后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 過(guò)載實(shí)驗(yàn)后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 壽命實(shí)驗(yàn)后ΔR/R ≤±1 .0 %,電阻溫度系數(shù) TCR ≤±20 ×10-6 / ℃。
應(yīng)用領(lǐng)域：
集成電路、電子元器件
合作方式及條件：具體面議
天津大學(xué)
2021-04-11