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可以量產(chǎn)/n該項(xiàng)目帶寬寬，可以覆蓋Ku以下所有頻段，并向Ka頻段發(fā)展；線性度高，模擬通信不失真；動態(tài)范圍大，激光輸出功率高，相對強(qiáng)度噪聲低。可靠性高，全金屬化耦合焊接，提高了可靠性和壽命。市場預(yù)期：該項(xiàng)目產(chǎn)品主要應(yīng)用領(lǐng)域是通信，目前國內(nèi)市場需求大于300億人民幣。隨著國家寬帶戰(zhàn)略的實(shí)施和物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展，未來5-10年將以大于30%/年的速度遞增。到2020年將大于1000億元人民幣。

內(nèi)容介紹： 本項(xiàng)目圍繞探測器用CdZnTe晶體的制備與開發(fā)應(yīng)用，釆用改進(jìn)的垂直 布里奇曼技術(shù)，通過合理設(shè)計(jì)成分以及選擇合適的摻雜元素和摻雜量，探 索了優(yōu)化的晶體生長和退火改性工藝，生長出滿足探測器要求的高性能 CdZnTe晶體。圍繞對X射線和y射線等不同能量射線檢測及應(yīng)用的要求， 解決了探測器用CdZnTe晶體的磨拋加工、表面處理以及接觸電極的制備難 題，建立了探測器用CdZnTe晶片的篩選機(jī)制和生產(chǎn)線

本發(fā)明公開了一種微環(huán)波導(dǎo)器件，包括微環(huán)諧振腔、直波導(dǎo)、第一支架、第二支架和襯底；其中，第一支架用于支撐直波導(dǎo)，第二支架用于支撐微環(huán)諧振腔，以使微環(huán)諧振腔與直波導(dǎo)懸空；微環(huán)諧振腔與直波導(dǎo)相互耦合；外部注入的光場通過直波導(dǎo)耦合進(jìn)入微環(huán)諧振腔中，滿足微環(huán)諧振條件的光場在微環(huán)諧振腔中激發(fā)出聲場，通過懸空的微環(huán)諧振腔將產(chǎn)生的聲場限制在微環(huán)諧振腔中進(jìn)行傳輸，進(jìn)而產(chǎn)生前向布里淵效應(yīng)；本發(fā)明提供的這種懸空的微環(huán)波導(dǎo)器件具有布里

微納米光纖，具有一系列獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)：大的消逝場；高的非線性，極低的損耗；容易彎曲成環(huán)等不同的幾何形狀。我校在本應(yīng)用領(lǐng)域主要研究選擇合適的光纖材料和介質(zhì)棒材料，探討微納光纖在生物、通信、傳感和激光等領(lǐng)域的應(yīng)用：優(yōu)化微納光纖探針的設(shè)計(jì)，制備低成本的超短的極低損耗的微納光纖探針用于低功率粒子捕獲；制備基于單環(huán)諧振器的傳感器；制備基于多環(huán)諧振器的應(yīng)用型器件如高靈敏度微傳感器或者可調(diào)諧器件等，探討其它新型的應(yīng)用。理論上主要研究微納光纖諧振器的線性和非線性特性，對

1：電子式壓力控制器 內(nèi)容：專用于按壓力信號對制冷系統(tǒng)實(shí)施的各種控制。（1）電子式數(shù)字顯示，數(shù)字設(shè)定（2）微電腦控制器（3）可以對壓縮機(jī)進(jìn)行運(yùn)行，保護(hù)及調(diào)節(jié)方面的控制，如：壓縮機(jī)正常啟、停控制，高低壓力保護(hù)，油路控制，壓縮機(jī)制冷能力的程度控制（4）適用于各種制冷劑，如R22，R134A，R404A，R407C，R507，R717，…，等（5）針對

隨著人工智能、大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)、區(qū)塊鏈等新一代信息技術(shù)興起，數(shù)據(jù)量呈現(xiàn)爆炸式增長，傳統(tǒng)計(jì)算系統(tǒng)的算力難以滿足海量數(shù)據(jù)的計(jì)算需求。與此同時(shí)，摩爾定律逐漸放緩，單純依靠提高集成度、縮小晶體管尺寸來提升芯片及系統(tǒng)性能的路徑正面臨技術(shù)極限，通過引入憶阻器新器件、模擬計(jì)算新范式、存算一體新架構(gòu)，將拓展出全新的高性能人工智能芯片與系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)計(jì)算能力的飛躍。 目前被廣泛使用的經(jīng)典馮·諾依曼計(jì)算架構(gòu)下數(shù)據(jù)存儲與處理是分離的，存儲器與處理器之間通過數(shù)據(jù)總線進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸，在面向大數(shù)據(jù)分析等應(yīng)用場景中，這種計(jì)算架構(gòu)已成為高性能低功耗計(jì)算系統(tǒng)的主要瓶頸之一：數(shù)據(jù)總線的有限帶寬嚴(yán)重制約了處理器的性能與效率，且存儲器與處理器之間存在嚴(yán)重性能不匹配問題。憶阻器存算一體系統(tǒng)把傳統(tǒng)以計(jì)算為中心的架構(gòu)轉(zhuǎn)變?yōu)橐詳?shù)據(jù)為中心的架構(gòu)，其直接利用阻變器件進(jìn)行數(shù)據(jù)存儲與處理，通過將器件組織成為交叉陣列形式，實(shí)現(xiàn)存算一體的矩陣向量乘計(jì)算。憶阻器存算一體系統(tǒng)可以避免數(shù)據(jù)在存儲和計(jì)算中反復(fù)搬移帶來的時(shí)間和能量開銷，消除了傳統(tǒng)計(jì)算系統(tǒng)中的“存儲墻”與“功耗墻”問題，可以高效、并行的完成基礎(chǔ)的矩陣向量乘計(jì)算，未來極有潛力成為支撐人工智能等新興應(yīng)用的核心技術(shù)。 清華大學(xué)吳華強(qiáng)教授團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)了材料與器件、電路設(shè)計(jì)、架構(gòu)和算法的軟硬件協(xié)同等多方面原始創(chuàng)新，解決了系統(tǒng)精度損失等被廣泛關(guān)注的難題： 材料與器件創(chuàng)新。科研團(tuán)隊(duì)選擇了電學(xué)特性穩(wěn)定的二氧化鉿作為憶阻層核心材料，提出了通過插入少量氧化鋁層來固定離子分布、抑制晶粒間界形成的新理論，提出了引入熱增強(qiáng)層的新原理器件結(jié)構(gòu)，成功抑制了憶阻器非理想特性的產(chǎn)生。 電路設(shè)計(jì)創(chuàng)新。開發(fā)了一套憶阻器與晶體管的混合電路設(shè)計(jì)方法，提出“差分電阻”設(shè)計(jì)思想，采取源線電流鏡限流設(shè)計(jì)，抑制了憶阻器電路中可能產(chǎn)生的各種計(jì)算誤差。 算法創(chuàng)新。提出了混合訓(xùn)練算法，僅用小數(shù)據(jù)量訓(xùn)練神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)并只更新最后一層網(wǎng)絡(luò)的權(quán)重，即可將存算一體硬件系統(tǒng)的計(jì)算精度達(dá)到與軟件理論值相同的水平。 “技術(shù)鏈”創(chuàng)新。從“單點(diǎn)技術(shù)突破”拓展到“技術(shù)鏈突破”，開發(fā)了針對憶阻器存算一體芯片的電子設(shè)計(jì)自動化（EDA）工具，打通了從電路模塊設(shè)計(jì)到系統(tǒng)綜合再到芯片驗(yàn)證的設(shè)計(jì)全流程。 上述理論和方法發(fā)表于《自然》《自然·納米技術(shù)》《自然·通訊》等國際頂級期刊，以及被譽(yù)為“集成電路奧林匹克”的“國際固態(tài)電路大會”等頂級學(xué)術(shù)會議。研究成果被“國際半導(dǎo)體技術(shù)路線圖”和30多部綜述文章長篇幅引用。團(tuán)隊(duì)已在該研究方向申請國內(nèi)外專利72項(xiàng)，其中30項(xiàng)已獲得授權(quán)，知識產(chǎn)權(quán)完全自主可控。 團(tuán)隊(duì)已研制出全球首款憶阻器存算一體芯片和系統(tǒng)，集成了8個(gè)憶阻器陣列和完整的外圍控制電路，以更小的功耗和更低的硬件成本大幅提升了計(jì)算設(shè)備的算力。全系統(tǒng)的計(jì)算能效比當(dāng)前主流的人工智能計(jì)算平臺——圖形處理器（GPU）高兩個(gè)數(shù)量級。團(tuán)隊(duì)還設(shè)計(jì)了一款基于130nm工藝研制的完整憶阻器存算一體芯片，在MNIST數(shù)據(jù)集上計(jì)算速度已超過市面上28nm工藝的四核CPU產(chǎn)品近20倍，能效有近千倍的優(yōu)勢。

項(xiàng)目成果/簡介:隨著人工智能、大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)、區(qū)塊鏈等新一代信息技術(shù)興起，數(shù)據(jù)量呈現(xiàn)爆炸式增長，傳統(tǒng)計(jì)算系統(tǒng)的算力難以滿足海量數(shù)據(jù)的計(jì)算需求。與此同時(shí)，摩爾定律逐漸放緩，單純依靠提高集成度、縮小晶體管尺寸來提升芯片及系統(tǒng)性能的路徑正面臨技術(shù)極限，通過引入憶阻器新器件、模擬計(jì)算新范式、存算一體新架構(gòu)，將拓展出全新的高性能人工智能芯片與系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)計(jì)算能力的飛躍。

現(xiàn)有的有機(jī)氮測定方法主要基于差減法，存在多方面測定的累加誤差，結(jié)果難免不夠精確和可靠。本發(fā)明技術(shù)是一種體積排阻色譜聯(lián)用型氮檢測器及應(yīng)用，其對有機(jī)氮的檢測原理在于通過體積排阻色譜柱實(shí)現(xiàn)有機(jī)氮和無機(jī)氮的分離，然后通過石英螺旋管結(jié)合紫外氧化的方式將有機(jī)氮轉(zhuǎn)變?yōu)橄鯌B(tài)氮，通過紫外檢測器檢查硝態(tài)氮在220nm的紫外吸收，實(shí)現(xiàn)定量分析。

本發(fā)明公開了一種井間并行電阻率 CT 測試方法，是對鉆孔間地質(zhì)條件及構(gòu)造特征進(jìn)行探查的一種物探技術(shù)。通過在兩兩鉆井之間布置測試系統(tǒng)，形成 64 個(gè)電極的井間測線，采用并行電法數(shù)據(jù)采集技術(shù)進(jìn)行單極或偶極供電與測試，獲得井間電性采集數(shù)據(jù)，形成井間不同電極間層析數(shù)據(jù)體。通過井間電阻率層析成像技術(shù)實(shí)現(xiàn)對測試區(qū)域電阻率及激電參數(shù)成像，進(jìn)一步評價(jià)其巖層及構(gòu)造特征狀況，獲得地質(zhì)解釋成果及認(rèn)識。該套測試系統(tǒng)可完成 1200m 深井的數(shù)據(jù)采集。

目前，油氣輸送主要靠大口徑管道完成的，管道直徑多在500mm以上，甚至達(dá)到 1000mm。為防止管道內(nèi)壁的銹蝕、結(jié)蠟、雜質(zhì)的沉積以及降低流體在管道內(nèi)部輸送阻力，通 常需在管道內(nèi)壁涂上一層涂料。本發(fā)明主要涉及天然氣管道內(nèi)涂減阻涂料。當(dāng)前，用于管道減 阻內(nèi)涂的涂料多為溶劑型涂料，溶劑多為二甲苯、正丁醇等一種或幾種混合。溶劑型涂料雖然 施工性能較好，但也存在很多缺點(diǎn)：VOC含量過高污染環(huán)境，影響施工人員健康，有火災(zāi)隱 患，且溶劑的揮發(fā)還導(dǎo)致漆膜質(zhì)量下降。涂料的發(fā)展趨勢便是水性涂料、無溶劑涂料以及粉末 涂料代替溶劑型涂料。無溶劑涂料克服溶劑型涂料的缺點(diǎn)，但也存在自身缺點(diǎn)：一般粘度較 大，施工性能差，由于成膜樹脂分子量較小交聯(lián)密度高，涂層較脆。 為了克服無溶劑涂料的上述缺點(diǎn)，華東理工大學(xué)開發(fā)了一種表面光潔度高、耐磨性好、表 面能較低的天然氣管道用減阻內(nèi)涂涂料。該涂料有A、B雙組份組成，質(zhì)量穩(wěn)定，施工簡單。 所采用的技術(shù)方案之一是提供制備顆粒直徑小，團(tuán)聚較少，與樹脂相溶性好的顏填料改性手 段。改性后的粉體團(tuán)聚明顯減少，顆粒直徑較小，改性后的粉體與成膜樹脂相溶性也大大提 高，能在樹脂體系里有很好的分散效果。