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磁隨機存儲器芯片（STT-MRAM）器件
已有樣品/nSTT-MRAM 是一種極具應用潛力的下一代新型存儲器解決方案。由于采用了大量的新材料、新結構，加工制備難度極大。當前，美韓日三國在該項技術上全面領先，很有可能在繼硬盤、DRAM 及閃存等存儲芯片之后再次實現對我國100%的壟斷。微電子所集成電路先導工藝研發中心研究員趙超與北京航空航天大學教授趙巍勝的聯合團隊通過3 年的艱苦攻關，在STT-MRAM 關鍵工藝技術研究上實現了重要突破，在國內首次采用可兼容CMOS 工藝成
中國科學院大學
2021-01-12
薄膜電致電光器件的大平面制備方法
薄膜電致發光器件作為顯示器件主要用于工業現場儀表顯示、車站、機場、銀行、證券交易市場、街頭廣告信息顯示，作為大平面高清晰顯示可用于各種會場、廣場高清晰電視彩像顯示，及可檢索軍用地圖、筆記本電腦及賓館等山水、立體彩色裝飾。其特點為全固體化、亮度高、壽命長、可大平面化和可裝飾表面。響應速度快，使用溫度范圍寬。由于制備方法簡單較之國內外同類產品成本低，可批量工業
西安交通大學
2021-01-12
千萬門級抗輻照 、軍用級 FPGA 芯片器件
現場可編程門陣列(Field-Programmable Gate Array，FPGA)是半導 體集成電路領域的一類通用核心器件，在國民經濟的各個領域有著廣 泛的應用。美國廠商壟斷了全球幾乎所有的 FPGA 芯片市場，而我國 的航空航天技術和國防工業對 FPGA 芯片有超大量的需求和嚴重的 依賴，高端 FPGA 技術和芯片產品被美國等列為對華出口的嚴格限制 清單中，嚴重制約了航空航天技術和國防工業發展。針對上述問題， 項目組通過自主創新研制
復旦大學
2021-01-12
EMI多層片式LC濾波器材料和器件
內容介紹： 本項目通過通過研究EMI多層片式LC濾波器的制造技術，攻克了材料 的低溫燒結技術、器件的獨石化流延工藝技術、異種材料的疊層共燒技術 和多層片式LC濾波器的結構設計技術等產業化關鍵技術難題，釆用先進 的流延成型工藝技術制備出尺寸為2Xl.2X0.8mm （0805規格）的EMI多 層片式LC濾波器，電學參數測試結果表明其各項性能參數與國外同類產 品相當，關鍵技術獲得國家專利3項，并榮獲陜西省科
西北工業大學
2021-04-14
大尺寸鈮酸鋰晶體、單晶薄膜及器件
本技術涵蓋大尺寸鈮酸鋰晶體生長工藝及裝備、晶圓制備、單晶薄膜制備及聲表面波器件，實現材料、裝備、器件協同發展。主要針對8英寸鈮酸鋰晶體、單晶薄膜及聲表面波器件進行開發研究，該技術屬于我國“卡脖子”技術，目前國際市場空白。在鈮酸鋰晶體生長方面，開發了大尺寸智能單晶生長設備及工藝，包括大尺寸鈮酸鋰晶體生長模擬仿真設計、鈮酸鋰熔體-晶體固液界面特性與控制、大尺寸鈮酸鋰晶體生長工藝開發、生長-檢測-分析-控制人工智能系統。采用離子束切片鍵合技術制備鈮酸鋰單晶薄膜，突破傳統的薄膜制備方法無法制備單晶鈮酸鋰薄膜
山東大學
2021-04-14
光纖柵陣列傳感器件及檢測技術
本項目的創新點主要是采用環形鏡解調和GSM數字移動網傳輸信號的技術。具有響應速度快、調諧范圍寬、可實時檢測、使用壽命長、抗電磁干擾能力強等優點，有重要實用意義。 光纖光柵傳感器陣列的每一個光柵反射率大于90%，線寬小于0.4nm，各光柵中心波長間隔大于1nm。 研制出寬帶光源等實驗裝置，寬帶光源輸出功率大于1mw，帶寬30nm；已成功應用于光纖光柵傳感器陣列檢測實驗。 研制出寬帶光源、高雙折射光纖環鏡濾波邊緣濾波解調系統的實驗樣機。 研制出快
南開大學
2021-04-14
一種鐵鋁合金制成的螺旋狀高效低阻濾芯
（專利號：ZL 201510665213.0） 簡介：本發明公開了一種鐵鋁合金制成的螺旋狀高效低阻濾芯，屬于除塵器的濾芯設計領域。該濾芯由鐵鋁合金濾料制成，并彎曲成螺旋狀，濾芯本體由金屬格網支撐。濾芯主要由濾芯本體、排風管、脈沖反吹聯動裝置、頂蓋和閥門等裝置組成，濾芯本體為圓柱狀螺旋式結構，螺旋式濾芯本體孔徑從內到外呈等差數列減小。在實際運行中，煙氣經濾芯逐層過濾后，大部分粉塵被阻留在濾芯外面，凈化后的氣體進入里層濾芯逐層過濾，最終再通過排煙管排入下道工序。本發明解決了目前市場上除塵器除塵效率低、抗高溫、抗硫化性能弱的核心問題。
安徽工業大學
2021-04-11
鐵電量子隧道結亞納秒超快憶阻器的研究
中國科學技術大學李曉光團隊在前期研究基礎上，基于鐵電隧道結量子隧穿效應，實現了具有亞納秒信息寫入速度的超快原型存儲器，并可用于構建存算一體人工神經網絡，該成果在線發表《自然通訊》雜志上。研究人員制備了高質量Ag/BaTiO3/Nb:SrTiO3鐵電隧道結，其中鐵電勢壘層厚為6個單胞（約2.4nm）。基于隧道結能帶的設計，以及其對阻變速度、開關比、操作電壓的調控，該原型存儲器信息寫入速度快至600ps（注：機械硬盤的速度約為1ms, 固態硬盤的約為1-10ms）、開關比達2個數量級，且其600ps的阻變速度在85℃時依然穩定（工業測試標準）；寫入電流密度4×103A/cm2，比目前其他新型存儲器低約3個量級；一個存儲單元具有32個非易失阻態；寫入的信息預計可在室溫穩定保持約100年；可重復擦寫次數達108-109次，遠超商用閃存壽命（約105次）。即使在極端高溫（225℃）環境下仍能進行信息的寫入，可實現高溫緊急情況備用。
中國科學技術大學
2021-04-10
一種基于憶阻器的超寬帶脈沖信號產生裝置
本發明公開了一種基于憶阻器的超寬帶脈沖信號產生裝置，包 括憶阻器控制電路、方波振蕩電路、超寬帶脈沖產生電路和倍壓電路； 方波振蕩電路的輸入端連接憶阻器控制電路，倍壓電路的輸入端連接 至方波振蕩電路的第一輸出端，脈沖產生電路的第一輸入端連接至倍 壓電路的輸出端，第二輸入端連接至方波振蕩電路的第二輸出端。憶 阻器控制電路包括三極管，方波振蕩電路包括 TTL 門電路、憶阻器、 射極放大電路，超寬帶脈沖產生電路包括反相器、R
華中科技大學
2021-04-14
基于憶阻器的多值存儲單元、讀寫電路及其操作方法
本發明公開了一種基于憶阻器的多值存儲單元、讀寫電路及其·717·操作方法；所述基于憶阻的多值存儲單元是利用憶阻器的阻變特性，由多個憶阻器以特殊的連接方式構成。這種連接方式組成的多值存儲單元繼承了憶阻器，體積小，功耗低，可拓展性強的優點。相較于傳統憶阻器存儲結構，所述多值存儲結構提供了更大的存儲空間，為存儲器設計提供了一種新的思路。所述多值存儲單元的讀寫電路包括存儲單元、控制開關以及電壓比較電路。所述讀寫
華中科技大學
2021-04-14