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本發(fā)明公開了一種基于電控液晶紅外匯聚平面微柱鏡的紅外波束控制芯片。包括電控液晶紅外匯聚平面微柱鏡陣列；電控液晶紅外匯聚平面微柱鏡陣列包括液晶材料層，依次設(shè)置在液晶材料層上表面的第一液晶初始取向?qū)印⒌谝浑姼綦x層、圖形化電極層、第一基片和第一紅外增透膜，以及依次設(shè)置在液晶材料層下表面的第二液晶初始取向?qū)印⒌诙姼綦x層、公共電極層、第二基片和第二紅外增透膜；公共電極層由一層勻質(zhì)導(dǎo)電膜構(gòu)成；圖形化電極層由布有 m×n 元陣

本發(fā)明公開了一種液晶基電調(diào)空間分辨率全色成像探測芯片，包括陶瓷外殼、金屬支撐和散熱板、驅(qū)控和圖像預(yù)處理模塊、面陣全色成像探測器、以及面陣電控液晶微透鏡，驅(qū)控和圖像預(yù)處理模塊、面陣全色成像探測器、以及面陣電控液晶微透鏡設(shè)置于陶瓷外殼內(nèi)，陶瓷外殼后部固定設(shè)置于金屬支撐和散熱板頂部，驅(qū)控和圖像預(yù)處理模塊固定設(shè)置于陶瓷外殼后部與金屬支撐和散熱板連接處，面陣全色成像探測器平行設(shè)置于驅(qū)控和圖像預(yù)處理模塊頂部，面陣電控液晶微

本發(fā)明公開了一種適應(yīng)多規(guī)格芯片的表面貼裝機拾取裝置，包 括 Z 向進給模塊、傳動模塊、氣路模塊、花鍵軸模塊和吸嘴模塊，其 中 Z 向進給模塊用于帶動背板上下運動；氣路模塊中的真空發(fā)生器用 于產(chǎn)生真空，并通過氣管、快接接頭和花鍵軸聯(lián)接，在花鍵軸內(nèi)部產(chǎn) 生真空環(huán)境；傳動模塊用于保證吸取的芯片在貼裝時姿態(tài)的精準(zhǔn)度； 花鍵軸模塊用于傳遞旋轉(zhuǎn)運動和提供緩沖作用；吸嘴模塊則通過吸嘴 頭與吸嘴桿內(nèi)嵌的密封墊產(chǎn)生不同的配合，控制不同組合的通氣孔的 開閉，進而使吸嘴頭產(chǎn)生不同尺寸的真空域。通過本發(fā)明，應(yīng)能夠僅 采用一

本發(fā)明公開了一種用于無源超高頻 RFID 標(biāo)簽芯片解調(diào)電路， 包括整流電路、取包絡(luò)電路、低通濾波電路、均值產(chǎn)生電路、比較器、 整形電路、使能控制電路、偏置電路。整流電路由主級和輔助級構(gòu)成， 采用閾值補償實現(xiàn)，取包絡(luò)電路在使能控制電路控制下提取包絡(luò)，低 通濾波電路直接采用 RC 結(jié)構(gòu)，均值產(chǎn)生電路由運算放大器、二極管 和電容構(gòu)成，利用峰值檢測的原理實現(xiàn)，比較器采用開環(huán)的運算放大 器實現(xiàn)，整形電路由兩個級聯(lián)的反相器構(gòu)成，

本發(fā)明公開了一種液晶基單眼復(fù)眼一體化成像探測芯片，包括陶瓷外殼、金屬支撐和散熱板、以及單眼復(fù)眼一體化成像探測架構(gòu)，陶瓷外殼后部固置于金屬支撐和散熱板頂部，單眼復(fù)眼一體化成像探測架構(gòu)設(shè)置于陶瓷外殼內(nèi)，并包括同軸順序設(shè)置的驅(qū)控與圖像預(yù)處理模塊、面陣可見光探測器以及面陣電控液晶成像微透鏡，面陣電控液晶成像微透鏡用于從陶瓷外殼頂部開口接收可見光，并將該可見光聚焦到面陣可見光探測器，驅(qū)控與圖像預(yù)處理模塊通過通訊與控制信號

本發(fā)明公開了一種 LED 倒裝芯片的圓片級封裝結(jié)構(gòu)、方法及產(chǎn)品，包括 LED 倒裝芯片、硅基板、透鏡、印刷電路板和熱沉；硅基板正面加工有放置芯片的凹腔，凹腔底部的長度與芯片的長度相同；硅基板的反面加工有兩組通孔，兩通孔與凹腔相連通；在凹腔和兩通孔的表面沉積有絕緣層；凹腔表面的絕緣層上沉積有散熱金屬層和反光金屬層；兩通孔內(nèi)填充有金屬體，通孔內(nèi)的金屬體與凹腔表面的散熱金屬層相接；凹腔內(nèi)底部的兩金屬層存在一開口，用于將該金屬層隔離為兩部分；硅基板的反面沉積有絕緣層，該絕緣層表面布線用于電極連接的金屬層；凹

小試階段/n本發(fā)明涉及一種Si3N4/SiCW復(fù)相結(jié)合SiC耐火材料及其制備方法。其技術(shù)方案是：以50~75wt%的碳化硅、18~36wt%的單質(zhì)硅和2~15wt%的碳為原料，外加所述原料3~7wt%的改性結(jié)合劑，攪拌均勻，機壓成型，成型后的坯體在220℃條件下干燥8~48小時；干燥后的坯體在氮氣氣氛中燒成，隨爐自然冷卻至室溫，即得Si3N4/SiCW復(fù)相結(jié)合SiC耐火材料。所述燒成的溫度制度是：先升溫至890~920℃，保溫1~3小時；再升溫至1180~1350℃，保溫4~10小時；然后升溫至在1

本發(fā)明提供一種制備 N-甲基烏洛托品鹽的方法，將烏洛托品和質(zhì)子酸生成的質(zhì)子化烏洛托品鹽在適 宜條件下直接轉(zhuǎn)化成 N-甲基烏洛托品鹽。其原理為:烏洛托品質(zhì)子化后生成含 N-H 鍵的叔胺陽離子; 陽離子的生成使與質(zhì)子化氮原子相連的烏洛托品骨架上的亞甲基活化，繼之在適宜條件下發(fā)生斷鏈、轉(zhuǎn) 移和插入 N+-H 鍵的反應(yīng)，最終生成 N-甲基烏洛托品陽離子，在這種亞甲基轉(zhuǎn)移反應(yīng)中，陰離子一般不 參與反應(yīng)。該制備方法不用其它甲基化試劑，涉及化學(xué)

產(chǎn)品詳細介紹

6N無氧銅編織帶實驗室低溫減震導(dǎo)熱帶  錦正茂實驗室低溫減震導(dǎo)熱帶，紫銅材質(zhì)，柔軟度好，導(dǎo)熱性好，產(chǎn)品平整光亮柔軟度好，編織緊密，光滑無毛刺，中間無間斷，高純無氧銅帶，純度達到6N即99.9999%。   您也可以在淘寶網(wǎng)首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業(yè)店鋪，聯(lián)系更加方便快速！ 6N無氧銅編織帶實驗室低溫減震導(dǎo)熱帶 ※ 規(guī)格：2.84mm寬，1.3mm厚/4mm寬，1.3mm厚； ※ 材質(zhì)：紫銅； ※ 純度：6N即99.9999%； ※ 用途：實驗室低溫減震導(dǎo)熱帶； ※ 優(yōu)點：產(chǎn)品平整光亮柔軟度好，編織緊密，光滑無毛刺，中間無間斷，導(dǎo)熱性好。 ※ 導(dǎo)熱系數(shù)：451(W/m.K)   您也可以在淘寶網(wǎng)首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業(yè)店鋪，聯(lián)系更加方便快速！ 您也可以在淘寶網(wǎng)首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業(yè)店鋪，聯(lián)系更加方便快速！ 作為北京高科技企業(yè)，錦正科技以現(xiàn)代高科技產(chǎn)業(yè)和傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)為核心業(yè)務(wù)，對內(nèi)承接科研生產(chǎn)任務(wù)，對外以商務(wù)平臺方式實現(xiàn)軍民兩用技術(shù)成果轉(zhuǎn)換，形成了科學(xué)管理的現(xiàn)代化經(jīng)營模式，專門從事物理、化學(xué)和材料等領(lǐng)域的科學(xué)儀器研發(fā)、銷售各類型超低溫測試設(shè)備（液氮 液氦）制冷機系統(tǒng)集成 ，定制 ，高低溫真空磁場發(fā)生系統(tǒng)，Helmholtz線圈（全套解決方案），電磁鐵（全系列支持定制），螺線管，電子槍（高穩(wěn)定性雙極性磁鐵恒流電源1ppm），高低溫磁場真空探針臺，霍爾測試系統(tǒng)，電輸運測量解決方案，磁光克爾效應(yīng)測量系統(tǒng)等產(chǎn)品種類齊全，性能可靠，至今已有近10余年的歷史，是國內(nèi)（較早）生產(chǎn)探針臺，電輸運，電磁鐵的廠家之一。 錦正茂始終秉承“誠信、合作、創(chuàng)造、共贏”的經(jīng)營理念，將現(xiàn)代化管理技術(shù)引入到產(chǎn)品生產(chǎn)與管理中，通過新的軍民融合平臺建設(shè)，形成具有一定市場競爭優(yōu)勢的高科技企業(yè)；其次，公司逐步形成以現(xiàn)代化高科技產(chǎn)業(yè)化帶動企業(yè)價值增張的商業(yè)模式，堅持“與時俱進，科技創(chuàng)新”的思路，彰顯業(yè)務(wù)的核心優(yōu)勢，共創(chuàng)新的戰(zhàn)略制高點。