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一種芯片拾放控制方法
本發明提供了一種芯片拾放控制方法, 芯片以第一速度 V1 下降到速度切換位置,對其直接減速至第二速度 V2,再以第二速度 V2 下降至芯片待拾取或貼裝處，完成芯片拾取或貼裝，芯片在下將過程中從高速直接轉至低速,減小了減速過程的沖擊力，有效完成芯片拾取或貼裝。
華中科技大學
2021-04-14
高集成度光通信芯片
哈爾濱工業大學（深圳）電子與信息工程學院的徐科副教授、姚勇教授與其合作者，針對光通信芯片集成度受限的問題，通過光波導模場的精細調控，在實現多模波導低損耗和低串擾的同時，將關鍵器件的尺寸縮小了1-2個數量級。芯片支持3×112 Gbit/s高速模分復用信號的任意緊湊布線，使多模光學系統的大規模片上集成成為可能。該成果將進一步助力集成光子芯片在光通信、人工智能、高性能計算、量子信息等眾多高新領域中加速發展和應用。
哈爾濱工業大學
2021-04-14
光電探測量子芯片產業化
用于量子保密通信、近紅外探測成像、高速量子光通信、激光雷達探測。 針對單光子探測需求，提取關鍵技術參數，通過多次半導體器件仿真優化，最終得到外延結構設計。結合 13 所 自主外延生長技術與精準的鋅擴散方案，最終實現較為成功的 GM-APD 芯片。該芯片已經成功達到量子保密通信中單光子探測需求，并在安徽問天量子技術有限公司的產品中得到應用。
中國科學技術大學
2021-04-14
一種廣譜成像探測芯片
本發明公開了一種廣譜成像探測芯片。包括熱輻射結構和光敏陣列。廣譜入射光波進入熱輻射結構后，在納尖表面激勵產生等離激元，驅動圖形化金屬膜中的自由電子向納尖產生振蕩性集聚，納尖收集的自由電子與等離激元驅控下涌入的自由電子相疊合，產生壓縮性脈動，使電子急劇升溫并向周圍空域發射主要成分為可見光的熱電磁輻射，光敏陣列將熱電磁輻射轉換為電信號，經預處理后得到電子圖像數據并輸出。本發明能將廣譜入射光波基于壓縮在納空間中的高溫
華中科技大學
2021-04-14
一種多頂針芯片剝離裝置
本發明公開了一種多頂針芯片剝離裝置，包括多頂針主體機構， 安裝于 Z 向升降機構上并連接旋轉驅動機構，其包括中心頂針和外圈 頂針，外圈頂針先接觸藍膜上芯片的外緣實現預頂松，然后中心頂針 上升至外圈頂針等高并協作頂起芯片，完成芯片剝離；旋轉驅動機構， 連接多頂針主體機構，用于先后驅動外圈頂針和中心頂針上升以完成 芯片頂起動作；Z 向升降機構，安裝于三自由度微調對準機構上，停 機狀態時其處于下降位置，工作狀態其處于抬升位置，為頂起芯片做 好準備；三自由度微調對準機構，用于對多頂針主體機構進行 X、Y 和 Z 向的微調。本發明可實現頂針的快捷更換以及各頂針高度的方便 調節，芯片受力均勻，有效減少剝離過程中的芯片失效。
華中科技大學
2021-04-11
一種超薄芯片的制備方法
本發明公開了一種超薄芯片的制備方法，具體為：首先在硅晶圓表面光刻形成掩膜以暴露出需要減薄的區域，再采用刻蝕工藝對硅晶圓進行局部減薄，對減薄后的區域進行芯片后續工藝處理得到芯片，最后將芯片與硅晶圓分離。本發明只是部分減薄了硅片，所以硅晶圓的機械強度仍然可以支持硅片進行后續的加工工藝，相對于傳統的利用支撐基底來減薄芯片的方法，簡化了工藝流程，降低了工藝成本。另外由于不需要用機械研磨工藝來進行減薄，所以不會因為機械研磨對硅晶圓造成的輕微震動而使厚度不能減得過小，通過本發明可以使芯片減薄到比機械研磨方法更薄的程度。
華中科技大學
2021-04-11
泡沫炭表面原位合成Si3N4涂層材料
本發明涉及一種在泡沫炭材料表面原位合成Si3N4涂層的方法，屬于新材料技術領域。其主要特點在于利用泡沫炭多孔結構及Si3N4納米纖維復合體對自來水中顆粒及污染物的過濾和吸附功能實現軟凈水一體化功能。
中國地質大學（北京）
2021-02-01
新型 N-P-S 膨脹型磷系阻燃劑
膨脹型阻燃劑(IFR)一般是以 P、N、C 為主要核心成分的復合 阻燃劑(或單體阻燃劑)，可用于多種易燃聚合物的阻燃。膨脹型阻 燃劑作為一類高效低毒的環保型阻燃劑，被公認為是實現阻燃劑無 鹵化的有效途徑之一，因此在高分子材料阻燃領域中極具應用潛力。我們將 N、P、S 三種有效阻燃元素組裝于單一分子內，設計出 一類新型分子內協效膨脹型阻燃劑。該類阻燃劑在 PC+ABS 工程塑 料中少量添加即可以實現高效阻燃，具有環保低毒，阻燃效果好等 優點。 項目特色： 利用有機合成的方法合成一系列適應市場需求的新型膨脹型 N- P-S 磷系阻燃劑，目前已經研發成功的品種包括“六（4-甲氧基苯磺酸 鈉）環三磷腈”，“ 六（4-氨基苯磺酸鈉）環三磷腈”，“ 六（2-氨基乙 磺酸鈉）環三磷腈”等，生產工藝科學，環保高效，生產過程簡單，生 產成本低。
南開大學
2021-04-13
B/N 摻雜型 Al-Ti-C 系晶種合金
鋁合金結晶組織的微細化會顯著提高鋁材的強韌性、組織均勻性、致密性、 耐蝕性、加工工藝性和表面質量等，并減少偏析和裂紋等諸多鑄造缺陷。目前， 國內外通常采用 Al-Ti-B 或 Al-Ti-C 中間合金來細化晶粒，但 Al-Ti-B 中間合金 126 的形核襯底質點 TiB2 本身的直徑大小在 0.5-3.0μm，而且往往以較大的聚集團 形式存在，如此大的顆粒團在加入到鋁合金中后會帶來一系列的副作用。而普 通 Al-Ti-C 中間合金細化效果不穩定，易衰退，難以滿足鋁制品產品質量的要 求。 Al-Ti-C 中間合金之所以細化效果不穩定和容易衰退，是由于其中的 TiCx 晶體存在較多碳空位，從而使之失穩，且隨 TiCx中碳空位數量的增加，Al 原子 在 TiCx 表面的偏聚及有序化受到抑制，由原來的完全共格逐漸轉變為不完全共 格。因此，減少 TiCx中的碳空位是提高其結構穩定性和生核效率的關鍵。 研究表明，無空位的 TiC 是鋁的有效生核襯底，在接近凝固點的鋁熔體中， Al 原子能夠依附于其周圍形成一個完全共格的有序區，最終促進 α-Al 生核和鋁 晶粒細化。經過長期的研究和探索發現，TiCx 中的碳空位可以被原子半徑較小 的 B、N 等原子填充，最終形成摻雜型的 TiCxB1-x和 TiCxN1-x等粒子，從而降低 空位濃度并提高異質生核能力。 B 摻雜型 Al-Ti-C 晶種合金中含有大量直徑在 1μm 以下（亞微米）的 TiCxB1-x 晶核襯底粒子，且彌散分布，當將該中間合金以微量（0.15%左右）加 入到待細化的鋁及其合金熔體中后，立即釋放出大量的亞微米級的摻雜型 TiC 晶核，從而使待細化鋁合金的晶粒組織得到顯著細化甚至超細化（指晶粒直徑 在微米級）。因此，采用摻雜型 Al-Ti-C 晶種合金對鋁熔體進行晶粒細化處理 將是鋁加工行業又一次重要的技術進步。
山東大學
2021-04-13
A10VSO45DR/52R-PC12N00
產品詳細介紹聯系人：何琴 電話：027-50732532/ 13971401600 在線聯系方式： QQ:1375774402 MSN:whcf2010@live.cn
力士樂柱塞泵
A10VSO18DFR1/31R-PPB12NOO
A10VSO18DR/31R-PPA12N00
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A2FM定容量 液壓馬達
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武漢晨豐機電設備有限公司
2021-08-23