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本發(fā)明公開(kāi)了一種在硅基質(zhì)表面制備油水浸潤(rùn)性光控可逆SiO2/TiO2復(fù)合涂層的方法，將硫酸洗液清洗過(guò)的硅基質(zhì)樣品浸入到SiO2凝膠中，以14厘米/分鐘速度勻速提拉出液面，使玻璃表面覆蓋均勻的SiO2涂層，220℃煅燒涂層，得到的覆蓋SiO2涂層的樣品浸入到TiO2凝膠中，以14厘米/分鐘速度勻速提拉出液面，并在500℃煅燒涂層。最后經(jīng)氟硅烷溶液浸泡進(jìn)行涂層表面改性得到光控油水浸潤(rùn)性可逆轉(zhuǎn)換的SiO2/TiO2復(fù)合涂層。本發(fā)明和以往制備親疏水親疏油可逆轉(zhuǎn)換材料的方法相比，方法簡(jiǎn)便，耗時(shí)少，不需要特殊儀器。涂層呈現(xiàn)納米TiO2微球包裹微米SiO2微球的類(lèi)荷葉表面結(jié)構(gòu)，在工程領(lǐng)域中具有良好的應(yīng)用前景。

一種基于(Ti,M)(C,N)固溶體粉的弱芯環(huán)結(jié)構(gòu)新型金屬陶瓷材料,其原料組分及各組分的重量百分?jǐn)?shù)為10～20%的Co或/和Ni粉末,10～35%的第二類(lèi)碳化物粉末和余量的(Ti,M)(C,N)固溶體粉,所述(Ti,M)(C,N)固溶體粉中M為W、Mo、V、Cr、Ta、Nb中的至少一種,所述第二類(lèi)碳化物為WC、VxC(0

牙科陶瓷具有優(yōu)良的光傳播和光反射性能，可以再現(xiàn)自然牙半透明深度和色深度，有良好的生物相容性，磨耗性接近牙釉質(zhì)、不導(dǎo)電、不產(chǎn)生CT和MRI的偽影、X射線透射，化學(xué)性能穩(wěn)定、在口腔環(huán)境中不降解，拋光和上釉的瓷面光潔，菌斑不易附著，且陶瓷修復(fù)體美觀，是最具發(fā)展?jié)摿Φ难揽菩迯?fù)體材料。

（專(zhuān)利號(hào)：ZL 201210413882.5） 簡(jiǎn)介：本發(fā)明公開(kāi)了一種提高O2/CO2氣氛下煤粉燃燒性能且降低NOx生成的方法，屬于煤粉高效低污染燃燒領(lǐng)域。本發(fā)明將平均粒徑在20微米以下的超細(xì)煤粉與平均粒徑為70~90微米的普通粒徑煤粉在O2/CO2氣氛下混合燃燒，超細(xì)煤粉的混合質(zhì)量百分比為10%~40%，超細(xì)煤粉中的揮發(fā)分質(zhì)量百分比>15%，在不增加O2/CO2中O2濃度前提下，采用超細(xì)煤粉與普通粒徑煤粉混合燃燒，使得超細(xì)煤粉顆粒

       DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專(zhuān)門(mén)適用于低溫溫度測(cè)量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復(fù)性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對(duì)高而易于測(cè)量等特點(diǎn)。所有此款溫度計(jì)都較好地遵循一個(gè)電壓-溫度（V-T）曲線，因而具有更好的可互換性。很多應(yīng)用中都不需要單獨(dú)的標(biāo)定。       DT640-BC型裸片溫度計(jì)，相比市場(chǎng)上的其它溫度計(jì)，具有尺寸更小、熱容更小、響應(yīng)時(shí)間更短的特點(diǎn)。在尺寸、熱容以及響應(yīng)時(shí)間有特殊要求的應(yīng)用中具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。    您也可以直接登錄淘寶網(wǎng)首頁(yè)搜索“錦正茂科技”，可以看到我們的淘寶店鋪，聯(lián)系更加方便！ 特點(diǎn)： ※ 激勵(lì)電流小，因而具有很小的自熱效應(yīng)；  ※ 符合標(biāo)準(zhǔn)曲線，具有良好的互換性； ※ 多種封裝，不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝； ※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內(nèi)，可提供較好的測(cè)量精度； ※ 遵循DT-640標(biāo)準(zhǔn)溫度響應(yīng)曲線； ※ 多種可選封裝方式。 您也可以直接登錄淘寶網(wǎng)首頁(yè)搜索“錦正茂科技”，可以看到我們的淘寶店鋪，聯(lián)系更加方便！ 參數(shù)： ※ 溫度范圍：3K~500K； ※ 標(biāo)準(zhǔn)曲線：DT640 ※ 推薦激勵(lì)電流：10µA±0.1%； ※ 可重復(fù)性：10mK@4.2K，16mK@77K，75mK@273K。 ※ 反向電壓高達(dá)：75V； ※ 損壞前電流高達(dá)：長(zhǎng)時(shí)間200mA 或瞬間1A； ※ 推薦激勵(lì)下的功率耗散：20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K； ※ BC封裝響應(yīng)時(shí)間：10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K； ※ 輻射影響：只推薦在低輻射場(chǎng)合下使用； ※ 磁場(chǎng)影響：不推薦在磁場(chǎng)環(huán)境下使用。 ???????

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