|
搜索
搜 索
高等教育領域數字化綜合服務平臺
江蘇超芯星半導體有限公司研發碳化硅單晶生長技術
公司主營業務為第三代化合物半導體材料，當前產品為 6 寸碳化硅晶體、襯底，未來可拓展至設備和外延技術領先。公司創始人在碳化硅行業有15年以上經驗，曾任國際知名碳化硅襯底企業Norstel高級研發工程師，回國后任世紀金光研發副總，獲得北京市特聘專家等榮譽，擔任國家01專項6寸碳化硅襯底項目負責人，研發出6寸襯底，具備豐富的長晶和設備經驗，是國內為數不多的幾個掌握碳化硅技術的人員之一。碳化硅半導體材料行業前景廣闊，國內碳化硅材料處于起步階段，落后于國外，能量產的企業很少，6寸襯底都還沒實現量產，有技術的新企業仍然有機會。公司團隊技術領先，研發出6寸襯底，創始人在行業內知名度高，行業人脈豐富，下游多家器件廠商愿意采購產品形成戰略合作，具備量產6寸襯底能力。點擊上方按鈕聯系科轉云平臺進行溝通對接！
四川大學
2021-04-10
一種硼化鋯-碳化硅超細復合粉體及其制備方法
小試階段/nZrB2-SiC陶瓷材料具有耐高溫、抗氧化燒蝕、抗沖刷、室溫及高溫力學性能良好等優異性能，是超高溫應用領域最具潛力的候選材料，有望用于高超聲速長時飛行、大氣層再入、跨大氣層飛行、火箭推進系統及熔煉電極、熔煉坩堝等極端熱化學環境中。現有的硼化鋯-碳化鋯超細復合粉體的制備技術存在以下不足：成本高、反應溫度高、過程不易控制、工藝過程復雜、產率低、合成粉體的純度較低、粉體顆粒粒徑分布不均勻和粉體顆粒容易團聚等，極大地限制了硼化鋯-碳化鋯超細復合粉體的產業化生產。本發明旨在克服現有技術的不足，目的
武漢科技大學
2021-01-12
米渣多菌種發酵制備復合氨基酸和短肽營養液
研發階段/n內容簡介：本研究是以發酵、釀造、制糖、制藥等工廠的副產品米渣(濕渣蛋白含量35%)為主要原料，采用多菌種發酵的生物工程新技術，將米渣中的蛋白質降解為可溶性游離的復合氨基酸和短肽營養液。該營養液配比合理，不含任何色素和防腐劑，是一種獨特的發酵型純天然保健飲品，色澤為淡黃色，清亮、透明，酸甜可口。該研究選用了多種正交試驗法對單、雙、多菌種的種子和發酵配養基配方、工藝路線及參數等關鍵技術進行優選、對比，驗證擴大試驗，掌握了該技術的關鍵。據查新檢索目前國內外未見有相同工藝產品的文獻報道。中試成果
湖北工業大學
2021-01-12
一種碳化硅/二氧化硅同軸納米電纜的制備方法
本發明涉及一種同軸納米電纜的制備方法領域，具體為碳化硅/二氧化硅（內芯/外 層）同軸納米電纜的制備方法領域。本發明中碳化硅/二氧化硅（內芯/外層）同軸納米 電纜的制備方法如下：將硅油、硅脂或硅氧烷置于剛玉坩堝或剛玉舟內，將剛玉坩堝或 剛玉舟放在耐高溫板上面，然后把耐高溫板推入高溫爐，排出爐內氧氣，并以 6－15sccm 的速率通入惰性氣體保護，以 5－15℃/min 的速度將爐溫升到 1000－1100℃，保溫 1－ 5 小時后自然降到室溫。利用本發明所說的方法生成產物均為碳化硅/二氧化硅（內芯/ 外層）同軸納米電纜，且長度比現有的方法制備的提高了 2 個量級，是迄今為止報道的 最長的納米電纜，且制備方法簡單，原料便宜易得，設備要求簡化，成本低，產率高。
同濟大學
2021-04-11
納米線碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管
研發階段/n內容簡介：納米線碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管涉及一種新型功率半導體器件制造技術。結合微電子技術工藝，構造用納米線碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管。它具有高速、耐苛刻環境、低導通電阻等一系列特點，廣泛用于數字電子技術等領域。本產品獲得一項專利，專利號：200510018701.9。
湖北工業大學
2021-01-12
一種激光重熔掃描碳化物彌散增強鋁合金的快速制造方法
本發明公開了一種激光重熔掃描碳化物彌散增強鋁合金的快速 制造方法，包括以下步驟：(1)在計算機上建立零件三維模型，然后將 所述零件三維模型轉成 STL 格式并導入到激光選區熔化成形設備中； (2)將鋁合金粉末和碳化物粉末混合，然后采用球磨機進行球磨混合均 勻；(3)將球磨后的混合粉末轉移到激光選區熔化成形設備里，在惰性 氣體保護下，根據三維模型數據對混合粉末進行成形；(4)采用線切割 工藝將成形的零件從所述基板上分離
華中科技大學
2021-04-14
一種在電渣重熔過程中直接釩合金化的方法
（專利號：ZL 201510219962.0） 簡介：本發明公開了一種在電渣重熔過程中直接釩合金化的方法，屬于電渣重熔技術領域。本發明利用電渣重熔過程中爐內溫度較高的特點，利用碳代替鋁直接還原氧化釩，并巧妙的與喂線技術結合，能精確控制合金元素的加入量，減少夾雜物，其操作方法為：先將氧化鋁和石墨制成合金線，然后啟動電渣爐開始電渣重熔，隨后喂入合金線，并加入鋁粒進行擴散脫氧，電渣重熔過程結束后停止喂線，進入補縮階段直至補縮完成。本發明直接釩合
安徽工業大學
2021-01-12
一種氮化硅或氮化硅/碳化硅復合粉體的制備方法
小試階段/n本發明專利采用一種新的合成方法制備了氮化硅或氮化硅/碳化硅粉體。與傳統制備方法相比，此工藝簡單，成本低，具有較大的市場前景，為非氧化物耐火材料原料的生產提供了一個新的思路。
武漢科技大學
2021-01-12
一種形貌控制合成鏈珠狀一維碳化硅納米晶須的方法
本發明涉及一種形貌控制合成鏈珠狀一維碳化硅納米晶須的方法，所采取的技術方案 是：將清洗干燥后的木粉或竹粉 100～200g，于真空爐中在 500～700℃下碳化 1～2h 得到生 物質炭粉；將生物質炭粉和 SiO2 凝膠按 C/Si 摩爾比為 1∶1.5～3.0 機械混合均勻，得到預 混料；在純氮氣保護下將所述預混料升溫到 1450-1600℃，保溫 1～4h。保溫時間結束后， 以 5～20℃/min 的降溫速率降溫到 800℃，然后關掉加熱電源，自然冷卻。本發明合成的一 維碳化硅納米晶須為鏈珠狀，晶須長徑比大；合成工藝簡單，成本低，生產設備簡單。
安徽理工大學
2021-04-13
一種形貌控制合成鏈珠狀一維碳化硅納米晶須的方法
本發明涉及一種形貌控制合成鏈珠狀一維碳化硅納米晶須的方法，所采取的技術方案是：將清洗干燥后的木粉或竹粉 100～200g，于真空爐中在 500～700℃下碳化 1～2h 得到生物質炭粉；將生物質炭粉和 SiO2 凝膠按 C/Si 摩爾比為 1∶1.5～3.0 機械混合均勻，得到預混料；在純氮氣保護下將所述預混料升溫到 1450-1600℃，保溫 1～4h。保溫時間結束后，以 5～20℃/min 的降溫速率降溫到 800℃，然后關掉加熱電源，自然冷卻。本發明合成的一維碳化硅納米晶須為鏈珠狀，晶須長徑比大；合成工藝簡單，成本低，生產設備簡單。
安徽理工大學
2021-04-13